一种硅片烘干装置的制作方法

本实用新型涉及太阳能电池生产技术领域，尤其涉及一种硅片烘干装置。

背景技术：

在太阳能电池的生产过程中，硅片需要依次经过制绒、扩散、刻蚀、镀膜以及印刷等工序，在制绒工序中，需要将硅片浸于反应溶液中，使硅片表面腐蚀形成绒面。制绒完成后的扩散工序中，需要硅片脱完干燥。因此，在制绒工序完成后需要清洗硅片并烘干去除硅片表面的水渍。

如图1所示，为现有的槽式烘干装置，其包括槽体1’，槽体1’的底部设置有多根用于向上吹出热风的风管2’，用于承放硅片的花篮则搭放于风管2’的上方。由于重力作用，硅片表面留存的水会向下流动，而风管2’向上吹风，在风力作用下，硅片表面的大部分水不会滴落，而是需要被热风逐渐加热蒸发，导致硅片的烘干时间较长。

此外，硅片表面的水滴汇流并直接滴落在槽体1’的底部或风管2’上，形成飞溅，部分飞溅的水滴会再次挂附在硅片表面，甚至会携带槽体1’底部的异物，污染硅片。

因此，上述问题亟待解决。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种硅片烘干装置，其能够快速地烘干硅片。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种硅片烘干装置，包括：

槽体，所述槽体具有开口朝上的容腔，所述容腔用于容置承放待烘干硅片的花篮，所述槽体的底部设置有出风部，所述出风部与所述容腔连通；

风管，围设于所述容腔的开口处，所述风管具有朝向所述容腔内部开设的风孔，所述风管能通过所述风孔向所述容腔内提供热风；

盖板，与所述槽体活动连接，以打开或关闭所述容腔的开口；

以及排风机构，所述排风机构与所述出风部连通，以在所述排风机构工作时使所述容腔内形成负压。

作为优选，所述槽体内底壁铺设有能防止水滴飞溅的缓冲部，所述容腔通过所述缓冲部与所述出风部连通。

作为优选，所述缓冲部为镂空的网格结构或蓬松的卷丝结构。

作为优选，所述槽体的内侧壁或内底壁设置有用于承载所述花篮的承载部，以使所述花篮的底部高于所述缓冲部。

作为优选，所述承载部包括用于共同承载所述花篮的第一承块和第二承块，所述第一承块高于所述第二承块，以使所述花篮内的硅片能够被倾斜地放置。

作为优选，所述第一承块和所述第二承块具有用于卡持所述花篮的边缘的卡槽。

作为优选，所述风孔呈喇叭状。

作为优选，所述风孔沿所述风管的长度方向呈阵列排布。

作为优选，所述风孔呈两排设置，两排所述风孔的孔径不同。

作为优选，所述盖板与所述槽体铰接。

本实用新型的有益效果：

本实用新型提供的硅片烘干装置，由于风管设置于槽体顶部的开口处，风管吹出的热风整体向下流动并由槽体底部设置的出风部排出，从而不仅能够加热蒸发硅片表面留存的水，而且由于热风自上而下的流动方向与水滴自然滴落的方向一致，能够有助于吹扫挂附于硅片表面的水滴，从而得以快速地烘干硅片。

附图说明

图1是现有的槽式烘干装置的结构示意图；

图2是本实用新型实施例中的硅片烘干装置的结构示意图；

图3是本实用新型实施例中的风管的结构示意图；

图4是本实用新型实施例中的风管的剖面结构示意图。

图中：

1、1’,槽体；2、2’，风管；21、风孔；3、承载部；31、第一承块；32、第二承块；33、卡槽；

10、容腔。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。

请参阅图2，本实施例提供了一种硅片烘干装置，其能够应用于太阳能电池生产过程中，如对完成清洗的硅片进行快速烘干，以便于硅片的后续加工。

该硅片烘干装置包括槽体1和风管2。槽体1具有开口朝上的容腔10，容腔10用于容置承放待烘干硅片的花篮(图中未示出)，槽体1的底部设置有出风部(图中未示出)，出风部与容腔10连通。风管2围设于容腔10的开口处，风管2具有朝向容腔10内部开设的风孔21，风管2能通过风孔21向容腔10内提供热风。例如，容腔10的横截面可以呈矩形，容腔10开口处的四边上均设置有风管2，以使风管2能够向容腔10内提供均匀的热风。

