撕膜控制方法、装置、电子设备及存储介质与流程

1.本公开涉及柔性显示屏生产领域，尤其涉及一种撕膜控制方法、装置、电子设备及存储介质。


背景技术：

2.随着技术发展，在电子设备如手机的领域，逐渐采用柔性显示屏作为显示模组，来生产多种形态的电子设备。柔性显示屏往往采用pi作为结构基底，柔性显示屏制程中，会在pi的表面设置保护膜，在柔性显示屏生产线或在电子设备产品组装过程中，需撕掉柔性显示屏的保护膜。
3.相关技术中，在柔性显示屏生产或应用过程中，存在撕膜产生静电而影响显示屏显示的技术问题。


技术实现要素：

4.为克服相关技术中存在的问题，本公开提供一种撕膜控制方法、装置、电子设备及存储介质。
5.根据本公开实施例的第一方面，提出了一种撕膜控制方法，包括：
6.获取至少一组工艺参数，其中，每组所述工艺参数包括多种工艺影响因子对应的参数；
7.根据所述至少一组工艺参数，确定至少一个静电值，其中，所述至少一组工艺参数与所述至少一个静电值一一对应，所述静电值用于表征撕膜后显示屏表面残留的静电量；
8.响应于所述至少一个静电值中的预设静电值在参考范围，确定采用所述预设静电值对应的所述工艺参数进行撕膜。
9.可选地，所述根据所述至少一组工艺参数，确定至少一个静电值，包括：
10.将所述至少一组工艺参数分别输入训练完成的第一模型，输出所述至少一个静电值。
11.可选地，所述方法还包括，训练所述第一模型：
12.获取训练数据，其中，所述训练数据中包括：多组工艺参数以及与所述多组工艺参数一一对应的多个真实静电值；
13.将所述训练数据中的每组工艺参数分别输入至第一模型，输出每组工艺参数对应的预测静电值；
14.根据输出的每个预测静电值与对应的真实静电值的差异，调整所述第一模型中的模型参数，至所述第一模型收敛。
15.可选地，所述方法还包括：
16.基于对所述工艺参数中的所述多种工艺影响因子对应的参数设定的阈值范围和/或，根据所述工艺参数中的所述多种工艺影响因子对静电值的影响变化关系，校准所述预设静电值对应的所述工艺参数，获得参考工艺参数；
17.响应于所述参考工艺参数的静电值保持在所述参考范围，确定采用参考工艺参数进行撕膜。
18.可选地，所述根据所述工艺参数中的所述多种工艺影响因子对静电值的影响变化关系，校准所述预设静电值对应的所述工艺参数，获得参考工艺参数，包括：
19.获取第二模型，所述第二模型为基于所述工艺参数中所述多种工艺影响因子对静电值的影响变化关系，以及所述多种工艺影响因子之间的影响变化关系确定；
20.根据所述第二模型校准所述预设静电值对应的所述工艺参数，获得参考工艺参数。
21.根据本公开实施例的第二方面，提出了一种撕膜控制装置，包括：
22.获取模块，用于获取至少一组工艺参数，其中，每组所述工艺参数包括多种工艺影响因子对应的参数；
23.第一确定模块，用于根据所述至少一组工艺参数，确定至少一个静电值，其中，所述至少一组工艺参数与所述至少一个静电值一一对应，所述静电值用于表征撕膜后显示屏表面残留的静电量；
24.第二确定模块，用于响应于所述至少一个静电值中的预设静电值在参考范围，确定采用所述预设静电值对应的所述工艺参数进行撕膜。
25.可选地，所述第一确定模块具体用于：
26.将所述至少一组工艺参数分别输入训练完成的第一模型，输出所述至少一个静电值。
27.可选地，所述装置还包括训练模块，用于训练所述第一模型，所述训练模块具体用于：
28.获取训练数据，其中，所述训练数据中包括：多组工艺参数以及与所述多组工艺参数一一对应的多个真实静电值；
29.将所述训练数据中的每组工艺参数分别输入至第一模型，输出每组工艺参数对应的预测静电值；
30.根据输出的每个预测静电值与对应的真实静电值的差异，调整所述第一模型中的模型参数，至所述第一模型收敛。
