PNP型的晶体管构成，但不限于此。也可以用NPN型的晶体管构成实现上述逻辑的主保护部23。
[0167]另外，上述从保护部35由NPN型的晶体管构成，但不限于此。也可以用PNP型的晶体管构成实现上述逻辑的从保护部35。
[0168]另外，主保护部23的晶体管TRl是I个元件，但也可以由2个以上的元件构成。例如，在由2个元件构成主保护部23的晶体管TRl的情况下，将第I元件的发射极连接到整流二极管Dl的阴极，将第I元件的集电极连接到第2元件的发射极。另外，将第I元件的基极以及第2元件的基极连接到电阻R6的一端。另外，也可以将第2元件的集电极连接到端子TP3以及负载限制部232。同样地，也可以用2个以上的元件构成从保护部35的晶体管 TR4。
[0169]上述主保护部23以及从保护部35由双极型晶体管构成，但不限于此。S卩，也可以由场效应晶体管构成主保护部23以及从保护部35。
[0170]在由场效应晶体管构成主保护部23的情况下，如图11所示，将PNP型晶体管TR2?TR3替代为N型的场效应晶体管FETl?FET3。另外，将场效应晶体管FETl的栅极连接到电阻R3的另一端、整流二极管Dl的阳极以及负载限制部232。将场效应晶体管FETl的源极连接到电阻R3的一端。将场效应晶体管FETl的漏极连接到误连接检测部233、电阻R6的一端以及场效应晶体管FET2的栅极。
[0171]另外，将场效应晶体管FET2的源极连接到整流二极管Dl的阴极。将场效应晶体管FET2的漏极连接到负载限制部232以及端子TP3。
[0172]另外，将场效应晶体管FET3的栅极连接到电阻R4的另一端以及电阻R5的一端。将场效应晶体管FET3的源极连接到电阻R4的一端、电阻R3的另一端、整流二极管Dl的阳极以及场效应晶体管FETl的栅极。将场效应晶体管FET3的漏极连接到光电二极管232a的阳极即可。
[0173]在上述结构的情况下，如以下那样动作。如果在电源线LI与共用线L3之间连接商用电源PS，则从通信用电源部22的端子TP2输出通信电压。在该状态下，如果主发送部24流过信号电流Is，则信号电流Is流过通信用电源部22 —端子TP2 —电阻R3 —整流二极管Dl —场效应晶体管FETl的源极-漏极路径一端子TP3 —主发送部24。该状态是正常的状态。
[0174]另一方面，如果由于某种原因(由于例如在通信线L2与共用线L3之间错误地误连接了商用电源PS的情况等)而信号电流Is增加，则与其增加相伴地，电阻R3中的电压下降增大。此时，场效应晶体管FET2以使电阻R3的两端电压与场效应晶体管FET2的栅极-源极间电压的ON电压保持均衡状态的方式，使场效应晶体管FET2的漏极-源极间电压变化，调整场效应晶体管FET2的栅极-源极间电压。因此，能够限制在主发送部24中流过的电流Is的上限。
[0175]另外，如果电流限制控制部231限制信号电流Is的上限，则电阻R4和电阻R5的串联电阻的两端电压上升。另外，如果作为该两端电压的分压电压的电阻R4的两端电压超过场效应晶体管FET3的源极-漏极间的ON电压(约0.6伏特)，则负载限制部232使场效应晶体管FET3成为0N，使其源极-漏极之间成为导通状态。
[0176]由此，场效应晶体管FETl的栅极-源极间电压下降，场效应晶体管FETl成为切断状态，场效应晶体管FETl的漏极电流(信号电流Is)被切断。
[0177]同样地，也可以由场效应晶体管构成从保护部35。
[0178]另外，主保护部23设置于通信用电源部22与主通信部24之间，但不限于此。主保护部23的设置位置可以是例如主发送部23与主接收部24之间、或者主接收部25与电阻Rl之间等任意地方。
[0179]同样地，从保护部35设置于从发送部34与共用线L3之间，但不限于此。从保护部35的设置位置可以是例如电阻R7与从接收部33之间、或者从接收部33与从发送部34之间等任意地方。
[0180]另外，在主发送部24的光电晶体管242b和从发送部的光电晶体管342b中，限制对光电晶体管242b、342b施加的电压的齐纳二极管241、341与光电晶体管242b、342b的电流路径并联连接，但不限于此。在主发送部24的光电晶体管242b和从发送部的光电晶体管342b中，除了齐纳二极管以外也能够限制对光电晶体管242b、342b施加的电压。例如，也可以将恒压电路与光电晶体管242b、342b的电流路径并联地连接。
[0181]另外，主空调机11是例如室外机，从空调机12是例如室内机，但不限于此。主空调机11也可以是例如空调控制器，从空调机12也可以是受空调控制器控制的例如送风机。这样，主空调机11以及从空调机12的组合未被限定。
[0182]本发明能够不脱离本发明的广义的思想和范围而实现各种实施方式以及变形。另夕卜，上述实施方式用于说明本发明，并不限定本发明的范围。即，本发明的范围并非是上述实施方式而是由权利要求书表示的。另外，在权利要求书内以及与其等同的发明的意义的范围内实施的各种变形被视为在本发明的范围内。