硅片烘干装置还包括盖板(图中未示出)和排风机构(图中未示出)，盖板可以通过铰接等方式与槽体1活动连接，以打开或关闭容腔10的开口，使容腔10的开口被关闭后形成一个相对密闭的空间。排风机构与出风部连通，以在排风机构工作时能够持续地排出容腔10内的空气，使容腔10内形成负压。

具体地，风管2可以与能够提供热风的供风设备相连，使排风机构的排风量大于供风设备的供风量即可使容腔10内形成负压。或者，风管2内可以设置电阻丝等加热元件，其进气端与大气连通，排风机构工作时，自然持续地使容腔10内形成负压，以使槽体1外界的空气能够通过风管2的进气端进入风管2，并在被加热元件加热后经风孔21流入容腔10加热及吹扫硅片。

由于风管2设置于槽体1顶部的开口处，其吹出的热风整体向下流动并由槽体1底部设置的出风部排出，从而不仅能够加热蒸发硅片表面留存的水，而且由于热风自上而下的流动方向与水滴自然滴落的方向一致，能够有助于吹扫挂附于硅片表面的水滴，从而得以快速地烘干硅片。

热风吹扫挂附于硅片表面的水滴，会使水滴自硅片上滴落，滴落的水滴与下方障碍物碰撞后，其势能转变成水滴向四周运动的能量，而流动中的水周围的空气的压力即为水分子向四周运动的阻力，部分水分子与空气摩擦后向上运动，即产生水滴的飞溅现象。进而可知，环境空气压力越大，水滴在下方障碍物上铺开的过程的阻力则越大，从而水滴飞溅的程度也就大，反之，如能减小周围的空气的压力，则即能减轻其水滴飞溅的情况。因此，在排风机构工作时，容腔10内的负压状态可以减轻自硅片上滴落的水滴与槽体1接触后飞溅情况，从而降低飞溅的水滴再次挂附于硅片上的概率。

在一个优选的实施方式中，槽体1内底壁可以铺设能防止水滴飞溅的缓冲部(图中未示出)，容腔10通过缓冲部与出风部连通。具体地，缓冲部可以为镂空的网格结构，如透气性良好的网状编织物等，以确保自硅片滴落的水滴不会飞溅。更优地，缓冲部还可以为蓬松的卷丝结构，如卷丝垫等，不仅具有较好的防水溅和通风效果，其多孔结构能够容存异物，防止槽体1底部留存的异物被热风裹挟吹起后污染硅片，并且蓬松的卷丝结构也便于人工取出槽体1进行清洗或更换。

为了确保花篮底部能够通风，槽体1的内侧壁或内底壁可以设置用于承载花篮的承载部3，以使花篮的底部高于缓冲部。承载部3可以包括分别设置于槽体1相对的两个内侧壁上的第一承块31和第二承块32，第一承块31和第二承块32用于共同承载花篮。

硅片放置在花篮时，硅片一般呈正背两表面垂直于水平面、上下两边沿平行于水平面的姿态。由于水滴的张力作用，自硅片的正、背两表面流下的水滴会挂附在硅片的下边沿上而不会滴落，往往在完成烘干后，硅片的下边沿仍挂附有未蒸发或滴落的水滴。因此，在一个优选的实施方式中，第一承块31可以高于第二承块32，以使花篮能够被倾斜地放置，使花篮内的硅片的下边沿一侧高、一侧低，从而使硅片在空间上具有一个位置最低的边角处，硅片的正、背两表面流下的水滴在流至硅片的边沿后，能够在重力或热风的吹动下继续流至该边角处，从而汇流并滴落。

可选地，第一承块31和第二承块32均可以具有用于卡持花篮的边缘的卡槽33。将花篮的底部卡在第一承块31和第二承块32的卡槽33内，可避免花篮晃动，便于花篮中的硅片有效地被吹干。

请参阅图3和图4，为了使风管2吹出的热风能够均匀且分散地吹向花篮内的硅片，风孔21可以呈喇叭状。截面逐渐变大的喇叭状的风孔21可提升风管2的出风的面积，且由于风管2环绕地围设在容腔10的开口处，风孔21吹出的热风还能与其他风孔21吹出的热风均匀地混流，使花篮内的各个硅片能够被均匀地加热和吹扫，从而使硅片在短时间内待烘干，大大缩短烘干所需时间。

可选地，风孔21可以沿风管2的长度方向呈阵列排布。例如，风孔21可以呈两排设置，两排风孔21的孔径可以不同，从而进一步提升容腔10内热风的混流效果。当然地，在其他可选的实施方式中，风孔21还可以以其他的阵列形式排布，例如多排风孔21交错设置等。

显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为了清楚说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。