31.可选地，所述装置还包括：校准模块，所述校准模块用于：
32.基于对所述工艺参数中的所述多种工艺影响因子对应的参数设定的阈值范围和/或，根据所述工艺参数中的所述多种工艺影响因子对静电值的影响变化关系，校准所述预设静电值对应的所述工艺参数，获得参考工艺参数；
33.响应于所述参考工艺参数的静电值保持在所述参考范围，确定采用参考工艺参数进行撕膜。
34.可选地，所述校准模块具体用于：
35.获取第二模型，所述第二模型为基于所述工艺参数中所述多种工艺影响因子对静电值的影响变化关系，以及所述多种工艺影响因子之间的影响变化关系确定；
36.根据所述第二模型校准所述预设静电值对应的所述工艺参数，获得参考工艺参数。
37.根据本公开实施例的第三方面，提出了一种电子设备，包括：
38.处理器；
39.用于存储处理器的可执行指令的存储器；
40.其中，所述处理器被配置为执行如上任一项所述的撕膜控制方法。
41.根据本公开实施例的第四方面，提出了一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由电子设备的处理器执行时，使得电子设备能够执行如上任一项所述的撕膜控制方法。
42.本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：使用本公开的方法，能够考察撕膜过程中的多种工艺影响因子，从而确定出预设静电值在参考范围内时对应的工艺参数。以该工艺参数进行撕膜，能够保证撕膜过程中，最大程度的减小显示屏上残留的静电量，从而减小静电对显示屏显示的影响，保证柔性显示屏的生产质量。
43.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
44.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
45.图1是根据一示例性实施例示出的方法的流程图。
46.图2是根据一示例性实施例示出的方法的流程图。
47.图3是根据一示例性实施例示出的方法的流程图。
48.图4是根据一示例性实施例示出的装置的框图。
49.图5是根据一示例性实施例示出的装置的框图。
50.图6是根据一示例性实施例示出的电子设备的框图。
具体实施方式
51.这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。
52.随着技术发展，在电子设备如手机的领域，逐渐采用柔性显示屏作为显示模组，来生产多种形态的电子设备。柔性显示屏往往采用pi作为结构基底，柔性显示屏制程中，会在pi的表面设置保护膜，在柔性显示屏生产线或在电子设备产品组装过程中，需撕掉柔性显示屏的保护膜。
53.相关技术中，在对柔性显示屏撕膜的过程中，主要依据经验进行撕膜，而在撕膜过程中产生的静电会残留在柔性显示屏的pi(聚酰亚胺薄膜)基底上，残留在pi基底上的静电极易影响显示屏内部tft(薄膜晶体管)的特性，导致显示屏出现显示不良等问题。
54.可见，在相关技术中，柔性显示屏生产或应用过程中，存在撕膜产生静电而影响显示屏显示的技术问题。
55.为解决相关技术中的问题，本公开实施例提出了一种撕膜控制方法，包括：获取至少一组工艺参数，其中，每组工艺参数包括多种工艺影响因子对应的参数。根据至少一组工
艺参数，确定至少一个静电值，至少一组工艺参数与至少一个静电值一一对应。响应于至少一个静电值中的预设静电值在参考范围，确定采用预设静电值对应的工艺参数进行撕膜。使用本公开的方法，能够考察撕膜过程中的多种工艺影响因子，从而确定出预设静电值在参考范围内时对应的工艺参数。以该工艺参数进行撕膜，能够保证撕膜过程中，最大程度的减小显示屏上残留的静电量，从而减小静电对显示屏显示的影响，保证柔性显示屏的生产质量。
