一种耐高温晶圆芯片保护膜的制作方法

1.本实用新型涉及晶圆芯片保护膜技术领域，尤其涉及一种耐高温晶圆芯片保护膜。


背景技术：

2.晶圆芯片保护膜应用于半导体行业中，其需求量每年都在增长，目前，晶圆芯片保护膜在使用时需要将离型膜撕走，然后将胶膜覆盖粘贴在晶圆的表面，晶圆芯片保护膜在使用pvc膜作为基材膜时，由于目前的胶膜结构对pvc基材的粘接强度较低，使得保护膜在需要剥离时不易剥离，且剥离后容易残胶，晶圆表面残胶后对严重影响了晶圆芯片的使用。


技术实现要素：

3.针对背景技术提出的问题，本实用新型的目的在于提出一种耐高温晶圆芯片保护膜，对pvc基材膜层的粘接强度高，剥离后不残胶，能够广泛地使用在晶圆芯片上，解决了现有晶圆芯片保护膜中胶层对pvc粘接强度低、剥离后易残胶的问题。
4.为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：
5.一种耐高温晶圆芯片保护膜，包括pvc基材膜层、聚酯高粘接力胶层、抗静电胶层、耐温胶层和离型膜层，所述pvc基材膜层的下表面设置有所述聚酯高粘接力胶层，所述聚酯高粘接力胶层的下表面设置有所述抗静电胶层，所述抗静电胶层的下表面设置有所述耐温胶层，所述耐温胶层的下表面设置有所述离型膜层。
6.更进一步说明，所述离型膜层的宽度或长度大于所述pvc基材膜层，所述离型膜层相对的两边凸出于所述pvc基材膜层并朝外延伸设置，所述离型膜层另外的两边与所述pvc基材膜层相平齐。
7.更进一步说明，所述离型膜层的上表面设有压纹，所述离型膜层凸出于所述pvc基材膜层的一侧边设有易撕条，所述易撕条的一端与所述离型膜层相连接，所述易撕条的另一端可朝向下方弯折。
8.更进一步说明，所述pvc基材膜层的厚度为50～85μm。
9.更进一步说明，所述聚酯高粘接力胶层的厚度为1～3μm。
10.更进一步说明，所述抗静电胶层的厚度为3～8μm。
11.更进一步说明，所述耐温胶层的厚度为8～12μm。
12.更进一步说明，所述离型膜层的厚度为50～75μm。
13.与现有技术相比，本实用新型的实施例具有以下有益效果：
14.1、通过使用pvc膜作为基材膜层，pvc膜具有质感柔软、粘贴方便的优点，能够方便保护膜的粘贴，通过设置聚酯高粘接力胶层，能够提高抗静电胶层和耐温胶层与pvc基材膜层的粘接力，使得保护膜具有抗静电和耐温效果的同时，抗静电胶层和耐温胶层对pvc基材膜层的粘接强度高，粘贴强度＞80gf/25mm，使得剥离后不残胶，此保护膜能够广泛地使用在晶圆芯片上，解决了现有晶圆芯片保护膜中胶层对pvc粘接强度低、剥离后易残胶的问
题；
15.2、通过将离型膜层相对的两边凸出于pvc基材膜层朝外延伸设置，剥离离型膜层时，可以通过离型膜层凸出于pvc基材膜层的部位进行离型膜层的剥离，使得离型膜层方便剥离；
16.3、通过在离型膜层的上表面设置压纹，减小离型膜层与耐温胶层的接触面积，使得更容易进行离型膜层的剥离，压纹具体可以为条形压纹，且通过设置易撕条，可以通过拉动易撕条从而实现离型膜层的剥离，方便操作，具体地，易撕条的一端与离型膜层相连接，易撕条的另一端与离型膜层不相连接，且可以朝向下方弯折，将易撕条朝向下方弯折后，拉动易撕条，即可将离型膜层剥离。
附图说明
17.图1是本实用新型一个实施例的耐高温晶圆芯片保护膜的结构示意图；
18.图2是本实用新型一个实施例的耐高温晶圆芯片保护膜的结构示意图(易撕条向下弯折)；
19.图3是本实用新型一个实施例的耐高温晶圆芯片保护膜的结构示意图(俯视图)；
20.其中：pvc基材膜层1、聚酯高粘接力胶层2、抗静电胶层3、耐温胶层4、离型膜层5、压纹51、易撕条52。
具体实施方式
21.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
22.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
23.如图1所示，一种耐高温晶圆芯片保护膜，包括pvc基材膜层1、聚酯高粘接力胶层2、抗静电胶层3、耐温胶层4和离型膜层5，所述pvc基材膜层1的下表面设置有所述聚酯高粘接力胶层2，所述聚酯高粘接力胶层2的下表面设置有所述抗静电胶层3，所述抗静电胶层3的下表面设置有所述耐温胶层4，所述耐温胶层4的下表面设置有所述离型膜层5。
