粘接片、带切割片的粘接片、层叠片以及半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及粘接片、带切割片的粘接片、层叠片以及半导体装置的制造方法。
【背景技术】
[0002] 近年来，因为半导体装置小型化的要求，所以半导体芯片的薄化不断发展。
[0003] 关于半导体装置的方法，已知例如下述方法，其包括：用粘接片将半导体芯片固定 于引线框等被粘物的工序、使粘接片固化的工序、在使粘接片固化的工序之后进行丝焊的 工序（以下，称为"方法（I) "）（例如，参见专利文献1)。
[0004] 另一方面，还已知下述方法，其包括：用粘接片将半导体芯片固定于被粘物的工 序、进行丝焊的工序（以下称为"丝焊工序"）、在丝焊工序之后边用密封树脂覆盖半导体芯 片边通过同时加热密封树脂和粘接片来使粘接片固化的工序（以下称为"方法（II)")。方 法（II)中由于同时加热密封树脂和粘接片，因此与方法（I)相比，在工艺成本方面优良。因 此，从工艺成本的观点出发，优选方法（II)。
[0005] 需要说明的是，丝焊工序包含：将焊线的一端压接于半导体芯片的焊盘，同时对焊 线施加超声波，由此将焊线和焊盘接合的步骤等。
[0006] 现有技术文献
[0007] 专利文献
[0008] 专利文献1 :日本特开2013-53190号公报
【发明内容】
[0009] 发明要解决的问题
[0010] 由于利用从丝焊装置发出的超声波使半导体芯片振动，因此有时会产生芯片破 裂、焊线与焊盘的接合不良。在方法（II)中，在固化粘接片之前进行丝焊工序，因此半导体 芯片易产生振动，且容易产生芯片破裂、接合不良。半导体芯片的厚度为50 μm以下时，更 容易产生芯片破裂。
[0011] 本发明目的在于提供粘接片、带切割片的粘接片以及层叠片，所述粘接片能够解 决上述课题，降低半导体芯片的振动，且能够减少芯片破裂、焊线与焊盘的接合不良。本发 明目的还在于提供一种半导体装置的制造方法，其能够降低半导体芯片的振动，且能够减 少芯片破裂、焊线与焊盘的接合不良。
[0012] 用于解决问题的手段
[0013] 本发明涉及一种粘接片，其130°C的拉伸储存弹性模量为IMPa~20MPa，130°C的 tan δ为0.1~0.3。通过用本发明的粘接片将半导体芯片固定于被粘物，由此能够降低半 导体芯片的振动，且能够减少芯片破裂、焊线与焊盘的接合不良。
[0014] 本发明的粘接片优选进一步具备下述性质。即，其tan δ的最大值优选为0.5~ 1. 4〇
[0015] 本发明的粘接片优选进一步具备下述性质。即，通过在以每分钟10°C在25°C~ 300°C的范围进行升温的条件下的DSC测定得到的反应热量优选为OmJ/mg~20mJ/mg。为 20mJ/mg以下时，在标准的丝焊条件下难以进行固化反应，因此加热密封树脂时，能够使粘 接片软化，能够填埋被粘物表面的凹凸。
[0016] 本发明的粘接片优选含有树脂成分。树脂成分优选含有丙烯酸系树脂。丙烯酸系 树脂优选具备环氧基和/或羧基。树脂成分100重量％中的丙烯酸系树脂的含量优选为70 重量％以上。
[0017] 本发明的粘接片优选含有BET比表面积10m2/g以上的无机填料。无机填料的新 莫式硬度优选为5以上。无机填料优选被实施过表面惰性化处理。无机填料的含量优选为 45重量％~90重量％。
[0018] 本发明还涉及一种带切割片的粘接片，其具备具有基材和配置在基材上的粘合剂 层的切割片、和配置在粘合剂层上的粘接片。
[0019] 本发明还涉及一种层叠片，该层叠片具备保护膜和配置在保护膜上的带切割片的 粘接片。
[0020] 本发明还涉及一种半导体装置的制造方法，其包括：准备带切割片的粘接片的工 序；将半导体晶片压接于粘接片的工序；通过对配置在粘接片上的半导体晶片进行切割， 由此形成具备具有焊盘的半导体芯片和配置在半导体芯片上的粘接膜的芯片接合用芯片 的工序；通过将芯片接合用芯片压接于具备端子部的被粘物从而形成带芯片的被粘物的工 序；包含将焊线的一端与焊盘接合的步骤和将焊线的另一端与端子部接合的步骤的丝焊工 序；和在丝焊工序之后通过对带芯片的被粘物进行加热来使粘接膜固化的工序。
【附图说明】
[0021] 图1为粘接片的示意性截面图。
[0022] 图2为带切割片的粘接片的示意性截面图。
[0023] 图3为变形例的带切割片的粘接片的示意性截面图。
[0024] 图4为层置片的不意性俯视图。
[0025] 图5为局部放大表示层叠片的截面的示意性截面图。
[0026] 图6为示意性地示出在带切割片的粘接片上配置有半导体晶片的状态的截面图。
[0027] 图7为示意性地示出对半导体晶片进行单片化后的状态的截面图。