56.在一个示例性的实施例中，本实施例的撕膜控制方法，应用于柔性显示屏撕膜过程中，其中柔性显示屏比如可以是oled(有机发光二极管显示屏)。
57.如图1所示，本实施例中的方法具体可以包括如下步骤：
58.s110、获取至少一组工艺参数。
59.s120、根据至少一组工艺参数，确定至少一个静电值。
60.s130、响应于至少一个静电值中的预设静电值在参考范围，确定采用预设静电值对应的工艺参数进行撕膜。
61.其中，在步骤s110中，每组工艺参数包括多种工艺影响因子对应的参数。工艺影响因子比如可以是撕膜过程中易产生静电的影响因素，而工艺影响因子可以是多种，比如包括：撕膜过程中保护膜的膜材种类、膜材位置、撕膜速度等。
62.可以理解的，每一组工艺参数中包括的工艺影响因子的种类相同、而每种工艺影响因子对应的具体参数不同。
63.在步骤s120中，至少一组工艺参数与至少一个静电值一一对应。即根据每组工艺参数，可以确定一个对应的静电值。静电值用于表征撕膜后显示屏表面(具体为pi表面)残留的静电量。
64.根据工艺参数确定静电值的方式可以有多种。
65.比如，可以预先构建配置表，配置表中存储有足够数量的工艺参数与静电值的对应关系，根据配置表可通过遍历查询任一组工艺参数对应的静电值。
66.再比如，可以利用神经网络模型，以工艺参数作为输入、以静电值作为输出，利用神经网络模型确定任一组工艺参数对应的静电值。
67.在步骤s130中，参考范围比如可以是预先设置或存储的，静电值在参考范围内表征：当显示屏上残留的静电量在此范围内，不会对显示屏的显示造成影响，或者对显示屏的影响在合理或可接受范围内。
68.在上述步骤s120中确定的至少一个静电值中，可能有一个或多个静电值满足要求(在参考范围内)，则预设静电值可以是其中的任一个。即本步骤中可以采取任一个满足要求的静电值对应的工艺参数进行撕膜，均可以保证撕膜产生的静电不会影响显示屏的正常显示。
69.在一个示例性的实施例中，本实施例中，步骤s120具体可以包括如下步骤：
70.s121、将至少一组工艺参数分别输入训练完成的第一模型，输出至少一个静电值。
71.其中，本实施例中，采用神经网络模型的方式确定静电值。第一模型比如可以包括多层前馈神经网络，第一模型基于训练数据训练得到，训练数据比如包括多组工艺参数以及与多组工艺参数一一对应的多个真实静电值。结合步骤s110中获取的至少一组工艺参数，每次可输入一组工艺参数至训练完成的第一模型，对应输出该组工艺参数对应的静电
值。
72.以如下示例说明本实施例：
73.本示例中，多种工艺影响因子分别为：膜材种类、膜材位置、撕膜速度、风机功率以及风机作用时间。多种工艺影响因子对应的参数分别为：膜材种类代号k1、膜材位置k2、撕膜速度v、风机功率p以及风机作用时间t。
74.其中，膜材种类代号k1表征保护膜材是何种厂商，常见厂商如日东或innox；不同厂商的膜材对撕膜过程中产生静电的影响不同。膜材位置k2表征贴膜位置是显示屏的前膜、后膜、或者相对于显示屏的其他贴膜位置，在不同位置撕膜对撕膜过程中产生静电的影响也不同。风机比如采用等离子风机。
75.每组工艺参数包括前述的多种工艺影响因子对应的参数，每组工艺参数表示为(k1，k2，v，p，t)，在不同组工艺参数中每个参数对应的数值不同。
76.则本示例中，第一模型的输入为(k1，k2，v，p，t)，输出为静电值。通过调整多种工艺影响因子中每个因子对应的参数数值，可以获得多组工艺参数，从而利用第一模型可以输出多个静电值。
77.本实施例中，利用在柔性显示屏制程中使用第一模型，快速确定静电值在参考范围内时对应的工艺参数。以该工艺参数进行撕膜，即可以保证在撕膜过程中，能够最大程度的减小显示屏上残留的静电量对显示屏的影响，从而保证柔性显示屏的生产质量。
