1.一种ag2s量子点敏化的纳米叶状invo4薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：制备invo4薄膜
(1)将inci3溶于去离子水，常温下磁力搅拌，加入nh4vo3，滴加naoh溶液调节混合溶液的ph值，继续搅拌，超声处理，配制得到invo4前驱体溶液；
(2)将洗净备用的fto导电面朝下放置在不锈钢高压反应釜内胆中，倒入步骤一(1)中制备的invo4前驱体溶液，水热反应后冷却至室温后取出fto，用去离子水清洗，烘干制备得到invo4薄膜；
步骤二：制备invo4/ag2s薄膜
(1)将agno3溶于去离子水，常温下磁力搅拌，配制得到agno3溶液；
(2)将na2s溶于去离子水，常温下磁力搅拌，配制得到na2s溶液；
(3)采用连续离子层吸附反应法制备invo4/ag2s薄膜。
2.如权利要求1所述的一种ag2s量子点敏化的纳米叶状invo4薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中的(1)的工艺参数为：将0.1-0.3ginci3溶于50ml去离子水，常温下磁力搅拌15min，然后加入0.2-0.4gnh4vo3，滴加naoh溶液调节混合溶液的ph值至7，继续搅拌15min，然后超声处理15min，得到invo4前驱体溶液。
3.如权利要求1所述的一种ag2s量子点敏化的纳米叶状invo4薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中的(2)的工艺参数为：将洗净备用的fto导电面朝下放置在不锈钢高压反应釜内胆中，倒入所述步骤一(1)制备的invo4前驱体溶液，在120℃下水热反应4-8h，冷却至室温后取出fto并用去离子水清洗，60℃烘干制备得到invo4薄膜。
4.如权利要求1所述的一种ag2s量子点敏化的纳米叶状invo4薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二中的(1)的工艺参数为：将0.1-0.4gagno3溶于40ml去离子水，常温下磁力搅拌5min，配制得到agno3溶液。
5.如权利要求1所述的一种ag2s量子点敏化的纳米叶状invo4薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二中的(2)的工艺参数为：将0.2-0.5gna2s溶于40ml去离子水，常温下磁力搅拌5min，配制得到na2s溶液。
6.如权利要求1所述的一种ag2s量子点敏化的纳米叶状invo4薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二中的(3)的工艺参数为：将所述步骤一中(2)制备的invo4薄膜于步骤二(1)中的agno3溶液浸渍10s，用去离子水清洗；再将invo4薄膜于步骤二(2)中的na2s溶液浸渍10s，再用去离子水清洗。此过程为1个周期，循环15-30个周期。最后，60℃烘干制备得到invo4/ag2s薄膜。