24.通过使用pvc膜作为基材膜层，pvc膜具有质感柔软、粘贴方便的优点，能够方便保护膜的粘贴，通过设置所述聚酯高粘接力胶层2，能够提高所述抗静电胶层3和所述耐温胶层4与所述pvc基材膜层1的粘接力，使得保护膜具有抗静电和耐温效果的同时，所述抗静电胶层3和所述耐温胶层4对所述pvc基材膜层1的粘接强度高，粘贴强度＞80gf/25mm，使得剥离后不残胶，此保护膜能够广泛地使用在晶圆芯片上，解决了现有晶圆芯片保护膜中胶层对pvc粘接强度低、剥离后易残胶的问题。
25.如图2和图3所示，更进一步说明，所述离型膜层5的宽度或长度大于所述pvc基材
膜层1，所述离型膜层5相对的两边凸出于所述pvc基材膜层1并朝外延伸设置，所述离型膜层5另外的两边与所述pvc基材膜层1相平齐。
26.通过将所述离型膜层5相对的两边凸出于所述pvc基材膜层1并朝外延伸设置，剥离所述离型膜层5时，可以通过所述离型膜层5凸出于所述pvc基材膜层1的部位进行所述离型膜层5剥离，使得所述离型膜层5方便剥离。
27.更进一步说明，所述离型膜层5的上表面设有压纹51，所述离型膜层5凸出于所述pvc基材膜层1的一侧边设有易撕条52，所述易撕条52的一端与所述离型膜层5相连接，所述易撕条52的另一端可朝向下方弯折。
28.通过在所述离型膜层5的上表面设置压纹51，减小所述离型膜层5与所述耐温胶层4的接触面积，使得更容易进行所述离型膜层5的剥离，所述压纹51具体可以为条形压纹，且通过设置所述易撕条52，可以通过拉动所述易撕条52从而实现所述离型膜层5的剥离，方便操作，具体地，所述易撕条52的一端与所述离型膜层5相连接，所述易撕条52的另一端与所述离型膜层5不相连接，且可以朝向下方弯折，将所述易撕条52朝向下方弯折后，拉动所述易撕条52，即可将所述离型膜层5剥离。
29.优选地，所述pvc基材膜层1的厚度为50～85μm。
30.优选地，所述pvc基材膜层1的厚度为65μm。
31.具体地，所述pvc基材膜层1使用现有市面常规的环保型的耐温pvc膜，具有质感柔软、粘贴方便和耐温性好的优点，方便保护膜的粘贴，限定所述pvc基材膜层1的厚度，保证所述pvc基材膜层1在此厚度范围内的柔软性和硬度，使其贴合性好。
32.优选地，所述聚酯高粘接力胶层2的厚度为1～3μm。
33.优选地，所述聚酯高粘接力胶层2的厚度为2μm。
34.具体地，所述聚酯高粘接力胶层2使用现有市面常规的聚酯高粘接力胶，主要成分为美国杜邦/g4778和德国固体饱和聚酯树脂l206和l208树脂，通过设置所述聚酯高粘接力胶层2，粘接性能好，能够提高产品的粘结力，限定所述聚酯高粘接力胶层2的厚度，方便涂布，涂布均匀，且能够确保聚酯高粘接力胶层2的粘接性能的稳定性。
35.优选地，所述抗静电胶层3的厚度为3～8μm。
36.优选地，所述抗静电胶层3的厚度为5μm。
37.具体地，所述抗静电胶层3使用现有市面常规的丙烯酸系抗静电胶，主要成分为日本三菱热塑性丙烯酸树脂mb-2952，再剥离性优异，且剥离时的剥离带电少，使得保护膜的抗静电性能好，限定抗静电胶层3的厚度范围，方便涂布，使用涂布微凹工艺涂上抗静电胶即可，涂布均匀，且能够确保抗静电胶层的性能稳定性。
38.优选地，所述耐温胶层4的厚度为8～12μm。
39.优选地，所述耐温胶层4的厚度为10μm。
40.具体地，所述耐温胶层4使用现有市面常规的耐高温丙烯酸胶，主要成分为日本三菱热塑性丙烯酸树脂mb-2952和新四海的丙烯酸改性有机硅树脂sh-024，具有优良的附着力和耐高温性能，粘接力强且剥离后不残胶，限定所述耐温胶层4的厚度范围，方便涂布，使用涂布微凹工艺涂上耐高温丙烯酸胶即可，且能够保证所述耐温胶层4的耐高温性能。
41.优选地，所述离型膜层5的厚度为50～75μm。
42.优选地，所述离型膜层5的厚度为50μm。
43.具体地，所述离型膜层5使用现有市面常规的氟素离型膜，具有离型力可控、高光泽度、洁净度高和耐高温的特点，氟素离型膜拥有良好的表面性能、具有良好的耐紫外老化性能、耐化学腐蚀性能和耐溶剂渗透性能，在使用涂布微凹工艺涂上丙烯酸系抗静电胶和耐高温丙烯酸胶后，最后通过收卷复合设备胶面压合氟素离型膜即可，限定所述离型膜层5的厚度，使得所述离型膜层5能够对胶层进行保护的同时，保证所述离型膜层5的剥离效果。
44.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。