78.在一个示例性的实施例中，本实施例中的方法还包括：s100、训练第一模型。
79.本步骤比如是在应用第一模型之前，预先将第一模型训练至收敛或者达到迭代次数。
80.如图2所示，本步骤具体可以包括如下步骤：
81.s101、获取训练数据。
82.s102、将训练数据中的每组工艺参数分别输入至第一模型，输出每组工艺参数对应的预测静电值。
83.s103、根据输出的每个预测静电值与对应的真实静电值的差异，调整第一模型中的模型参数，至第一模型收敛。
84.其中，在步骤s101中，训练数据中包括：多组工艺参数以及与多组工艺参数一一对应的多个真实静电值。
85.本步骤中，在训练模型之前，采集足够的训练数据。比如：在获得每组工艺参数后，以试验的方式在该组工艺参数下撕膜，并测定撕膜过程中的静电值，作为真实静电值，得到训练数据中的一组数据。按此方式可获得多组数据。
86.可以理解的，训练数据中的每组工艺参数，依然包括前述多种影响因子对应的参数。即多种工艺影响因子对应的参数分别为：膜材种类代号k1、膜材位置k2、撕膜速度v、风机功率p以及风机作用时间t。
87.对于训练数据中的每一组工艺参数，可结合实际经验预先对每种工艺影响因子对应的参数设置合理的取值范围，并为该种工艺影响因子设置相应的步长。每相邻两组工艺参数中该影响因子对应的参数间隔一个步长。
88.在设置每种影响因子对应参数的取值范围及步长后，获取训练数据的过程中，各组工艺参数则可以自动调整、自动获取，至全部组训练数据中的工艺参数获取完毕。
89.比如，以工艺影响因子为风机作用时间为例，设定风机作用时间对应的参数t的训练数据在：1min-10min取值范围内，步长设置为：1min。则获取的第一组工艺参数中包含的风机作用时间t为1min；以步长1min自动获取第二组工艺参数，第二组工艺参数中包含的风机作用时间t为2min；
……
；以此类推，获取至第十组工艺参数中包含的风机作用时间t为10min。
90.相同原理地，每组工艺参数中的其他影响因子的参数，也设置有对应的取值范围，以及相应的步长。基于与上述获取风机作用时间相同的方式，在依次获取每组工艺参数的过程中，同步调整其他影响因子的参数。最终，确定多组工艺参数。
91.为简化训练数据的获取过程，对于影响较稳定的工艺影响因子，可不设置取值范围和步长，以设定几组取值作为数据补充即可。
92.比如，对于膜材种类代号k1、膜材位置k2、撕膜速度v、风机功率p以及风机作用时间t几种工艺影响因子对应的参数来说，膜材种类代号k1的取值较为固定，而其余几种参数为影响静电值的主要变化参数。因此，其余几种参数采用上述设置步长的方式获取，对于膜材种类代号k1则可以根据不同厂商或项目数据，设置几组特定取值。每组特定取值与获取的任一组其余参数构成一组工艺参数。
93.本步骤中，多组工艺参数及一一对应的真实静电值作为训练数据。为防止数据波动对模型的影响，训练数据中至少包括20对工艺参数与真实静电值的数据对，并且保证该至少20对数据对中已剔除波动较大的工艺参数。
94.在步骤s102中，结合步骤s101获取的全部训练数据，依次输入训练数据中的每组工艺参数，例如输入(k1，k2，v，p，t)，经过第一模型都可以输出每组工艺参数对应的预测静电值。
95.在步骤s103中，输入训练数据中的工艺参数后，比如可以利用以梯度下降算法或者动量梯度下降算法，来确定预测静电值和对应的真实静电值的损失值，并对应调整第一模型中的模型参数。
96.对于调整模型参数后的第一模型，继续输入训练数据中的其余工艺参数，直至第一模型输出的预测静电值和真实静电值的差异或损失值在设定范围内，认为第一模型收敛。
97.本步骤中，可调整的模型参数比如可以包括：第一模型中各神经网络层的权重、学习速率、训练次数以及神经元阈值。
