半导体低温试验箱装置的制作方法

文档序号:18836702发布日期:2019-10-09 05:41阅读:来源:国知局

技术特征:

1.半导体低温试验箱装置,其特征在于,所述装置包括:

用于获取发热元件的红外图像的红外热成像传感器,红外热成像传感器的输出端连接有微控制单元的输入端,微控制单元的输出端连接有半导体制冷组件的一端,半导体制冷组件的另一端通过导向冷管连接至发热元件,所述导向冷管靠近发热元件的一端与发热元件之间设有第一间距,在导向冷中设有电机,在电机转轴上设有扇叶;

还包括向红外热成像传感器、微控制单元以及半导体制冷组件供电的供电单元。

2.根据权利要求1所述的半导体低温试验箱装置,其特征在于,所述半导体制冷组件包括由预设数量半导体制冷元件构成的制冷阵列。

3.根据权利要求2所述的半导体低温试验箱装置,其特征在于,在微控制单元与半导体制冷组件之间,还设有无触点控制单元。

4.根据权利要求3所述的半导体低温试验箱装置,其特征在于,所述无触点控制单元包括由预设数量无触点开关构成的开关阵列;

其中,每个无触点开关控制每个半导体制冷元件所处回路的通断。

5.根据权利要求4所述的半导体低温试验箱装置,其特征在于,无触点开关为P型MOS管。

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