【主权项】
1.一种空调系统的保护装置，在该空调系统中，通过由流过电流的通信线、传送电力的电源线以及流过所述电流并且传送所述电力的共用线构成的连接线来将主空调机和从空调机相互连接，通过利用在所述通信线中流过的电流的流过/不流过的切换而生成的信号来实现所述主空调机和所述从空调机的双向通信，所述保护装置具备: 第I晶体管，电流路径与所述通信线串联地连接； 电流限制控制部，在所述第I晶体管的电流路径中流过的电流成为设定电流以上时，控制所述第I晶体管以使所述电流路径的电阻值增加，从而限制在所述电流路径中流过的电流；以及 电流切断控制部，在所述第I晶体管的电流路径的两端之间的电压成为设定电压以上时，使所述第I晶体管关断， 所述保护装置防止在所述通信线中流过过电流。2.根据权利要求1所述的保护装置，其特征在于， 所述电流切断控制部包括第2晶体管，所述第2晶体管在被施加与所述第I晶体管的电流路径的两端之间的电压对应的电压、且所述两端之间的电压成为设定电压以上时导通，从而使对控制所述第I晶体管的电流路径的电阻值的控制端子之间施加的电压下降，使所述第I晶体管关断。3.根据权利要求2所述的保护装置，其特征在于， 在所述第2晶体管中，电流路径的一端与所述第I晶体管的电流路径的一端连接，电流路径的另一端与控制所述第I晶体管的电流路径的电阻值的控制端子连接，在控制第2晶体管的控制端子之间被施加与所述第I晶体管的电流路径的两端之间的电压对应的电压、且所述第I晶体管的电流路径的两端之间产生的电压成为设定电压以上时导通，从而使对所述第I晶体管的控制端子之间施加的电压下降，使所述第I晶体管关断。4.根据权利要求3所述的保护装置，其特征在于， 所述电流限制控制部包括第3晶体管，所述第3晶体管在被施加与在所述第I晶体管的电流路径中流过的电流对应的电压、且在所述第I晶体管的电流路径中流过的电流成为设定电流以上时导通，从而使对控制所述第I晶体管的电流路径的电阻值的控制端子之间施加的电压下降，使所述第I晶体管的电流路径的电阻值增加。5.根据权利要求4所述的保护装置，其特征在于， 所述电流限制控制部具备对控制所述第3晶体管的控制端子之间施加与在所述第I晶体管的电流路径中流过的电流对应的电压的电阻， 所述第3晶体管在所述第I晶体管的电流路径中流过的电流成为设定电流以上时导通，从而使对控制所述第I晶体管的电流路径的电阻值的控制端子之间施加的电压下降，使所述第I晶体管的电流路径的电阻值增加。6.根据权利要求5所述的保护装置，其特征在于，具备: 第I光电耦合器，通过使在所述第2晶体管导通时流过的电流导通到光电二极管，使光电晶体管输出信号。7.根据权利要求6所述的保护装置，其特征在于，具备: 第2光电親合器，具有根据来自外部的信号而流过电流的光电二极管、以及由于光电二极管的发光而电流路径被导通且该电流路径与通信线串联地连接的光电晶体管；以及 电压限制部，与所述第2光电耦合器的光电晶体管的电流路径并联地连接，限制对所述第2光电耦合器的光电晶体管的电流路径施加的电压。8.根据权利要求7所述的保护装置，其特征在于， 配置于在对所述通信线连接了电源的情况下形成的闭合电路的电路内。9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的保护装置，其特征在于， 所述保护装置搭载于主空调机和从空调机。10.—种空调系统的保护装置的保护方法，在该空调系统中，通过由流过电流的通信线、传送电力的电源线以及流过所述电流并且传送所述电力的共用线构成的连接线来将主空调机和从空调机相互连接，通过利用在所述通信线中流过的电流的流过/不流过的切换而生成的信号来实现所述主空调机和所述从空调机的双向通信，所述保护方法包括: 电流限制步骤，在电流路径与所述通信线串联地连接了的第I晶体管的所述电流路径中流过的电流成为设定电流以上时，控制所述第I晶体管以使所述电流路径的电阻值增加，从而限制在所述电流路径中流过的电流；以及 电流切断控制步骤，在所述第I晶体管的电流路径的两端之间的电压成为设定电压以上时，使所述第I晶体管关断，从而切断电流， 所述保护方法防止在所述通信线中流过过电流。
【专利摘要】第1晶体管(TR1)的电流路径与通信线串联地连接。在第1晶体管(TR1)的电流路径中流过的电流成为设定电流以上时，电流限制控制部(231)控制第1晶体管(TR1)以使电流路径的电阻值增加，从而限制在电流路径中流过的电流。在第1晶体管(TR1)的电流路径的两端之间的电压成为设定电压以上时，负载限制部(232)使第1晶体管(TR1)关断。
【IPC分类】F24F11/02
【公开号】CN105229388
【申请号】CN201380076559
【发明人】向井卓也, 小泉吉秋
【申请人】三菱电机株式会社
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2013年5月14日
【公告号】EP2998661A1, US20160105019, WO2014184878A1