技术特征：
1.一种车辆电气系统，包括：具有第一电压的可再充电能量存储系统(ress)；电性连接至所述ress的功率逆变器；具有多个电机绕组的电动机，其中每个所述电机绕组均包括电性连接至所述功率逆变器的多相端子，并且所述电动机还具有与所述多相端子分开设置的中性端子；以及附件负载，其选择性地连接至所述ress和所述电动机的中性端子中的一者，其中所述附件负载所需的第二电压低于所述第一电压；其中，所述功率逆变器被配置为在所述功率逆变器将所述ress连接至所述电动机的所述多个电机绕组的第一操作状态和所述功率逆变器断开所述ress与所述电动机的所述多个电机绕组之间的连接并中断输送到所述电机绕组的电流的第二操作状态之间循环，使得所述功率逆变器将所述ress的所述第一电压降低到所述附件负载的所述第二电压。2.根据权利要求1所述的车辆电气系统，还包括至少一个设置在所述电动机的所述中性端子和所述附件负载之间的附件负载开关，其中，所述至少一个附件负载开关被配置为在使得电流从所述电动机流到所述附件负载的闭合状态和防止电流流到所述附件负载的打开状态之间转换。3.根据权利要求2所述的车辆电气系统，其中，所述多个电机绕组包括多个电感器。4.根据权利要求3所述的车辆电气系统，其中，所述功率逆变器包括一组半导体逆变器开关，所述半导体逆变器开关被配置为将直流(dc)电转换为交流(ac)电。5.根据权利要求4所述的车辆电气系统，其中，每个所述半导体逆变器开关均包括压控切换装置。6.根据权利要求5所述的车辆电气系统，其中，所述压控切换装置包括硅绝缘栅双极晶体管(igbt)、碳化硅(sic)金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)、硅(si)超结mosfet、氮化镓(gan)场效应晶体管(fet)、sic栅结场效应晶体管(jfet)、宽带隙(wbg)或超宽带隙(uwbg)半导体功率开关器件中的至少一种。7.根据权利要求4所述的车辆电气系统，其中，所述功率逆变器包括多个相臂，每个所述相臂均包括一对半导体逆变器开关，并且每个所述相臂均连接至所述电感器中的相应一个电感器。8.根据权利要求7所述的车辆电气系统，其中，所述多个相臂包括第一、第二和第三相臂，并且所述第一、第二和第三相臂的半导体逆变器开关中的至少一个进行脉宽调制以使得电流流过所述第一、第二和第三相臂中的相关联的一个相臂。9.根据权利要求8所述的车辆电气系统，还包括串联在所述电动机的所述中性端子和所述附件负载之间的纹波电感器，其中，所述纹波电感器被配置为减轻电流纹波和转矩干扰。10.根据权利要求9所述的车辆电气系统，其中，所述至少一个附件负载开关包括接触器。
技术总结
车辆电气系统的示例包括具有第一电压的可再充电能量存储系统(RESS)和电性连接至RESS的功率逆变器。该系统还包括具有多个电机绕组的电动机，其中每个电机绕组包括电性连接至功率逆变器的多相端子。电动机还包括与多相端子分开设置的中性端子。该系统还包括连接至功率逆变器和电动机的中性端子的附件负载，其中所述附件负载需要的第二电压低于所述第一电压。电流流过电机绕组以将第一电压降低到第二电压。功率逆变器被配置为在第一和第二操作状态之间循环，使得功率逆变器将第一电压降低到第二电压。到第二电压。到第二电压。
技术研发人员：R
受保护的技术使用者：通用汽车环球科技运作有限责任公司
技术研发日：2021.12.14
技术公布日：2022/9/26