吸附盒的制作方法

1.本发明涉及半导体装备技术领域，特别涉及一种吸附盒。


背景技术：

2.半导体器件在装设在现有的吸附盒内后，半导体器件往往较牢固地吸附在吸附盒内，在需要取出半导体器件时，半导体器件通常较难取出，甚至会出现半导体器件碎裂的情况。


技术实现要素：

3.本发明的目的在于提供一种吸附盒，以解决半导体器件较难从吸附盒内取出的技术问题。
4.本发明提供一种吸附盒，用于放置半导体器件，包括：盒体，所述盒体包括底壁和侧壁；在所述盒体内的所述底壁上设置有吸附层，用于将所述半导体器件吸附在所述盒体内；所述底壁上还设置有凹槽和通道，所述通道的一端与所述凹槽连通，所述通道的另一端与所述盒体外部连通，所述凹槽贯穿所述吸附层至所述盒体内部。本技术中通过在盒体的底壁上设置凹槽与通道，凹槽与通道连通，在需要从吸附盒内取出半导体器件时，通过通道向凹槽内充入气体，凹槽内的气体压强逐渐增大，凹槽内的气体作用在半导体器件上的作用力增大，大大减少了需要拾取半导体器件的作用力，避免了半导体器件在吸附盒内难以取出，或者强行取出半导体器件时，半导体器件容易碎裂的情况。
5.其中，所述底壁包括底板，所述底板与所述侧壁连接，所述凹槽与所述通道设于所述底板上。如此，通过将凹槽与通道设于底板上，盒体的结构简单，成本低。
6.其中，所述凹槽包括一个槽体，所述槽体的形状为圆形、椭圆形、方形、菱形、三角形、多边形的一种。上述任意形状的槽体均可以提供容纳气体的容纳腔，使得气体作用在半导体器件上，方便于半导体器件的取出。
7.其中，所述凹槽包括多个相互连通的槽体。如此，通过向多个相互连通的槽体内充入气体，多个槽体内的气体作用在半导体器件上的作用力更大，且作用力更加分散平均，大大减少了需要拾取半导体器件的作用力，且增大了拾取半导体器件的稳定性。
8.其中，多个所述槽体间隔分布；或者，多个所述槽体等间隔分布；或者，多个所述槽体绕着所述底壁的中心设置；或者，多个所述槽体绕着所述底壁的中心等角度设置。如此，气体可以提供分散的作用力，半导体器件上的作用力更加分散，使得半导体器件受力均匀稳定。
9.其中，多个所述槽体为环形槽体，或者，多个所述槽体为柱形槽体。本技术中，通过设置多个槽体为环形槽体或者柱形槽体，可以控制多个槽体内的气体量，进而可以控制凹槽内的气体压强，可以按照需求控制作用在半导体器件上的气体压强。
10.其中，所述底板上设置有多个凹槽和多个通道，所述多个凹槽和所述多个通道一一对应连通。如此，多个凹槽和多个通道一一对应连通，增加了凹槽的数量，更方便于向凹
槽内充入气体，多个凹槽与多个通道的设置也可以减少气体压强达到预设压强的时间，节约成本。
11.其中，所述底壁还包括承载板，所述承载板设于所述底板上，所述吸附层设于所述承载板上，所述通道与所述凹槽均设于所述承载板上，所述凹槽依次贯穿所述承载板与所述吸附层至所述盒体内部。如此，在盒体的底壁上不方便设置凹槽与通道的情况下，可以在承载板上设置凹槽与通道，增加了盒体的灵活性。
12.其中，所述吸附盒还包括：充气装置，所述充气装置设于所述盒体外，所述充气装置与所述通道连接，用于通过所述通道向所述凹槽内充入气体。本技术中，充气装置用于提供气体，进而可以使得气体依次穿过通道和凹槽后，作用在半导体器件上，方便于半导体器件的拾取。
13.其中，所述吸附盒还包括盖体，所述盖体与所述盒体连接。盖体用于盖合盒体以方便于半导体器件的运输。
14.综上所述，本技术通过在盒体的底壁上设置凹槽与通道，凹槽与通道连通，在需要从吸附盒内取出半导体器件时，通过通道向凹槽内充入气体，凹槽内的气体压强逐渐增大，凹槽内的气体作用在半导体器件上的作用力增大，大大减少了需要拾取半导体器件的作用力，避免了半导体器件在吸附盒内难以取出，或者强行取出半导体器件时，半导体器件容易碎裂的情况。
附图说明
15.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
16.图1是本发明实施例提供的吸附盒的结构示意图。
17.图2是半导体器件放置于吸附盒内的结构示意图。
18.图3是本发明一个实施例的吸附盒的截面结构示意图。
19.图4是凹槽的第一种结构示意图。
