自适应充电枪锁控制电路的制作方法

文档序号:13630868阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种自适应充电枪锁控制电路,其特征在于,包括一控制电路及连接该控制电路的充电控制板,所述控制电路与所述充电控制板均安装于充电枪内;所述控制电路包括第一控制模块、第二控制模块、及分别连接所述第一控制模块与所述第二控制模块的枪锁机构;所述枪锁机构电连接所述充电控制板;所述控制电路还设有一电源输入端VCC、第一输入端X1及第二输入端X2;所述电源输入端VCC连接充电桩,以获取驱动能源。

2.根据权利要求1所述的自适应充电枪锁控制电路,其特征在于,所述枪锁机构包括连接所述第一控制模块的第一端、连接所述第二控制模块的第二端、及安装于所述枪锁机构的控制线圈;所述枪锁机构还连接一滑块。

3.根据权利要求2所述的自适应充电枪锁控制电路,其特征在于,所述充电控制板包括第一输出端、第二输出端及一状态开关K1,所述第一输出端连接所述第一输入端,所述第二输出端连接所述第二输入端,所述状态开关K1抵接所述滑块。

4.根据权利要求3所述的自适应充电枪锁控制电路,其特征在于,所述第一输出端输出一个脉冲控制信号,所述第二输出端输出一个持续的低电平控制信号。

5.根据权利要求2所述的自适应充电枪锁控制电路,其特征在于,所述第一控制模块包括电阻R1、R2及晶体管Q1、Q2、Q3;所述电阻R1的一端连接所述电源输入端VCC,所述电阻R1的另一端连接所述晶体管Q1的基极;所述晶体管Q1的集电极连接所述电源输入端VCC,所述晶体管Q1的发射极连接所述枪锁机构的第一端;所述晶体管Q2的基极连接所述晶体管Q1的基极,所述晶体管Q2的发射极连接所述晶体管Q1的发射极,所述晶体管Q2的集电极接地。

6.根据权利要求5所述的自适应充电枪锁控制电路,其特征在于,所述电阻R2的一端连接所述第一输入端X1,所述电阻R2的另一端连接所述晶体管Q3的基极,所述晶体管Q3的集电极连接所述晶体管Q1的基极,所述晶体管Q3的发射极接地。

7.根据权利要求6所述的自适应充电枪锁控制电路,其特征在于,所述第二控制模块包括电阻R3、R4及晶体管Q4、Q5、Q6;所述电阻R3的一端连接所述电源输入端VCC,所述电阻R3的另一端连接所述晶体管Q4的基极;所述晶体管Q4的集电极连接所述电源输入端VCC,所述晶体管Q4的发射极连接所述枪锁机构的第二端;所述晶体管Q5的基极连接所述晶体管Q4的基极,所述晶体管Q5的发射极连接所述晶体管Q4的发射极,所述晶体管Q5的集电极接地。

8.根据权利要求7所述的自适应充电枪锁控制电路,其特征在于,所述电阻R4的一端连接所述第二输入端X2,所述电阻R4的另一端连接所述晶体管Q6的基极,所述晶体管Q6的集电极连接所述晶体管Q4的基极,所述晶体管Q6的发射极接地。

9.根据权利要求1所述的自适应充电枪锁控制电路,其特征在于,所述控制电路还包括二极管D1、D2、D3及D4,所述二极管D1的阴极连接所述电源输入端VCC,所述二极管D1的阳极连接所述二极管D2的阴极,所述二极管D2的阳极接地;所述二极管D3的阴极连接所述电源输入端VCC,所述二极管D3的阳极连接所述二极管D4的阴极,所述二极管D4的阳极接地。

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