一种薄膜生产线清洗废水处理工艺及其配套结构的制作方法

技术领域：

本发明涉及工业废水领域，具体涉及一种薄膜生产线清洗废水处理工艺及其配套结构。

背景技术：
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薄膜生产过程中使用到挤出机、过滤器、模头等机械组件，在高温工况下，高分子原料经熔融、挤出、纵拉、横拉工艺最终成膜。其运行一定时间后，生产线需对过滤器碟片、模头、挤出机螺杆等进行清洗保养。在清洗过程中，机械组件需先经热解清除大部分高分子原料后再经水解炉进行水解清洗，充分降解残存在机械构件中的原料。经热解、水解处理后的过滤器、模头再经酸洗炉、碱洗炉、水洗炉、氧化炉、超声波进行深度清洗，去除机械构件表面的金属锈斑、碟片内部的微小颗粒等异物，从而形成了薄膜生产不可避免的清洗废水。其中污染物成分有乙二醇、乙醛、乙酸、二甘醇以及低聚物等，其中乙醛及高分子聚合物对微生物有抑制作用，其特征具有典型的聚酯废水特点，水量小、浓度高、生化性差。

该类废水由于生产原因，仅在检修维保时段清洗过程中产生。据统计，单条生产线清洗排放废水1～2m³/h，其他时段无类似废水产生。据水质检测，该废水呈浅米黄色，弱酸性，悬浮物浓度较高，ss的浓度为1000～2000mg/l，水温为35℃左右，ph值为3～4，cod波动幅度大且不稳定，其浓度在5000～25000mg/l，bod/cod为0.15～0.25，可生化性差，不含氮、磷、盐和重金属。根据我国《合成树脂工业污染物排放标准》gb31572-2015表1规定，废水进入城镇污水处理厂或经由城镇污水处理厂排放的，应达到直接排放限值，其ss≤30mg/l，cod≤60mg/l。

技术实现要素：

本发明目的是针对现有薄膜生产线产生的清洗废水水量与水质特点，提出了一种组合工艺。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种薄膜生产线清洗废水处理工艺，具体为：

薄膜生产线废水经自流至细格栅初步去除较大粒径的固体污染物后进入调节池，以混合不同时段来水的水质；

废水经均质均量后，在混凝池中加入pac、pam絮凝剂，经搅拌、沉淀后，去除原水中含有的大量悬浮物及一些胶体物质；

经混凝沉淀处理的废水由离心泵送入加酸池中，在加酸池中加酸调ph至3～4后，在h2o2池32、feso4池分别投加芬顿试剂，充分反应后在加碱池调ph至7～8；部分难降解大分子有机物氧化成小分子有机物，再经絮凝沉淀池中去除；

经芬顿氧化后的废水进入水解酸化池，难降解的大分子有机物停留一定时间后由填料上附着的厌氧菌群水解为易降解的小分子有机物；

由提升泵送入uasb厌氧反应器中厌氧消化处理；

厌氧消化后废水自流进入接触氧化池，进行生物氧化处理；

生物氧化处理的废水自流进入mbr生化池；

工艺末端增加纳滤处理系统，经mbr生化池处理后的废水进入纳滤系统，处理后出水。

本发明的进一步技术：

优选的，水解酸化池水力停留时间16h。

优选的，接触氧化池采用二级处理，且与mbr生化池合建，其中接触氧化反应停留时间48h，填料有效容积60％，mbr反应时间36h，mlss为8000mg/l。

优选的，uasb厌氧反应器采用二级处理，容积负荷采用14.16kgcod/(m³·d)。

优选的，混凝池停留时间为1h，沉淀停留时间为2h；

优选的，芬顿试剂投加量(质量比)为cod:h2o2:feso4＝1:0.25:0.25，絮凝沉淀池停留时间为1h。

本发明还提供一种的薄膜生产线清洗废水处理工艺配套结构，包括初效混凝沉淀单元、芬顿氧化絮凝单元、水解酸化单元、厌氧消化单元、接触氧化单元、mbr深度处理单元与纳滤达标处理单元；上述单元依次通过管路连接，管路上设有泵；

其中初效混凝沉淀单元由调节池、混凝池、清水池合建；

芬顿氧化絮凝单元芬顿氧化絮凝装置采用一体化处理设备，前置加酸池、h2o2池、feso4池、加碱池、后置絮凝沉淀池；

水解酸化单元为水解酸化池，水解酸化池内置弹性填料作为填充，池底设有穿孔曝气环管，穿孔曝气环管连接设在外部的鼓风机；

厌氧消化单元具体为uasb厌氧反应器，采用二级处理；

接触氧化单元由二级接触氧化池构成，mbr深度处理单元由mbr生化池构成，二级接触氧化池与mbr生化池合建；所述二级接触氧化池内置纤维填料作为填充，所述mbr生化池内设有膜组件，二级接触氧化池与mbr生化池的池底都设有膜片式曝气器，膜片式曝气器连接设在外部的鼓风机。