20.图5是凹槽的第二种结构示意图。
21.图6是凹槽的第三种结构示意图。
22.图7是凹槽的第四种结构示意图。
23.图8是多个通道的结构示意图。
24.图9是本发明另一个实施例的吸附盒的截面结构示意图。
25.附图标记说明：
26.10-半导体器件
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20-盒体
27.202-侧壁
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402-吸附层
28.50-凹槽
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501-通道
29.201-底板
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502-槽体
30.401-承载板
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60-充气装置
31.70-盖体
具体实施方式
32.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
33.参考图1-图2，本发明提供一种吸附盒，用于放置半导体器件10，包括：盒体20，盒体20包括底壁和侧壁202；在盒体20内的底壁上设置有吸附层402，用于将半导体器件10吸附在盒体20内；底壁上还设置有凹槽50和通道501，通道501的一端与凹槽50连通，通道501的另一端与盒体20外部连通，凹槽50贯穿吸附层402至盒体20内部。可以理解的是，通道501连通凹槽50与外界。半导体器件10可以为晶圆片、蓝宝石片、石英片等。凹槽50的具体尺寸根据半导体器件10的尺寸确定，即半导体器件10的尺寸大于凹槽50的开口尺寸即可，即凹槽50的开口尺寸可使得半导体器件10盖合即可。通道501的尺寸根据所需预设气体压强值以及到达预设压强值的时间确定。本技术在此不限定凹槽50的开口尺寸与通道501的尺寸。
34.本技术中，通过在盒体20的底壁上设置凹槽50与通道501，凹槽50与通道501连通，在需要从吸附盒内取出半导体器件10时，通过通道501向凹槽50内充入气体，凹槽50内的气体压强逐渐增大，凹槽50内的气体作用在半导体器件10上的作用力增大，大大减少了需要拾取半导体器件10的作用力，避免了半导体器件10在吸附盒内难以取出，或者强行取出半导体器件10时，半导体器件10容易碎裂的情况。可选地，可以采用镊子将半导体器件10轻易取出。在图2中，凹槽50内的气体作用在半导体器件10上的作用力为朝上的作用力。凹槽50以及凹槽50周围的至少部分吸附层402所在区域为半导体器件10的放置区，在半导体器件10放置在盒体20内时，半导体器件10盖合凹槽50。
35.可以理解的是，吸附层402为胶层，胶层用于粘接半导体器件10。胶层可以稳固地将半导体器件10吸附粘接，以固定半导体器件10，方便于半导体器件10的运输与搬运等。一旦半导体器件10接触胶层就自动被吸附在胶层表面上。胶层具有较强的吸附力，在胶层和半导体器件10之间形成较大的接触表面，即使盒体20倾斜或震动也不会使半导体器件10脱落。
36.本技术中，凹槽50和通道501的设置，可以使得气体通过通道501和进入凹槽50内，进而作用在半导体器件10上，气体作用在半导体器件10上的作用力可以抵消胶层对半导体器件10的粘结力，大大减少了需要拾取半导体器件10的作用力，避免了半导体器件10在吸附盒内不能取出，或者强行取出半导体器件10时，半导体器件10容易碎裂的情况。
37.请参阅图3，在某些实施例中，底壁包括底板201，底板201与侧壁202连接，凹槽50与通道501设于底板201上。如此，通过将凹槽50与通道501设于底板201上，盒体20的结构简单，成本低。
38.可选地，通道501可以沿盒体20的轴向设置，如此，通道501的长度较短，容易形成。可选地，通道501可以沿盒体20的径向设置，如此，来自于通道501的气体在通道501与凹槽50的连接处发生弯折缓冲，作用在半导体器件10上的压力更加平均稳定，避免气体直接对准半导体器件10导致作用在半导体器件10上的局部作用力太大的技术问题。