98.在一个示例性的实施例中，如图3所示，本实施例的方法还可以包括如下步骤：
99.s210、校准预设静电值对应的工艺参数，获得参考工艺参数。
100.s220、响应于参考工艺参数的静电值保持在参考范围，确定采用参考工艺参数进行撕膜。
101.其中，本实施例比如可以是，在图1对应的实施例基础上进行的优化步骤。
102.在步骤s210中，是基于对工艺参数中的多种工艺影响因子对应的参数设定的阈值范围和/或，根据工艺参数中的多种工艺影响因子对静电值的影响变化关系，实现对步骤s130确定的预设静电值对应的工艺参数进一步校准。进行校准后的工艺作数作为参考工艺参数。
103.比如，预设静电值对应的工艺参数中，每一种工艺影响因子对应的参数都可以设
置阈值范围，通过判断参数是否在对应的阈值范围内，进行校准，获得参考工艺参数。
104.再比如，预设静电值对应的工艺参数中，多种工艺影响因子对静电值会有不同趋势的影响(正相关或负相关)，根据这样的影响变化关系，也可以对工艺参数进行校准，获得参考工艺参数。
105.在步骤s220中，获得参考工艺参数后，将参考工艺参数仍然输入至第一模型，输出参考工艺参数对应的静电值。当该对应的静电值仍在参考范围内，则采用参考工艺参数进行撕膜。本步骤中，利用第一模型进行验证参考工艺参数，始终保证静电值在适宜范围。
106.本实施例中，旨在对预设静电值对应的工艺参数中的不合理项进行校准，比如，预设静电值对应的工艺参数中，撕膜速度v过小，则撕膜速度过慢，即使预设静电值符合要求，撕膜速度也不符合生产需求。因此，可通过本实施例进行校准、适当调整撕膜速度v。
107.在一个示例性的实施例中，当步骤s210“基于对工艺参数中的多种工艺影响因子对应的参数设定的阈值范围”校准时，本实施例中步骤s210比如可以包括如下步骤：s211、响应于工艺参数中至少一种预设工艺影响因子的参数在阈值范围外，调整工艺参数中预设工艺影响因子对应的参数，获得参考工艺参数。
108.本实施例中，多种工艺影响因子包括：膜材种类、撕膜位置、撕膜速度、风机功率和风机作用时间。
109.在步骤s211中，预设工艺影响因子用于表征：在实际撕膜过程中，对生产效率与产能存在较大影响的因素。而预设工艺影响因子对于的参数在阈值范围外，则表征：采取该参数则会降低生产效率或产能。本步骤中，预设工艺影响因子为：撕膜速度、风机功率或者风机作用时间。
110.在一个示例中，预设工艺影响因子为撕膜速度v。在对预设静电值对应的工艺参数校准时，校准该工艺参数中的撕膜速度v是否在对应的速度阈值范围之外，其中，撕膜速度v对应的阈值范围比如应保持在(v1，v2)这一优选速度区间(一般不会过小)。当在阈值范围之外，比如撕膜速度v过小，此时静电值虽然会保持在较小范围，但是却会影响撕膜速率，易降低产能。比如，撕膜速度v过小，则撕膜所需时间t过大，甚至大于对应的风机作用时间t，这显然是不合理的。
111.因此本示例中，对撕膜速度v进行适应生产效率的调整。比如，以设定比例提升撕膜速度v，工艺参数中其他参数不变，获得参考工艺参数。
112.在另一个示例中，预设工艺影响因子为风机作用时间t。在对预设静电值对应的工艺参数校准时，校准该工艺参数中的风机作用时间t是否超过对应的时间阈值范围，其中，风机作用时间t对应的阈值范围比如应保持在(t1，t2)这一优选速度区间(一般不会过大)。当超过阈值范围，比如风机作用时间t过大，此时静电值虽然会保持在较小范围，但是却会影响显示屏质量。
113.因此本示例中，对风机作用时间t进行适应生产效率的调整。比如，以设定比例降低风机作用时间t，工艺参数中其他参数不变，获得参考工艺参数。
114.本实施例中，可结合第一模型确定的工艺参数以及实际生产情况进行平衡调整，从而获得合理的参考工艺参数。
