一种半导体高氟废水处理系统的制作方法

本发明涉及废水处理领域，尤其是涉及一种半导体高氟废水处理系统。

背景技术：

1、半导体厂的生产过程中，需要使用固氟化物作为制造芯片用的蚀刻剂，在蚀刻过程中会产生大量的废水。同时，在晶片的清洗过程中也会产生氟离子含量高的废水。氟化物在一定浓度下可以对鱼类和其他水生生物产生毒性，并影响水生植物的生长。当人体食用这些动植物或饮用了含氟的水后，氟离子在人体内留存且不容易降解排出，长期摄入大量的氟可能导致骨骼氟中毒，会导致骨骼疼痛，骨骼脆弱等问题。这些废水含有大量的氟化物，如果随意排放，会给水环境带来极大的污染。

2、目前处理含氟废水的方式是通过化学方法在废水中加入化学剂，如碳酸盐、氢氧化铝等，经过反应或中和，使含氟废水中的氟离子生成难溶于水的含氟污泥，经过辐流式沉淀池沉淀后，利用污泥泵将辐流式沉淀池底部的含氟污泥抽取至污泥浓缩池中，从而降低废水的含氟量。

3、辐流式沉淀池需要使用挂泥机扫刮辐流式沉淀池底部的含氟污泥并聚堆，而后使用抽泥泵将含氟污泥抽取至污泥浓缩池中，该过程在脱氟沉淀过程中需要持续进行，电能消耗大，运行成本高，因此，仍有改进空间。

技术实现思路

1、为了降低半导体高氟废水处理系统的电能消耗，从而降低半导体高氟废水处理系统运行成本，本技术提供一种半导体高氟废水处理系统。

2、本技术提供的一种半导体高氟废水处理系统采用如下的技术方案：

3、一种半导体高氟废水处理系统，包括依次连通的含氟收集池、一级反应池、一级絮凝池、一级沉淀池、二级反应池、二级混凝池、二级沉淀池、出水池、精密过滤池以及树脂过滤罐，所述一级沉淀池底部设置有用于排出含氟污泥的排泥口以及根据含氟污泥的重量自动导通封闭所述排泥口的排泥结构，所述一级沉淀池设置有溢流堰，用以连通二级反应池；所述一级沉淀池底壁朝向所述排泥口倾斜向下设置，所述排泥结构活动设置于所述一级沉淀池底部；所述一级沉淀池底部还设置有用于将含氟污泥排放出所述一级沉淀池的排泥沟，所述排泥沟位于所述排泥口下方，用以接收从所述排泥口排出的含氟污泥。

4、通过采用上述技术方案,在一级沉淀池的底部设置排泥口和排泥沟，并利用排泥结构控制一级沉淀池内的含氟污泥的排放量，使得一级沉淀池内的含氟污泥自动排放，减少使用抽泥泵将含氟污泥抽至一级沉淀池外的情况，降低半导体高氟废水处理系统的电能消耗，从而降低半导体高氟废水处理系统运行成本。

5、优选的，所述排泥结构包括活动设置于所述一级沉淀池底壁并用于导通封闭所述排泥口的封堵块以及设置于所述一级沉淀池底壁用于驱动所述封堵块向所述一级沉淀池顶部伸出所述排泥口的弹性件，所述弹性件位于所述封堵块底部，所述弹性件始终处于压缩状态；所述一级沉淀池底部还设置有限制所述封堵块伸出所述排泥口至所述封堵块完全位于所述排泥口上方的限制件，当所述封堵块向所述一级沉淀池顶部伸出所述排泥口至极限位置时，所述封堵块部分位于所述排泥口内并封闭所述排泥口。

6、通过采用上述技术方案，含氟污泥的密度大于水的密度，当含氟污泥在一级沉淀池底壁堆积至一级沉淀池内含氟废水和含氟污泥的总重量大于弹性件的弹力时，封堵块在含氟废水和含氟污泥的重力下克服弹性件的弹力并向排泥沟运动并导通排泥口，使得含氟污泥从排泥口落入排泥沟中，结构简单，降低排泥结构的制作成本以及运行成本。同时通过限制件限制封堵块的运动，从而限制封堵块脱离排泥口，并提高封堵块重复导通封堵排泥口的精度。

7、优选的，所述一级沉淀池设置有若干分池，若干所述分池隔离设置，且每一所述分池均设置有排泥口、排泥结构以及限制件。

8、通过采用上述技术方案，利用分池分担排泥结构的负荷，减少一级沉淀池内的含氟废水和含氟污泥总质量大，导致一级沉淀池内的含氟废水和含氟污泥的总重力大于弹性件的形变上限的情况，有利于保护排泥结构；且有利于提高排泥结构根据含氟污泥沉淀量而自动导通封闭排泥口的精度。

