技术特征：
1.一种晶圆清洁方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在待清洁晶圆低速旋转的同时，从所述待清洗晶圆的中心向边缘依时序分多次喷洒清洗介质，定义从中心向边缘完成一次喷洒过程为一个喷洒周期，重复若干个喷洒周期，使所述待清洁晶圆表面的副产物从晶圆边缘移出；（2）在待清洁晶圆低速旋转的同时，从所述待清洗晶圆的中心向边缘依时序分多次喷洒清洁干燥介质，定义从中心向边缘完成一次喷洒过程为一个喷洒周期，重复若干个喷洒周期，以干燥所述待清洁晶圆表面。2.如权利要求1所述的晶圆清洁方法，其特征在于，所述待清洁晶圆为经过切割工艺切割后的晶圆。3.如权利要求2所述的晶圆清洁方法，其特征在于，所述待清洁晶圆低速旋转，其旋转速度小于或等于100 rad/min。4.如权利要求2所述的晶圆清洁方法，其特征在于，所述清洗介质为一种或多种，所述清洗介质为多种时，所述多种清洗介质为按顺序进行周期性喷洒或在同一个周期内进行交替喷洒；所述清洁干燥介质为一种或多种，所述清洁干燥介质为多种时，所述多种清洁干燥介质为按顺序进行周期性喷洒或在同一个周期内进行交替喷洒。5.如权利要求4所述的晶圆清洁方法，其特征在于，所述切割工艺为激光切割和等离子切割；所述清洗介质包含水和ekc溶液；所述清洁干燥介质包含ipa和氮气；所述清洗介质的喷洒方式为：先进行水的多个周期喷洒，然后进行ekc溶液的多个周期喷洒，再进行水的多个周期喷洒；所述清洁干燥介质的喷洒方式为：在同一个喷洒周期内将氮气和ipa按时序分多次进行交替喷洒，完成一个喷洒周期后，再重复多个喷洒周期。6.如权利要求1所述的晶圆清洁方法，其特征在于，从所述待清洗晶圆的中心向边缘依时序分多次喷洒清洗介质或清洁干燥介质时，通过下述方法中一种或多种提高清洁效果：（i）提高一个喷洒周期内的喷洒次数；（ii）提高单次喷洒的流量；（iii）延长单次喷洒时间；和（iv）提高喷洒周期数量。7.如权利要求6所述的晶圆清洁方法，其特征在于，对于任一清洗介质或清洁干燥介质，一个所述喷洒周期中，喷洒次数不小于4次。8.一种利用如权利要求1至7任一项所述的晶圆清洁方法进行晶圆清洁的清洁系统，其特征在于，包括待清洁晶圆、位于所述待清洁晶圆上方的喷洒单元以及位于所述待清洁晶圆下方的旋转支撑单元；其中，所述待清洁晶圆位于采用安装框架固定的扩张切割膜上；所述待清洁晶圆为经过切割工艺切割后的晶圆；该晶圆被切割为多个芯片，且芯片表面或芯片与芯片之间的切割带上具有切割工艺过程中产生的副产物；所述旋转支撑单元用于支撑所述待清洁晶圆，且用于带动所述待清洁晶圆低速旋转；所述旋转支撑单元包括晶圆支撑件和位于所述晶圆支撑件下方的旋转轴；
所述喷洒单元包括喷头部和控制部；所述喷头部位于所述待清洁晶圆的上方；所述控制部用于控制所述喷头部对所述待清洁晶圆按照如权利要求1至7任一项所述的晶圆清洁方法从中心向边缘依时序分多次喷洒清洁介质，去除所述待清洁晶圆表面的副产物。9.如权利要求8所述的清洁系统，其特征在于，所述喷头部包括与所述待清洁晶圆中心位置区域对应设置的中央清洁介质通道，还包括若干个与所述中央清洁介质通道为同心环状设置且相互隔绝的外围清洁介质通道，各清洁介质通道上部与清洁介质阀门相连接，下部设置有若干个均匀分布的清洁介质喷出口，所述清洁介质阀门与所述控制部相连接。10.如权利要求8所述的清洁系统，其特征在于，所述喷头部包括与所述待清洁晶圆中心位置区域对应设置的中央清洁介质通道，还包括对称设置在所述中央清洁介质通道两侧的若干对相互隔绝的外围清洁介质通道，各清洁介质通道上部与清洁介质阀门相连接，下部设置有若干个均匀分布的清洁介质喷出口，所述清洁介质阀门与所述控制部相连接。
技术总结
本发明属于半导体制造技术领域，更具体地，涉及一种晶圆的清洁方法及清洁系统。通过在待清洁晶圆低速旋转的同时，从待清洗晶圆的中心向边缘依时序分多次喷洒清洁介质，在惯性作用下将副产物逐步移出晶圆边缘，达到晶圆清洁的目的，尤其适用于经过芯片切割工艺后待键合的晶圆表面副产物的清洁。合的晶圆表面副产物的清洁。合的晶圆表面副产物的清洁。
技术研发人员：刘天建 宋林杰 曹瑞霞 谢冬
受保护的技术使用者：湖北江城实验室
技术研发日：2022.03.22
技术公布日：2022/4/21