115.在一个示例性的实施例中，当步骤s210“根据工艺参数中的多种工艺影响因子对静电值的影响变化关系”校准时，本实施例中，步骤s210比如还可以是包括如下步骤：
116.s212、获取第二模型。
117.s214、根据第二模型校准预设静电值对应的工艺参数，获得参考工艺参数。
118.其中，在步骤s212中，第二模型为基于工艺参数中多种工艺影响因子对静电值的影响变化关系，以及多种工艺影响因子之间的影响变化关系确定的。第二模型可以是基于大量的工艺参数的试验数据拟合得到；也可以是根据工艺参数的训练数据，通过机器训练学习得到的模型。
119.对于工艺参数中的多种工艺影响因子，可以确定其中影响较为显著的预设工艺影响因子，比如预设工艺影响因子为：撕膜速度、风机功率或者风机作用时间。根据预设工艺影响因子，以及预设工艺影响因子对静电值的影响，确定如下第二模型：如下回归模型：
120.e＝k(pαvβtε)+c
121.其中，e为回归模型的输出，即静电值；k为回归系数；α、β、ε依次为回归指数系数；c为回归常数；v为撕膜速度，p为风机功率，t为风机作用时间。
122.本步骤中，根据第二模型，可以获知几种预设工艺影响因子与静电值的变化关系。例如：撕膜速度v与静电值e呈正相关，风机功率p和风机作用时间t与静电值e呈负相关。
123.在步骤s214中，根据第二模型表征的预设影响因子与静电值的变化关系，以及预设影响因子之间的影响关系，进行校准的过程中比如可以包括如下步骤：
124.s2141、响应于工艺参数中第一预设工艺影响因子的参数在阈值范围外，根据第二模型确定第二预设工艺影响因子。
125.s2142、调整工艺参数中第二预设工艺影响因子对应的参数，获得参考工艺参数。
126.其中，在步骤s2141中，根据第二模型，第一预设工艺影响因子与第二预设工艺影响因子比如可以是：对静电值影响趋势相反的两个因子。例如，第一预设工艺影响因子为：撕膜速度。当第一预设工艺影响因子的参数在阈值范围外，撕膜速度v在其对应的速度阈值范围外(撕膜速度v过小)，根据第二模型，可确定第二预设工艺影响因子为：风机功率p或风机作用时间t。
127.本实施例中，以第一预设工艺影响因子为撕膜速度v、第二预设工艺影响因子为风机作用时间t为例进行说明。
128.在步骤s2142中，当第一预设工艺影响因子的参数不合理，可调整第二预设工艺影响因子的参数来平衡调节。本步骤中，当撕膜速度v过小，本实施例中可增大风机作用时间t。保持工艺参数中其他参数不变，结合调节后的风机作用时间t，获得参考工艺参数。
129.确定后的参考工艺参数仍可输入至第一模型验证，若静电值保持在参考范围，就以此参考工艺参数撕膜；若静电值未达到参考范围，可继续微调第一预设工艺影响因子或第二预设工艺影响因子的参数。
130.在其他实施例中，在上述两个模型相互配合或校正的基础上，还可以采用如下任一种或多种附加方式降低撕膜过程中的静电值：
131.(1)撕膜过程中，调整离子风机的位置或吹风角度，起到降低显示屏上静电残留的效果。
132.(2)撕膜过程中，增加离子风机的数量，加速降低显示屏上静电残留，提高生产效率。
133.(3)撕膜过程中，增加或导入x-ray，辅助离子风机，共同降低显示屏上的静电残
留。
134.(4)撕膜过程中，增加以撕膜基板加热降低静电的方式，降低显示屏上的静电残留。
135.本公开上述实施例中提供的撕膜控制方法，在考察显示屏上残留静电量的基础上，还考察了实际产线效率，进行工艺参数的校准或多个工艺参数间的平衡。从而在提升显示屏去静电效果的同时，有效保证产线效率，减小静电对显示屏的影响。