[0028] 图8为带半导体芯片的被粘物的示意性截面图。
[0029] 图9为具有焊线的带半导体芯片的被粘物的示意性截面图。
[0030] 图10为半导体装置的示意性截面图。
【具体实施方式】
[0031] 以下举出实施方式，对本发明进行详细地说明，但本发明并不仅限于这些实施方 式。
[0032] [实施方式1]
[0033](粘接片3)
[0034] 如图1所示，粘接片3的形态为片状。粘接片3具备热固性。
[0035] 粘接片3进一步具备下述性质。即，其130°C的拉伸储存弹性模量为IMPa~ 20MPa。粘接片3在固化前的状态下比较硬，因而通过用粘接片3将半导体芯片固定于被粘 物，能够降低半导体芯片的振动，且能够减少芯片破裂、焊线与焊盘的接合不良。130°C的拉 伸储存弹性模量为20MPa以下，因而能够确保对被粘物的密合力。
[0036] 130°C的拉伸储存弹性模量优选为3MPa以上，更优选为4MPa以上，进一步优选为 5MPa以上。另一方面，130°C的拉伸储存弹性模量优选为18MPa以下，更优选为15MPa以下。
[0037] 130°C的拉伸储存弹性模量可以根据无机填料的种类、无机填料的含量等进行控 制。可以通过例如使用粒径小的无机填料、使用新莫式硬度高的无机填料等，来提高130°C 的拉伸储存弹性模量。
[0038] 用实施例中所述的方法对130°C的拉伸储存弹性模量进行测定。
[0039] 粘接片3进一步具备下述性质。即，其130°C的tan δ为〇. 1~0.3。为0.3以下， 因而能够降低半导体芯片的振动，且能够减少芯片破裂、焊线与焊盘的接合不良。为〇. 1以 上，因而能够确保对被粘物的密合力。
[0040] 粘接片3优选进一步具备下述性质。即，其tan δ的最大值为〇. 5~1. 4。为1. 4 以下时，能够降低半导体芯片的振动。为0.5以上时，能够在密封工序中填埋基板的凹凸。 tan δ的最大值更优选为1以下。
[0041] 显示出tanS的最大值的温度优选为5°C~80°C。
[0042] tan δ用实施例中记载的方法进行测定。
[0043] 粘接片3优选进一步具备下述性质。即，通过在以每分钟10°C在25°C~300°C的 范围进行升温的条件下的DSC测定得到的反应热量为OmJ/mg~20mJ/mg。为20mJ/mg以下 时，在标准的丝焊条件下难以进行固化反应，因此能够在加热密封树脂时使粘接片3软化 从而能够填埋被粘物表面的凹凸。反应热量的下限可以为例如lmj/mg、2mj/mg等。
[0044] 反应热量可以根据环氧树脂的含量、酚醛树脂的含量、催化剂等进行控制。可以通 过例如减少环氧树脂的含量、减少酚醛树脂的含量、不添加催化剂等来降低反应热量。
[0045] 所谓的反应热量是指，通过用在以每分钟10°C在25°C~300°C的范围进行升温的 条件下的DSC测定得到的热量除以试验片的重量，由此计算出的值。
[0046] 粘接片3含有树脂成分。作为树脂成分，可以举出丙烯酸系树脂、环氧树脂、酚醛 树脂等。
[0047] 作为丙烯酸系树脂，并没有特别限定，可以举出以具有碳数为30以下、尤其是碳 数为4~18的直链或支链烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1种或2种以上作为成分的 聚合物（丙烯酸系共聚物）等。作为上述烷基，可以举出例如甲基、乙基、丙基、异丙基、正 丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、 异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或十二烷 基等。
[0048] 另外，作为形成聚合物（丙烯酸系共聚物）的其他单体，并没有特别限定，可以举 出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆 酸等各种含羧基的单体；马来酸酐或衣康酸酐等各种酸酐单体；（甲基）丙烯酸2-羟基乙 酯、（甲基）丙烯酸2-羟基丙酯、（甲基）丙烯酸4-羟基丁酯、（甲基）丙烯酸6-羟基己 酯、（甲基）丙烯酸8-羟基辛酯、（甲基）丙烯酸10-羟基癸酯、（甲基）丙烯酸12-羟基 月桂酯或丙烯酸（4-羟甲基环己基）甲酯等各种含羟基的单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、 2_(甲基）丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、（甲基）丙烯酰胺丙磺酸、（甲基）丙烯酸磺丙酯或 (甲基）丙烯酰氧基萘磺酸等各种含磺酸基的单