晶片清洗烘干装置的制作方法

1.本技术涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种晶片清洗烘干装置。


背景技术：

2.在半导体集成电路制造过程中，需要对晶片衬底进行多种不同的工序操作，以加工形成半导体器件。
3.化学机械研磨工艺(chemical mechanical polishing，cmp)是半导体集成电路制造过程重要的工艺之一，其通过化学机械研磨过程使得晶片表面平坦化。在对晶片进行化学机械研磨操作后，晶片的表面会残留有碎屑，需要通过清洗烘干装置进行清洗去除并对残留的清洗液进行烘干。
4.相关技术中的晶片清洗烘干装置，其通过传感器感应到晶片，以开始对该晶片进行清洗烘干操作，但是在进行前次的清洗烘干操作时，该晶片清洗烘干装置中的清洗液难免会溅到清洗烘干腔外，而溅到清洗烘干腔外的清洗液会对传感器造成干扰，使得传感器感应失灵，进而对后续的清洗烘干操作造成不利影响。


技术实现要素：

5.本技术提供了一种晶片清洗烘干装置，可以解决相关技术中溅到清洗烘干腔外的清洗液会对传感器造成干扰，使得传感器感应失灵，进而对后续的清洗烘干操作造成不利影响的问题。
6.为了解决背景技术中所述的技术问题，本技术提供一种晶片清洗烘干装置，所述晶片清洗烘干装置包括：
7.清洗烘干腔体，所述清洗烘干腔体的上端开口形成入口端，靠近所述入口端的所述清洗烘干腔体的腔壁内侧设有烘干喷头，靠近所述入口端的所述清洗烘干腔体的腔壁外侧设有溅出液导流槽体。
8.可选地，所述清洗烘干腔体周围设有晶片传感器，所述溅出液导流槽体位于在所述晶片传感器和所述清洗烘干腔体之间。
9.可选地，所述清洗烘干腔体中存储有清洗液，所述烘干喷头位于所述清洗液的液面上。
10.可选地，所述溅出液导流槽体的槽壁的上端开口，所述溅出液导流槽体的槽壁上端开口位置处形成内凹坡度。
11.可选地，所述溅出液导流槽体的底端设有底板，所述底板的一端开设有导流孔。
12.可选地，所述底板由远离所述导流孔的一端，至所述导流孔所在的一端，形成下流坡。
13.可选地，所述导流孔还连接有溅出液收集装置。
14.可选地，所述烘干喷头设于所述清洗烘干腔体的腔壁内相对的两侧上。
15.本技术技术方案，至少包括如下优点：本实施例中的溅出液导流槽体用于收集溅
到清洗烘干腔体外的清洗液，避免溢漏的清洗液污染台面导致传感器失灵的问题。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1示出了本技术一实施例提供的晶片清洗烘干装置结构示意图；
18.图2示出了溅出液导流槽体的槽壁上端部结构示意图。
具体实施方式
19.下面将结合附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
20.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
21.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
22.此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
23.图1示出了本技术一实施例提供的晶片清洗烘干装置结构示意图。从图1中可以看出，该晶片清洗烘干装置包括清洗烘干腔体100。
24.该清洗烘干腔体100的上端开口形成入口端110，靠近所述入口端110的所述清洗烘干腔体100的腔壁内侧设有烘干喷头120，靠近所述入口端110的所述清洗烘干腔体100的腔壁外侧设有溅出液导流槽体130。
25.其中，清洗烘干腔体100中可以存储有清洗液，在晶片置于该清洗烘干腔体100的清洗液中时，进行晶片清洗操作。该烘干喷头120用于在晶片清洗操作完成后，烘干晶片表面残留的清洗液。在对晶片进行清洗和烘干操作过程中，清洗烘干腔体100中的清洗液难免溅到清洗烘干腔体100外，该溅出液导流槽体130用于收集溅到清洗烘干腔体100外的清洗液，避免溢漏的清洗液污染台面导致传感器失灵。
26.可选地，图1中所示的烘干喷头120位于清洗液的液面上，避免清洗液浸没烘干喷头120而导致烘干失效。该烘干喷头120可以包括两组，该两组烘干喷头120分别设于如图1
所示清洗烘干腔体100的腔壁内相对的两侧上。
27.继续参照图1，该清洗烘干腔体100的周围设有晶片传感器200，该溅出液导流槽体130位于在所述晶片传感器200和所述清洗烘干腔体100之间。该晶片传感器200用于感应晶片。
28.图2示出了溅出液导流槽体的槽壁上端部结构示意图，结合图2和图1可以看出，溅出液导流槽体130的槽壁131的上端开口，所述溅出液导流槽体130的槽壁131上端开口位置处形成内凹坡度。从图2中可以看出，溅出液能够沿着该内凹坡度的坡度方向向下滑落至溅出液导流槽体130的槽内，起到导流的作用。
29.该溅出液导流槽体130的底端设有底板132，所述底板132的一端开设有导流孔133。流入该溅出液导流槽体130中的清洗液能够从该导流孔133流出，避免流出的液体污染传感器。
30.为了使得流入该溅出液导流槽体130中的清洗液能够充分地从该导流孔133流出，所述底板132由远离所述导流孔133的一端，至所述导流孔133所在的一端，形成下流坡。溅出液导流槽体130中收集的清洗液能够沿着该下流坡流向该导流孔133，并从该导流孔133中流出。
31.可选地，该导流孔133的下端还连接有溅出液收集装置(图中未示出)。该溅出液收集装置用于收集从该导流孔133中流出的清洗液。
32.本实施例中的溅出液导流槽体的长度大于该清洗烘干腔体的长度。
33.在对晶片进行清洗和烘干操作过程中，清洗烘干腔体100中的清洗液难免溅到清洗烘干腔体100外，本实施例中的溅出液导流槽体130用于收集溅到清洗烘干腔体100外的清洗液，避免溢漏的清洗液污染台面导致传感器失灵的问题。
34.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本技术创造的保护范围之中。