一种制冷电磁铁的制作方法

文档序号:32269674发布日期:2022-11-22 21:14阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种制冷电磁铁,其特征在于,包括电源电路、磁场产生电路、以及与所述磁场产生电路产生磁化效应的磁制冷工作介质;所述电源电路的输入端与市电电源连接,所述电源电路的输出端与磁场产生电路的输入端连接;所述电源电路采用绝缘栅双极型晶体管、场效应晶体管或移相调控器作为开关元件。2.根据权利要求1所述的制冷电磁铁,其特征在于,所述电源电路具体包括第一桥式整流电路d1和绝缘栅双极型晶体管q1;所述第一桥式整流电路d1的第一连接端和第三连接端与市电电源连接,所述第一桥式整流电路d1的第二连接端与绝缘栅双极型晶体管q1的集电极连接,并经过第一电容c1接地,所述第一桥式整流电路d1的第四连接端接地;所述绝缘栅双极型晶体管q1的门极输入控制信号,所述绝缘栅双极型晶体管q1的发射极与磁场产生电路的输入端连接。3.根据权利要求1所述的制冷电磁铁,其特征在于,所述电源电路具体包括第二桥式整流电路d2和第一mos管全桥移相电路;所述第一mos管全桥移相电路包括第一mos管q2、第二mos管q3、第三mos管q4和第四mos管q5;所述第二桥式整流电路d2的第一连接端和第三连接端与市电电源连接,所述第二桥式整流电路d2的第二连接端分别与第一mos管q2的漏极、第二mos管q3的漏极连接,并经过第二电容c2接地,所述第二桥式整流电路d2的第四连接端接地;所述第一mos管q2的源极与第三mos管q4的漏极连接,并经过串联的第一电感l1和第一电阻r1与磁场产生电路的输入端连接;所述第二mos管q3的源极与第四mos管q5的漏极连接,并与磁场产生电路的输入端连接;所述第三mos管q4的源极和第四mos管q5的源极均接地;所述第一mos管q2、第二mos管q3、第三mos管q4和第四mos管q5的栅极输入控制信号。4.根据权利要求1所述的制冷电磁铁,其特征在于,所述电源电路具体包括第一可控硅模块、第一整流模块和第一滤波模块;所述第一可控硅模块的输入端连接三相电源,所述第一可控硅模块的输出端连接第一整流模块的输入端;所述第一整流模块的输出端经过第一滤波模块与磁场产生电路的输入端连接。5.根据权利要求4所述的制冷电磁铁,其特征在于,所述第一可控硅模块具体包括并联的第一可控硅v1和第二可控硅v2、并联的第三可控硅v3和第四可控硅v4、及并联的第五可控硅v5和第六可控硅v6;所述第一可控硅v1和第二可控硅v2的一连接端、第三可控硅v3和第四可控硅v4的一连接端、第五可控硅v5和第六可控硅v6的一连接端连接三相电源;所述第一可控硅v1和第二可控硅v2的另一连接端、第三可控硅v3和第四可控硅v4的另一连接端、第五可控硅v5和第六可控硅v6的另一连接端连接整流模块的输入端;所述第一可控硅v1、第二可控硅v2、第三可控硅v3、第四可控硅v4、第五可控硅v5和第六可控硅v6的控制极与移相调控器连接。6.根据权利要求5所述的制冷电磁铁,其特征在于,所述第一整流模块具体包括并联的第一整流支路、第二整流支路和第三整流支路;所述第一整流支路包括串联的第一二极管d3和第二二极管d4;所述第二整流支路包括串联的第三二极管d5和第四二极管d6;所述第三整流支路包括串联的第五二极管d7和第六二极管d8;所述第一二极管d3和第二二极管d4的连接端与所述第一可控硅v1和第二可控硅v2的另一连接端连接;所述第三二极管d5和第四二极管d6的连接端与所述第三可控硅v3和第四可控硅v4的另一连接端连接;所述第五二极管d7和第六二极管d8的连接端与所述第五可控硅v5和第六可控硅v6的另一连接端连接。7.根据权利要求6所述的制冷电磁铁,其特征在于,所述第一滤波模块具体包括第三电
容c3,所述第三电容c3的一端与第一整流支路、第二整流支路和第三整流支路的一连接端连接,所述第三电容c3的另一端与第一整流支路、第二整流支路和第三整流支路的另一连接端连接。8.根据权利要求1所述的制冷电磁铁,其特征在于,所述磁场产生电路包括电磁铁、以及采用3串2并的方式同向缠绕在所述电磁铁的两极的电感线圈,所述电感线圈的一端接地,另一端与电源电路的输出端连接。

技术总结
本实用新型公开了一种制冷电磁铁,包括电源电路、磁场产生电路、以及与所述磁场产生电路产生磁化效应的磁制冷工作介质;所述电源电路的输入端与市电电源连接,所述电源电路的输出端与磁场产生电路的输入端连接;所述电源电路采用绝缘栅双极型晶体管、场效应晶体管或移相调控器作为开关元件。本实用新型采用绝缘栅双极型晶体管、场效应晶体管或移相调控器作为方波电源的开关元件,能够形成具有宽脉冲、大电流的方波电压,从而使得制冷电磁铁能够稳定、高效的工作运行。高效的工作运行。高效的工作运行。


技术研发人员:宋强 龚成
受保护的技术使用者:绵阳尚午电子科技有限公司
技术研发日:2022.05.27
技术公布日:2022/11/21
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