136.在一个示例性的实施例中，本公开实施例还提出了一种撕膜控制装置，如图4所示，本实施例的装置包括：获取模块110、第一确定模块120和第二确定模块130。本实施例的装置用于实现如图1所示的方法。其中，获取模块110用于获取至少一组工艺参数，其中，每组工艺参数包括多种工艺影响因子对应的参数。第一确定模块120用于根据至少一组工艺参数，确定至少一个静电值，其中，至少一组工艺参数与至少一个静电值一一对应，静电值用于表征撕膜后显示屏表面残留的静电量。第二确定模块130用于响应于至少一个静电值中的预设静电值在参考范围，确定采用预设静电值对应的工艺参数进行撕膜。
137.本实施例中，第一确定模块具体用于：将至少一组工艺参数分别输入训练完成的第一模型，输出至少一个静电值。
138.在一个示例性的实施例中，本实施例的装置还包括训练模块，用于训练第一模型。本实施例的装置用于实现如图2所示的方法。其中，训练模块具体用于：获取训练数据，其中，训练数据中包括：多组工艺参数以及与多组工艺参数一一对应的多个真实静电值；将训练数据中的每组工艺参数分别输入至第一模型，输出每组工艺参数对应的预测静电值；根据输出的每个预测静电值与对应的真实静电值的差异，调整第一模型中的模型参数，至第一模型收敛。
139.在一个示例性的实施例中，如图5所示，本实施例的装置包括：获取模块110、第一确定模块120、第二确定模块130和校准模块210。本实施例的装置用于实现如图3所示的方法。其中，校准模块210用于：基于对所述工艺参数中的所述多种工艺影响因子对应的参数设定的阈值范围和/或，根据所述工艺参数中的所述多种工艺影响因子对静电值的影响变化关系，校准预设静电值对应的工艺参数，获得参考工艺参数；响应于参考工艺参数的静电值保持在参考范围，确定采用参考工艺参数进行撕膜。
140.本实施例中，校准模块210具体用于：获取第二模型，第二模型为基于工艺参数中多种工艺影响因子对静电值的影响变化关系，以及多种工艺影响因子之间的影响变化关系确定；根据第二模型校准所述预设静电值对应的所述工艺参数，获得参考工艺参数。
141.如图6所示是一种电子设备的框图。本公开还提供了一种电子设备，例如，设备500可以是移动电话，计算机，数字广播终端，消息收发设备，游戏控制台，平板设备，医疗设备，健身设备，个人数字助理等。
142.设备500可以包括以下一个或多个组件：处理组件502，存储器504，电力组件506，多媒体组件508，音频组件510，输入/输出(i/o)的接口512，传感器组件514，以及通信组件516。
143.处理组件502通常控制设备500的整体操作，诸如与显示，电话呼叫，数据通信，相机操作和记录操作相关联的操作。处理组件502可以包括一个或多个处理器520来执行指令，以完成上述的方法的全部或部分步骤。此外，处理组件502可以包括一个或多个模块，便
于处理组件502和其他组件之间的交互。例如，处理组件502可以包括多媒体模块，以方便多媒体组件508和处理组件502之间的交互。
144.存储器504被配置为存储各种类型的数据以支持在设备500的操作。这些数据的示例包括用于在设备500上操作的任何应用程序或方法的指令，联系人数据，电话簿数据，消息，图片，视频等。存储器504可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器(sram)，电可擦除可编程只读存储器(eeprom)，可擦除可编程只读存储器(eprom)，可编程只读存储器(prom)，只读存储器(rom)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
145.电力组件506为设备500的各种组件提供电力。电力组件506可以包括电源管理系统，一个或多个电源，及其他与为装置500生成、管理和分配电力相关联的组件。
