一体式干式超声波清洗装置的制作方法

1.本实用新型涉及液晶面板清洗设备技术领域，具体而言，涉及一体式干式超声波清洗装置。


背景技术：

2.目前在液晶行业中大多采用湿式清洗，但是在涂胶之后湿式清洗对胶层有破坏作用，增大了废品率；且在磨擦取向后，产生了大量的尘粒，用湿式清洗较为浪费资源，因为，湿式清洗需要大量的消耗品，如：纯净水、其它化学药剂等。在生产过程中进行喷衬垫料时，由于喷洒不当，容易造成不符合要求的玻璃板，而目前这些不合格的玻璃板当作废品处理，较为浪费。并且湿式清洗只能将其表面进行清洁，往往达不到理想的效果。中国专利公开号为cn 111940414a、专利名称为干式超声波清洗装置及清洗方法中公开了关于干式超声波清洗装置的技术方案，清洗装置吹扫清洁效率高，显著提高待清洗物体的表面清洁度，同时避免待清洗物体表面经过湿式清洗处理后产生大量杂质残留。但是，由于专利中清洗装置由多个超声波发生器平行组装而成导致很难保证装配精度，尤其是清洗装置越长装配越困难，装配精度更低。


技术实现要素：

3.为解决上述缺陷，本实用新型提供了一体式干式超声波清洗装置，采用一体式结构设计，减少加工量及加工难度，保证了装置的加工精度。
4.一体式干式超声波清洗装置，其包括：壳体；一压力腔，其设置于所述壳体内，所述压力腔包括进气通道、与所述进气通道直接连通的超声波发生器，所述超声波发生器的底部设置有向待清洗的物体表面喷出气流的喷射狭缝；一真空腔，所述真空腔包括一设于所述压力腔上方的吸气通道、分别位于所述压力腔两侧并从所述吸气通道的底部沿着所述喷射狭缝方向延伸且开口于所述壳体底部的两个吸气狭缝。
5.于本实用新型的一种实施方式中，所述壳体一端设置有端头，所述端头内设置有两个接头；一所述接头与所述进气通道的一端相连，另一所述接头与所述吸气通道的一端相连。
6.于本实用新型的一种实施方式中，所述喷射狭缝呈垂直设置。
7.于本实用新型的一种实施方式中，两个所述吸气狭缝对称设置于所述喷射狭缝的两侧，两个所述吸气狭缝呈垂直倾斜10-30
°
。
8.于本实用新型的一种实施方式中，所述超声波发生器由数组空腔排布而成。
9.于本实用新型的一种实施方式中，所述超声波发生器包括依次连通的第一水平空腔、第一垂直流道、第二水平空腔，所述第一水平空腔的中间上开口与进气通道直接连通，所述第二水平空腔的中间下开口与所述喷射狭缝的端部直接连通。
10.于本实用新型的一种实施方式中，所述第一水平空腔、所述第二水平空腔的纵截面形状分别选自矩形、圆形和弧形中的任意一种。
11.于本实用新型的一种实施方式中，所述第一水平空腔的纵截面宽度大于所述第二水平空腔的纵截面宽度。
12.于本实用新型的一种实施方式中，所述第一水平空腔与所述第二水平空腔的纵截面宽度比例为(7-9)：(4-6)。
13.于本实用新型的一种实施方式中，所述第一水平空腔的出口上部的纵截面宽度大于所述第一垂直流道的纵截面宽度，所述第一垂直流道的纵截面宽度大于所述第二水平空腔的出口下部的纵截面宽度。
14.于本实用新型的一种实施方式中，所述第一水平空腔的出口上部与所述第一垂直流道、所述第二水平空腔的出口下部的纵截面宽度比例为(10-13)：(6-9)：(2-5)。
15.于本实用新型的一种实施方式中，所述超声波发生器与所述端头之间设置有密封垫。
16.综上所述，本实用新型提供一体式干式超声波清洗装置，本实用新型的有益效果是：
17.(1)本实用新型采用压力腔形成像气刀一样的气流薄片吹扫到待清洗的物体表面，然后利用真空腔将颗粒状的杂质吸走，从而减少由于杂质残留而导致的待清洗的物体处理不良。
18.(2)本实用新型中压力腔与真空腔由同一铝型材通过线切割工艺加工而成，大大简化了加工工艺，减少了加工量及加工难度，保证了加工精度，并且使得后期装配方便，节约装配时间。
19.(3)本实用新型的腔体结构不同之前的分体式结构，更容易产生集中度更好的超声波，甚至产生更利于清洗微小颗粒的超声波，去除率可达到99.9％以上。
附图说明
20.图1为本实用新型于一实施例中一体式干式超声波清洗装置的立体结构示意图。
21.图2为本实用新型于一实施例中一体式干式超声波清洗装置除去端头后的主视图。
22.图中，1、壳体；11、吸气通道；111、第一吸气狭缝；112、第二吸气狭缝；121、第二吸气狭缝；13、进气通道；141、第一水平空腔；142、第一垂直流道；143、第二水平空腔；144、喷射狭缝；2、第一端头；3、第二端头；4、吸气管；5、进气管。
具体实施方式
