技术特征：
技术总结
提供了一种用于使存在于半导体制造工艺的流出物中的N2O气体减量的方法。该方法包括将氢气和/或氨气注入等离子体源(100)中、以及激发含有N2O气体的流出物与氢和/或氨气并且使含有N2O气体的流出物与氢和/或氨气反应以形成减量材料。通过使用氢气或氨气，N2O气体的破坏去除率(DRE)是至少百分之五十，同时实质上降低减量材料中一氧化氮(NO)和/或二氧化氮(NO2)的浓度，诸如以体积计最多百万分之五千(ppm)。
技术研发人员：达斯汀·W·霍;约瑟夫·A·万戈佩尔;正·袁;詹姆斯·拉赫鲁;瑞安·T·唐尼
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2017.02.03
技术公布日：2019.09.06