1.一种半导体熔炼炉，其特征在于：包括壳体（1）和安装于壳体（1）内的异形坩埚（11），所述壳体（1）底部设置有摆动组件（2），所述异形坩埚（11）具有加热腔（12），所述异形坩埚（11）开设有与所述加热腔（12）连通的进料口（111）和出料口（112），所述加热腔（12）内固定有固液分离板（13），所述加热腔（12）还设置有混料凸起（14）。
2.根据权利要求1所述的一种半导体熔炼炉，其特征在于：所述摆动组件（2）包括主动单元（21）和从动单元（22），所述主动单元（21）包括驱动件（211）、第一支架（212）和第一摆动杆（213），所述第一摆动杆（213）的一端与所述第一支架（212）转动连接，所述第一摆动杆（213）的另一端与所述壳体（1）转动连接，所述驱动件（211）的输出端能够驱动所述第一摆动杆（213）相对所述第一支架（212）转动。
3.根据权利要求2所述的一种半导体熔炼炉，其特征在于：所述从动单元（22）包括第二支架（221）和第二摆动杆（222），所述第二摆动杆（222）的一端与所述第二支架（221）转动连接，所述第二摆动杆（222）的另一端与所述壳体（1）转动连接；所述第一摆动杆（213）、壳体（1）和第二摆动杆（222）构成双摇杆机构。
4.根据权利要求3所述的一种半导体熔炼炉，其特征在于：所述壳体（1）还设置有与所述第一摆动杆（213）转动连接的第一联动杆（214）和与所述第二摆动杆（222）转动连接的第二联动杆（223）；所述异形坩埚（11）内开设有第一移动腔（216），所述第一移动腔（216）内移动设置有第一移动板（215），所述第一移动板（215）固定有与所述第一联动杆（214）滑动连接的第一固定杆（217），所述第一联动杆（214）与所述第一摆动杆（213）之间设置有第一延迟单元（3），所述第一摆动杆（213）转动时能够驱动第一联动杆（214）转动，使第一联动杆（214）能够驱动所述第一移动板（215）在第一移动腔（216）内移动；所述异形坩埚（11）内开设有第二移动腔（225），所述第二移动腔（225）内移动设置有第二移动板（224），所述第二移动板（224）固定有与所述第二联动杆（223）滑动连接的第二固定杆（226），所述第二联动杆（223）与所述第二摆动杆（222）之间设置有第二延迟单元（4），所述第二摆动杆（222）转动时能够驱动第二联动杆（223）转动，使第二联动杆（223）能够驱动所述第二移动板（224）在第二移动腔（225）内移动；所述混料凸起（14）具有多个，多个所述混料凸起（14）分别固定设置于所述第一移动板（215）和所述第二移动板（224），所述第一移动板（215）和所述第二移动板（224）移动时，所述混料凸起（14）能够在加热腔（12）内移动。
5.根据权利要求4所述的一种半导体熔炼炉，其特征在于：第一延迟单元（3）包括第一延迟弹性件（31）和固定于所述第一联动杆（214）的第一延迟板（32），所述第一摆动杆（213）开设有第一延迟槽（33），所述第一延迟板（32）位于所述第一延迟槽（33）内，所述第一延迟弹性件（31）两端分别与所述第一延迟板（32）和所述第一延迟槽（33）的槽壁固定连接；第二延迟单元（4）包括第二延迟弹性件（41）和固定于所述第二联动杆（223）的第二延迟板（42），所述第二摆动杆（222）开设有第二延迟槽（43），所述第二延迟板（42）位于所述第二延迟槽（43）内，所述第二延迟弹性件（41）两端分别与所述第二延迟板（42）和所述第二延迟槽（43）的槽壁固定连接。
6.根据权利要求4所述的一种半导体熔炼炉，其特征在于：所述第一摆动杆（213）和所述第二摆动杆（222）之间连接有稳定杆（5），所述稳定杆（5）的一端与所述第一摆动杆（213）插接，所述稳定杆（5）的另一端与所述第二摆动杆（222）转动连接。
7.根据权利要求6所述的一种半导体熔炼炉，其特征在于：所述第一摆动杆（213）包括上杆（2131）和下杆（2132），所述上杆（2131）具有连接凸起（2134），所述下杆（2132）具有与所述连接凸起（2134）的适配的连接凹槽（2135），所述下杆（2132）还开设有与所述连接凹槽（2135）连通的第一摆动槽（2136），所述稳定杆（5）的一端具有第一限位销（51），所述第一限位销（51）穿过所述第一摆动槽（2136）并插接于所述连接凸起（2134）。
8.根据权利要求7所述的一种半导体熔炼炉，其特征在于：所述稳定杆（5）的另一端具有第二限位销（52），所述第二摆动杆（222）开设有第二摆动槽（2221），所述第二限位销（52）位于所述第二摆动槽（2221）内，所述稳定杆（5）设置有固定板（53）和可沿所述稳定杆（5）轴线方向滑动的滑动板（54），所述固定板（53）与所述滑动板（54）之间连接有稳定弹性件（55），所述第二支架（221）开设有限位槽（2211），所述稳定弹性件（55）能够迫使所述第二限位销（52）脱离于所述限位槽（2211）。
9.根据权利要求1所述的一种半导体熔炼炉，其特征在于：所述固液分离板（13）把所述加热腔（12）分隔成固态腔（121）和液态腔（122），所述固液分离板（13）与所述加热腔（12）底部之间形成有供液体流过的通槽（131），所述通槽（131）位于所述液态腔（122）一侧转动设置有防逆流板（132），所述液态腔（122）的腔壁还设置有用于限制所述防逆流板转动范围的导向块（133）。