146.多媒体组件508包括在设备500和用户之间的提供一个输出接口的屏幕。在一些实施例中，屏幕可以包括液晶显示器(lcd)和触摸面板(tp)。如果屏幕包括触摸面板，屏幕可以被实现为触摸屏，以接收来自用户的输入信号。触摸面板包括一个或多个触摸传感器以感测触摸、滑动和触摸面板上的手势。触摸传感器可以不仅感测触摸或滑动动作的边界，而且还检测与触摸或滑动操作相关的持续时间和压力。在一些实施例中，多媒体组件508包括一个前置摄像头和/或后置摄像头。当设备500处于操作模式，如拍摄模式或视频模式时，前置摄像头和/或后置摄像头可以接收外部的多媒体数据。每个前置摄像头和后置摄像头可以是一个固定的光学透镜系统或具有焦距和光学变焦能力。
147.音频组件510被配置为输出和/或输入音频信号。例如，音频组件510包括一个麦克风(mic)，当设备500处于操作模式，如呼叫模式、记录模式和语音识别模式时，麦克风被配置为接收外部音频信号。所接收的音频信号可以被进一步存储在存储器504或经由通信组件516发送。在一些实施例中，音频组件510还包括一个扬声器，用于输出音频信号。
148.i/o接口512为处理组件502和外围接口模块之间提供接口，上述外围接口模块可以是键盘，点击轮，按钮等。这些按钮可包括但不限于：主页按钮、音量按钮、启动按钮和锁定按钮。
149.传感器组件514包括一个或多个传感器，用于为设备500提供各个方面的状态评估。例如，传感器组件514可以检测到设备500的打开/关闭状态，组件的相对定位，例如组件为设备500的显示器和小键盘，传感器组件514还可以检测设备500或设备500一个组件的位置改变，用户与设备500接触的存在或不存在，设备500方位或加速/减速和装置500的温度变化。传感器组件514可以包括接近传感器，被配置用来在没有任何的物理接触时检测附近物体的存在。传感器组件514还可以包括光传感器，如cmos或ccd图像传感器，用于在成像应用中使用。在一些实施例中，该传感器组件514还可以包括加速度传感器，陀螺仪传感器，磁传感器，压力传感器或温度传感器。
150.通信组件516被配置为便于设备500和其他设备之间有线或无线方式的通信。设备500可以接入基于通信标准的无线网络，如wifi，2g或3g，或它们的组合。在一个示例性实施例中，通信组件516经由广播信道接收来自外部广播管理系统的广播信号或广播相关信息。在一个示例性实施例中，通信组件516还包括近场通信(nfc)模块，以促进短程通信。例如，在nfc模块可基于射频识别(rfid)技术，红外数据协会(irda)技术，超宽带(uwb)技术，蓝牙(bt)技术和其他技术来实现。
151.在示例性实施例中，设备500可以被一个或多个应用专用集成电路(asic)、数字信号处理器(dsp)、数字信号处理设备(dspd)、可编程逻辑器件(pld)、现场可编程门阵列(fpga)、控制器、微控制器、微处理器或其他电子元件实现，用于执行上述的方法。
152.本公开另一个示例性实施例中提供的一种非临时性计算机可读存储介质，例如包括指令的存储器504，上述指令可由设备500的处理器520执行以完成上述方法。例如，计算机可读存储介质可以是rom、随机存取存储器(ram)、cd-rom、磁带、软盘和光数据存储设备等。当存储介质中的指令由电子设备的处理器执行时，使得电子设备能够执行上述的方法。
153.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本技术旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
154.应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。