一种吹扫方法与流程

本发明属于微电子加工技术领域，具体涉及一种吹扫方法。

背景技术：

刻蚀工艺是集成电路(ic)芯片制造中形成图形图案的关键工艺，工艺气体通过射频产生等离子体，等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，这些活性粒子和衬底相互作用使材料表面发生各种物理和化学反应,从而使材料表面性能发生变化，完成刻蚀工艺。在实际应用中，由于颗粒在刻蚀前或刻蚀过程中会掉落在衬底上，就会在刻蚀中形成掩膜，影响原有光刻图形的转移，降低产品良率。因此，颗粒污染问题已经严重制约集成电路领域向更低技术节点的延伸，尤其是，进入32-14纳米技术代后，刻蚀的关键尺寸进一步减小，对衬底的颗粒污染提出了更高的要求。

为避免上述的颗粒污染，现有技术中，通常采用图1所示的吹扫方法，将工艺残余气体和腔室内的颗粒清除干净，具体地，如图1所示，一般在刻蚀工艺完成后，确定是否进行吹扫，若否，则将衬底传出，结束；若是，则按照预设的吹扫时间、吹扫气体的流量和腔室的压力进行吹扫，吹扫完成后，将衬底传出，结束。

采用图1所述的吹扫方法能够在一定程度上可以减少氢卤酸等工艺残气和颗粒，但是，由于等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，因此，在用于承载衬底的静电卡盘和其周围的工艺套件上的颗粒就会被带上电荷，在此情况下，由于静电吸附的作用带电的颗粒吸附在静电卡盘和周围的工艺套件上，不会在吹扫过程中随着气流被带走，这样，在下次刻蚀工艺时该颗粒被中和而可移动，又会掉落在衬底上降低产品良率。

因此，本发明亟需一种吹扫方法，吹扫掉静电卡盘及其周围工艺套件上带电颗粒。

技术实现要素：

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种吹扫方法，使得静电卡盘及其周围工艺套件上的带电颗粒容易被吹扫掉，从而可以提高产品良率。

为解决上述问题之一，本发明提供了一种吹扫方法，包括：

吹扫步骤：向腔室内通入吹扫气体，按照预设参数开始进行吹扫，在吹扫过程中向静电卡盘的直流电极加载第一电压。

优选地，所述吹扫步骤还包括：

在吹扫过程中向所述直流电极加载第一电压预设时间后，停止加载第一电压，并向所述直流电极加载与第一电压极性相反的第二电压。

优选地，在所述吹扫步骤之前还包括：

确定步骤，确定是否进行吹扫步骤，若是，则执行所述吹扫步骤。

优选地，所述第一电压的模值等于所述直流电极在固定衬底时的工作电压的模值。

优选地，所述第一电压的模值的取值范围为所述直流电极在固定衬底时的工作电压的模值的95％～105％。

优选地，所述第一电压的模值和所述第二电压的模值相等。

优选地，所述第一电压的模值的取值范围在1900v～2100v。

优选地，所述预设参数包括：所述吹扫气体的流量范围为100sccm～1000sccm；所述腔室的压力为200mtorr。

优选地，所述吹扫气体为氮气。

本发明具有以下有益效果：

本发明中，由于在吹扫过程中向静电卡盘的直流电极加载第一电压，因此，在该第一电压的作用下静电卡盘及其周围工艺套件上带有与第一电压极性相同的带电颗粒就会受到第一电压的排斥，因此，容易被吹扫掉，故，本发明提供的吹扫方法，可以很好地清除掉腔室内的带电颗粒，从而提高产品良率。

附图说明

图1为现有技术所采用的吹扫方法的流程图；

图2为本发明实施例提供的吹扫方法的流程图；

图3为本发明中静电卡盘的控制原理框图；

图4为图2中向直流电极加载第一电压时的原理图；

图5为图2中直流电极的电压切换为第二电压时的原理图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的吹扫方法进行详细描述。

图2为本发明实施例提供的吹扫方法的流程图；图3为本发明中静电卡盘的控制原理框图；图4为图2中向直流电极加载第一电压时的原理图；请一并参阅图2-4，本发明实施例提供的吹扫方法，包括：

吹扫步骤：向腔室内通入吹扫气体，按照预设参数开始进行吹扫，在吹扫过程中向静电卡盘的直流电极加载第一电压。

请参阅图3，在实际应用中，可通过上位机10还向静电卡盘电源11发送控制信号，来控制静电卡盘电源11的输出电压(即静电卡盘12的直流电极120上加载的电压)。

在本实施例中，如图4所示，第一电压的极性为负，这样，带有负电的颗粒则会受到第一电压的排斥力(如图4中的箭头所示)，因此，该带有负电的颗粒容易在吹扫的过程中被带走，故本发明实施例提供的吹扫方法，可以很好地清除掉腔室内的带电颗粒，从而提高产品良率。

优选地，如图2所示，吹扫步骤还包括：

在吹扫过程中向直流电极加载第一电压预设时间后，停止加载第一电压，并向所述直流电极加载与第一电压极性相反的第二电压。

请参阅图5，直流电极120上的极性为负的第一电压切换为极性为正的第二电压，在此情况下，剩下的带正电的颗粒将会受到第二电压的排斥力(如图5中的箭头所示)，因此，该带有正电的颗粒容易在吹扫的过程中被带走，从而最终使得带正电和带负电的颗粒均被带走，实现最大程度地将带电颗粒带走，最大程度地改善了产品良率。

如图2所示，在吹扫步骤之前还包括：

确定步骤，确定是否进行吹扫步骤，若是，则执行吹扫步骤。

借助该确定步骤，可以根据实际腔室情况人为选择是否需要进行吹扫，这样，可以提高吹扫方法的实用性。

在本实施中，第一电压的模值等于直流电极在固定衬底时的工作电压的模值，这样，可以简化静电卡盘电源11；所谓直流电极在固定衬底时的工作电压是指向直流电极加载的以采用静电吸附的方式固定晶片时的电压。当然，本发明并不局限于此，在实际应用中，第一电压的模值的取值范围为直流电极在固定衬底时的工作电压的模值的95％～105％，例如，若工作电压为2000v，则第一电压的模值的取值范围在1900v～2100v。

在本实施例中，优选地，第一电压的模值和第二电压的模值相等，在本实施例中，模值均为2000v，这样，可以保证带正电颗粒和带负电颗粒尽可能均很好地被带走。当然，在实际应用中，二者还可以并不相等。

在本实施例中，优选地，吹扫步骤中的预设参数包括：所述吹扫气体的流量范围为100sccm～1000sccm；腔室的压力为200mtorr，这样，在该预设参数下，吹扫气体的撞击作用更加有利于氢卤酸等工艺残气和颗粒的吹扫。

在本实施例中，吹扫气体为氮气。但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，吹扫气体还可以为其他气体，只要不会对实际工艺产生影响，例如，惰性气体。

需要说明的是，在本实施例中，第一电压的极性为负，第二电压的极性为正，但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，也可以为第一电压为正，第二电压为负。

另外需要说明的是，本发明提供的吹扫方法不仅可以应用在诸如刻蚀工艺、沉积工艺完成之后进行，也可以应用在刻蚀工艺、沉积工艺进行之前，以对衬底进行清扫，保证衬底的清洁度。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。