23.为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施方式中的附图，对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。
24.如图1至图2所示，本实用新型提供一体式干式超声波清洗装置，应用于液晶面板行业，主要是采用超声波气流对物体表面进行吹扫清洗。一体式干式超声波清洗装置包括：壳体1、压力腔和真空腔。
25.其中，壳体1两端分别设置有第一端头2和第二端头3，第一端头2内设置有两个接头；其中一个接头的一端与进气通道13的一端相连，另一端与进气管5相连。另一个接头与吸气通道11的一端相连，另一端与吸气管4相连。
26.接着，压力腔设置于壳体1内，压力腔包括进气通道13和位于进气通道13下方的超声波发生器，超声波发生器用于使从进气通道13中喷出的气流发生流激振荡。
27.其中，超声波发生器的空腔结构与进气通道13由同一铝型材通过线切割工艺而成，减少加工量及加工难度，保证加工精度。同时，保证了整个装置的密封效果。
28.进一步地，超声波发生器由数组空腔排布而成。于本实施例中，超声波发生器包括依次连通的第一水平空腔141、第一垂直流道142、第二水平空腔143，第一水平空腔141的中间上开口与进气通道13直接连通，第二水平空腔143的中间下开口与喷射狭缝144的端部直接连通。
29.超声波发生器的底部设置有向待清洗的物体表面喷出气流的喷射狭缝144；从喷射狭缝144喷出的气流在待清洗物体上形成“气刀”，并将待清洗物体上污染物颗粒分离并悬浮在喷射的空气中，然后由真空腔吸走排出。
30.于本实施例中，喷射狭缝144呈垂直设置。于其他实施例中，喷射狭缝144呈倾斜设置。喷射狭缝144倾斜角度也可以根据实际的情况进行调整，均属于本实用新型的保护范围。
31.进一步地，第一水平空腔141、第二水平空腔143的纵截面形状分别选自矩形、圆形和弧形中的任意一种。第一水平空腔141、第二水平空腔143纵截面形状可相同，亦可不同。于本实施例中，第一水平空腔141、第二水平空腔143的纵截面形状均为矩形。
32.进一步优选地，第一水平空腔141的截面宽度大于第二水平空腔143的纵截面宽度。
33.更进一步优选地，第一水平空腔141、第二水平空腔143的纵截面宽度比例为(7-9)：(4-6)。最优地，第一水平空腔141、第二水平空腔143的纵截面宽度比例为8：5。
34.进一步优选地，第一水平空腔141的出口上部的纵截面宽度大于第一垂直流道142的纵截面宽度，第一垂直流道142的纵截面宽度大于第二水平空腔143的出口下部的纵截面宽度。
35.更进一步优选地，第一水平空腔141的出口上部、第一垂直流道142、第二水平空腔143的出口下部的纵截面宽度比例为(10-13)：(6-9)：(2-5)。最优地，第一水平空腔141的出口上部、第一垂直流道142、第二水平空腔143的出口下部的纵截面宽度比例为12：8：4。
36.进一步地，超声波发生器与第一端头2、第二端头3之间分别设置有密封垫，起到密封作用。
37.接着，真空腔包括一设于压力腔上方的吸气通道11、分别位于压力腔两侧并从吸气通道11沿着喷射狭缝144方向延伸且开口于壳体1底部的第一吸气狭缝111和第二吸气狭缝112。第一吸气狭缝111和第二吸气狭缝112的宽度随着气流的方向逐步的增加，使得微粒快速进入真空腔，同时避免微粒飞散、逃逸。本实用新型将之前两个吸气通道11改成一个吸
气通道11，减少加工量及加工难度，保证了装置的加工精度，并且降低了生产成本。
38.两个吸气狭缝对称设置于喷射狭缝144的两侧，两个吸气狭缝分别呈垂直倾斜10-30
°
，优选地，两个吸气狭缝呈垂直倾斜20
°
。吸气狭缝的倾斜角度也可以根据实际的情况进行调整，均属于本实用新型的保护范围。
39.一体式干式超声波清洗装置的压力腔在玻璃基板表面可以产生较大的清洁力，很容易将悬浮在待清洗物体表面上直径为2-50μm的微粒，然后利用真空腔将颗粒状的杂质吸走，减少由于杂质残留而导致的待清洗物体处理不良，去除率可高达99.9％。
40.在一体式干式超声波清洗装置中，超声波发生器设置于压力腔内，其实质为经过特殊设计的变截面空气流道，而空气流道的变截面流道内又是由其内数组空腔排布实现，最后从喷射狭缝144喷射出来。待清洗物体表面粘附的污染微粒在高速气流和超声波的共同作用下从表面分离后实现再悬浮，然后由真空腔吸走。本实用新型的结构设计防止二次扬尘，确保再悬浮微粒能被顺利吸入真空腔，可以实现待清洗物体表面微粒的去除。
41.以上仅为本实用新型的优选实施方式而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。