39.在某些实施例中，凹槽50包括一个槽体502，槽体502的形状为圆形、椭圆形、方形、菱形、三角形、多边形的一种。可以理解的是，槽体502在底板201上的投影形状为上述圆形、
椭圆形、方形、菱形、三角形、多边形的一种。上述任意形状的槽体502均可以提供容纳气体的容纳腔，使得气体作用在半导体器件10上，方便于半导体器件10的取出。在图4中，槽体502的形状可以为方形；在图5中，槽体502的形状为圆形，当然还可以为其他形状。
40.在某些实施例中，凹槽50包括多个相互连通的槽体502。如此，通过向多个相互连通的槽体502内充入气体，多个槽体502内的气体作用在半导体器件10上的作用力更大，且作用力更加分散平均，大大减少了需要拾取半导体器件10的作用力，且增大了拾取半导体器件10的稳定性。
41.在某些实施例中，多个槽体502间隔分布。如此，间隔分布的多个槽体502可以提供分散的作用力。
42.在某些实施例中，多个槽体502等间隔分布。如此，等间隔分布的多个槽体502可以提供分散且平均的作用力，使得半导体器件10受力均匀稳定。
43.在某些实施例中，多个槽体502绕着底壁的中心设置。如此，绕着底板201的中心设置的所多个述槽体502可以使得半导体器件10的周缘部分受力分散。
44.在某些实施例中，多个槽体502绕着底壁的中心等角度设置。如此，绕着底板201的中心等角度设置的多个槽体502可以使得半导体器件10的周缘部分受力分散且平均，使得半导体器件10的周缘部分受力均匀稳定。
45.请参阅图6，在某些实施例中，多个槽体502为环形槽体502。可以理解的是，多个环形槽体502依次套设或者依次设置。多个环形槽体502中的至少两个连通，或者多个环形槽体502均不连通。
46.在某些实施例中，多个槽体502为柱形槽体502。可以理解的是，多个柱形槽体502依次套设或者依次设置。多个柱形槽体502中的至少两个连通，或者多个环形槽体502均不连通。
47.本技术中，通过设置多个槽体502为环形槽体502或者柱形槽体502，可以控制多个槽体502内的气体量，进而可以控制凹槽50内的气体压强，可以按照需求控制作用在半导体器件10上的气体压强。可以理解的是，多个槽体502的形状还可以为其他预设图案，凹槽50可以通过等离子体干法刻蚀形成。
48.请参阅图7，在某些实施例中，底板201上设置有多个凹槽50和多个通道501，多个凹槽50和多个通道501一一对应连通。
49.如此，多个凹槽50和多个通道501一一对应连通，增加了凹槽50的数量，更方便于向凹槽50内充入气体，多个凹槽50与多个通道501的设置也可以减少气体压强达到预设压强的时间，节约成本。
50.请参阅图8，在某些实施例中，凹槽50为一个，通道501为多个，多个通道501均与凹槽50连通。可以理解的是，多个通道501绕着凹槽50的中心间隔设置，多个通道501呈辐射状设置。如此，增加了通道501的数量，更方便于向凹槽50内充入气体，多个通道501的设置也可以减少凹槽50内的气体压强达到预设压强的时间，节约成本。
51.请参阅图9，在某些实施例中，底壁还包括承载板401，承载板401设于底板201上，吸附层402设于承载板401上，通道501与凹槽50均设于承载板401上，凹槽50依次贯穿承载板401与吸附层402至盒体20内部。如此，在盒体20的底壁上不方便设置凹槽50与通道501的情况下，可以在承载板401上设置凹槽50与通道501，增加了盒体20的灵活性。而且，在承载
板401上设置凹槽50与通道501，可以通过调节承载板401的厚度调节凹槽50与通道501的深度与开口尺寸，方便于凹槽50与通道501的制作。
52.在图9中，凹槽50轴向贯穿承载板401。如此，凹槽50贯穿承载板401，凹槽50方便制作，而且凹槽50的体积较大，凹槽50内的气体压强较大，作用在半导体器件10上的作用力较大，半导体器件10更容易取出。可以理解的是，承载板401上的通道501可以轴向设置或者径向设置。