有益效果：该薄膜生产线清洗废水工艺，可根据实际灵活组合，作为薄膜生产线清洗废水小水量、高浓度、难降解特征水质高度适用，在实现达标处理的同时，其成本也较低。

附图说明:

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；

图1为一种薄膜生产线清洗废水处理工艺配套结构示意图；

其中：1.细格栅2.初效混凝沉淀单元3.芬顿氧化絮凝单元4.水解酸化池5.uasb厌氧反应器6.二级接触氧化池7.mbr生化池9.纳滤达标处理单元10.鼓风机21.调节池22.混凝池23.沉淀池24.清水池31.加酸池32.h2o2池33.feso4池34.加碱池35.絮凝沉淀池41.弹性填料42.穿孔曝气环管51.泵61.纤维填料62.膜片式曝气器71.膜组件。

具体实施结构:

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

本发明提供一种薄膜生产线清洗废水处理工艺配套结构，包括初效混凝沉淀单元2、芬顿氧化絮凝单元3、水解酸化单元、厌氧消化单元5、接触氧化单元、mbr深度处理单元与纳滤达标处理单元9；上述单元依次通过管路连接，管路上设有泵51；

其中初效混凝沉淀单元由调节池21、混凝池22、沉淀池23、清水池24合建；

芬顿氧化絮凝单元芬顿氧化絮凝装置采用一体化处理设备，前置加酸池31、h2o2池32、feso4池33、加碱池34、后置絮凝沉淀池35；

水解酸化单元为水解酸化池4，水解酸化池内置弹性填料41作为填充，池底设有穿孔曝气环管42，穿孔曝气环管连接设在外部的鼓风机10；

厌氧消化单元具体为uasb厌氧反应器5，采用二级处理；

接触氧化单元由二级接触氧化池6构成，mbr深度处理单元由mbr生化池7构成，二级接触氧化池与mbr生化池合建；所述二级接触氧化池内置纤维填料61作为填充，所述mbr生化池内设有膜组件71，二级接触氧化池与mbr生化池的池底都设有膜片式曝气器62，膜片式曝气器连接设在外部的鼓风机。

其工艺为薄膜生产线废水经自流至细格栅1初步去除较大粒径的固体污染物后进入调节池21，以混合不同时段来水的水质，废水经均质均量后，初步混凝沉淀去除悬浮物及一些胶体物质，此工段cod去除率可达30～40％，ss去除率可达70％左右，大大降低后续处理负荷。

废水经均质均量后，在混凝池22中加入pac、pam等絮凝剂，经搅拌、沉淀后，去除原水中含有的大量悬浮物及一些胶体物质。

经混凝沉淀处理的废水由离心泵送入加酸池31中，在加酸池31中加酸调ph至3～4后，在h2o2池32、feso4池33分别投加芬顿试剂，充分反应后在加碱池34调ph至7～8，部分难降解大分子有机物氧化成小分子有机物，再经絮凝沉淀池35中去除。

一部分难降解大分子有机物可充分氧化成小分子有机物，再经絮凝沉淀去除，此工段cod去除率40％左右。

经芬顿氧化后的废水进入水解酸化池4，难降解的大分子有机物停留一定时间后由填料上附着的厌氧菌群水解为易降解的小分子有机物。

由提升泵送入二级uasb厌氧反应器5中厌氧消化处理，进一步将难降解大分子有机物分解为易生化降解的小分子物质，提高了废水生化性。

厌氧消化后废水自流进入二级接触氧化池6，进行二级生物氧化处理，此段既去除了大部分有机物又为后续mbr深度处理减轻负荷。

二级生化后的废水自流进入mbr生化池7，mbr池中通过膜组件的微滤与高浓度的好氧微生物菌群综合作用，绝大部分难降解有机物可最终降解为水和二氧化碳。

为保证达标处理，本工艺末端备用纳滤处理系统9，经mbr处理后的废水直接进入纳滤系统，处理后出水可完全达到《合成树脂工业污染物排放标准》规定的水质。

mbr因其污泥浓度高，好氧微生物菌群丰富，因此非常适合此类废水的深度处理，生物处理有其局限性，有一部分高分子难降解有机物仍不能有效去除，因而很难实现达标排放。为保证达标处理，工艺末端增加纳滤处理系统，经mbr处理后的废水其大部分悬浮物已去除，可直接进入纳滤系统，处理后出水可完全达到《合成树脂工业污染物排放标准》规定的水质，且前端工艺效果较好的状态下，纳滤系统仅可作为备用单元。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。