9、优选的，所述限制件为设置于所述一级沉淀池底壁的限制杆以及设置于限制杆端部的限制块，所述限制杆呈长方杆状，所述弹性件套设于所述限制杆上，所述限制杆长度方向与所述一级沉淀池的深度方向一致，所述限制杆贯穿所述封堵块，所述限制块位于所述限制杆远离所述一级沉淀池底壁的端部，当所述封堵块向所述一级沉淀池顶部伸出所述排泥口至极限位置时，所述弹性件处于压缩状态，所述限制块抵接所述封堵块远离所述一级沉淀池底壁的一侧，且所述封堵块部分位于所述排泥口内并封闭所述排泥口。

10、通过采用上述技术方案，限制块和限制杆的结构简单，有利于降低制作一级沉淀池的成本。同时限制杆呈长方杆状，限制杆限制封堵块的运动路径的同时限制封堵块转动，进一步提高排泥结构根据含氟污泥沉淀量而自动导通封闭排泥口的精度。

11、优选的，所述一级沉淀池底部还设置有驱动所述限制杆升降的升降气缸，所述升降气缸的输出轴与所述限制杆固定连接，当所述升降气缸驱动所述限制杆下降至极限位置时，所述封堵块完全位于所述排泥口下方；当所述升降气缸驱动所述限制杆上升至极限位置时，所述封堵块部分位于所述排泥口内并封闭所述排泥口。

12、通过采用上述技术方案，当需要全部排出一级沉淀池内的含氟废水和含氟污泥时，通过升降气缸带动限制杆下降，封堵块在限制块的限制下向排泥口运动并导通排泥口，使得一级沉淀池内的含氟废水和含氟污泥从排泥口排入排泥沟中，减少使用设备抽取一级沉淀池内的含氟废水和含氟污泥的情况，进一步降低半导体高氟废水处理系统运行成本。

13、优选的，所述排泥沟设置有用于推动含氟污泥排出所述一级沉淀池外的刮板链带，所述排泥沟侧壁转动设置有刮板轴以及驱动所述刮板轴转动的刮板电机，所述刮板链带卡接于所述刮板轴上，所述刮板链带还固定设置有刮泥板，用以刮动含氟污泥至所述一级沉淀池外。

14、通过采用上述技术方案，含氟污泥流动性差，难以自动向排泥沟伸出一级沉淀池外的一端流动，长时间堆积容易堵塞排泥沟。利用刮板电机带动刮板轴和刮板链带转动，进而带动刮泥板将排泥沟内的含氟污泥刮向排泥沟伸出一级沉淀池外的一端，进而快速排出排泥沟内的含氟污泥，减少排泥沟内的含氟污泥因堆积而堵塞排泥沟的情况。

15、优选的，所述排泥口位于所述分池的一角并位于所述排泥沟的一侧，用以扩大所述刮泥板的活动空间。

16、通过采用上述技术方案，使得升降气缸、排泥结构和限制件设置于排泥沟的一侧，减少升降气缸、排泥结构和限制件对刮板链带和刮泥板的阻碍，并扩大刮泥板的活动空间，进一步提高含氟污泥排出排泥沟内的效率。

17、优选的，所述封堵块远离所述一级沉淀池底壁的一侧倾斜设置，且倾斜面从靠近所述封堵块的中间位置向下倾斜设置，当所述封堵块向所述一级沉淀池顶部伸出所述排泥口至极限位置时，倾斜面的最低处与所述排泥口的最高处齐平。

18、通过采用上述技术方案，分池底壁的含氟污泥多次排放后排泥口正上方的含氟污泥上表面下凹，而封堵块的侧壁高于分池底壁，靠近分池侧壁的含氟污泥向封堵块的侧壁挤压，容易导致封堵块顶部承受含氟污泥的重力精度下降。通过设置封堵块顶部为倾斜面，且封堵块向上伸出排泥口至极限位置时，封堵块的倾斜面的最低处与排泥口最高处齐平，使得分池底壁各方向的含氟污泥的重力均施加于封堵块的顶部，进一步提高排泥结构根据含氟污泥沉淀量而自动导通封闭排泥口的精度。

19、封堵块顶侧更容易受到分池底壁上的含氟污泥的重力，

20、综上所述，本技术包括以下至少一种有益技术效果：

21、1.通过设置排泥口、排泥沟以及排泥结构，使得一级沉淀池内的含氟污泥自动排放，减少使用抽泥泵将含氟污泥抽至一级沉淀池外的情况，降低半导体高氟废水处理系统的电能消耗，从而降低半导体高氟废水处理系统运行成本。

22、2.通过设置弹性件、封堵块、封堵块顶部为倾斜面、限制杆以及限制块，使得封堵块和弹性件根据排泥结构根据含氟污泥沉淀量而自动导通封闭排泥口；同时限制杆和限制块限制封堵块的运动路径、向上伸出排泥口的极限位置和限制封堵块转动，提高排泥结构根据含氟污泥沉淀量而自动导通封闭排泥口的精度；同时封堵块顶部为倾斜面，进一步提高排泥结构根据含氟污泥沉淀量而自动导通封闭排泥口的精度。