53.在某些实施例中，吸附盒还包括：充气装置60，充气装置60设于盒体20外，充气装置与通道501连接，用于通过通道501向凹槽50内充入气体。可以理解的是，充气装置60可以设置在底壁上，也可以设置在侧壁202上。充气装置60可以为气泵等。本技术中，充气装置60用于提供气体，进而可以使得气体依次穿过通道501和凹槽50后，作用在半导体器件10上，方便于半导体器件10的拾取。
54.在某些实施方式中，吸附盒还包括盖体70，盖体70与盒体20连接。可以理解的是，盖体70与盒体20转动连接，在半导体器件10装入在盒体20内时，盖体70盖合盒体20，在需要取出半导体器件10时，可以将盖体70打开。盖体70用于盖合盒体20以方便于半导体器件10的运输。
55.使用时，将半导体器件10放置在盒体20内，且使得吸附在吸附层402上，半导体器件10的边缘位于凹槽50周围的至少部分吸附层402上，即半导体器件10覆盖凹槽50。充气装置60通过通道501向凹槽50内充入气体，充入的气体可以为空气，或者惰性气体，如氮气、氦气等。用镊子从吸附层上夹取半导体器件10。如此，可以轻易将半导体器件1-0取出，避免了半导体器件10在吸附盒内难以取出，或者强行取出半导体器件10时，半导体器件10容易碎裂的情况。
56.除了上述的吸附盒，本发明还可以提供一种吸附盒的制备方法。本发明实施例的吸附盒及吸附盒的制备方法都可以实现本发明的优点，二者可以一起使用，当然也可以单独使用，本发明对此没有特别限制。在一种具体的实施例中，吸附盒由上述的吸附盒的制备方法制备形成。
57.在某些实施例中，吸附盒的制备方法如下：
58.s1，提供盒体20，盒体20包括底壁和侧壁202；
59.s2，在盒体20内的底壁上设置吸附层402，其中，吸附层402用于将半导体器件10吸附在盒体20内；
60.s3，在底壁上设置凹槽50和通道501，其中，通道501的一端与凹槽50连通，通道501的一端另一端与盒体20外部连通，凹槽50贯穿吸附层402至盒体20内部。
61.本技术的上述吸附盒的制备方法，通过在盒体20的底壁上设置凹槽50与通道501，凹槽50与通道501连通，在需要从吸附盒内取出半导体器件10时，通过通道501向凹槽50内充入气体，凹槽50内的气体压强逐渐增大，凹槽50内的气体作用在半导体器件10上的作用力增大，大大减少了需要拾取半导体器件10的作用力，避免了半导体器件10在吸附盒内难以取出，或者强行取出半导体器件10时，半导体器件10容易碎裂的情况。
62.在某些实施例中，底壁包括底板201，底板201与侧壁202连接；“在底壁上设置凹槽50和通道501”包括：
63.在底板201上设置凹槽50与通道501。如此，通过将凹槽50与通道501设于底板201
上，盒体20的结构简单，成本低。可选地，通道501可以沿盒体20的轴向设置，如此，通道501的长度较短，容易形成。可选地，通道501可以沿盒体20的径向设置，如此，来自于通道501的气体在通道501与凹槽50的连接处发生弯折缓冲，作用在半导体器件10上的压力更加平均稳定，避免气体直接对准半导体器件10导致作用在半导体器件10上的局部作用力太大的技术问题。
64.在某些实施例中，底壁还包括承载板401，承载板401设于底板201上，吸附层402设于承载板401上；“在底壁上设置凹槽50和通道501”包括：
65.在承载板401上设置通道501与凹槽50，其中，凹槽50依次贯穿承载板401与吸附层402至盒体20内部。如此，在盒体20的底壁上不方便设置凹槽50与通道501的情况下，可以在承载板401上设置凹槽50与通道501，增加了盒体20的灵活性。而且，在承载板401上设置凹槽50与通道501，可以通过调节承载板401的厚度调节凹槽50与通道501的深度与开口尺寸，方便于凹槽50与通道501的制作。
66.可选地，凹槽50轴向贯穿承载板401。如此，凹槽50贯穿承载板401，凹槽50方便制作，而且凹槽50的体积较大，凹槽50内的气体压强较大，作用在半导体器件10上的作用力较大，半导体器件10更容易取出。可以理解的是，承载板401上的通道501可以轴向设置或者径向设置。
67.以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。