1.一种半导体工艺设备中的进气结构，其特征在于，包括：
喷嘴(100)，所述喷嘴(100)设有第一进气区(110)和第二进气区(120)，所述第一进气区(110)位于所述喷嘴(100)的轴线上，所述第二进气区(120)位于所述第一进气区(110)一侧；
匀流板(200)，所述匀流板(200)设有安装孔(210)、第一匀流通道(220)、第二匀流通道(230)、第一连通通道(240)和第二连通通道(250)，所述安装孔(210)与所述第一进气区(110)对应设置，所述喷嘴(100)的出气端设置在所述安装孔(210)中，所述第一匀流通道(220)环绕所述安装孔(210)设置，所述第二匀流通道(230)环绕所述第一匀流通道(220)设置，所述第一匀流通道(220)和所述第二匀流通道(230)上均设置有多个均匀且间隔设置的送气孔(260)，所述第一连通通道(240)与所述第一匀流通道(220)连通，所述第二连通通道(250)与所述第二匀流通道(230)连通；
所述第二进气区(120)可选择性地通过所述第一连通通道(240)与所述第一匀流通道(220)连通，或者，通过所述第二连通通道(250)与所述第二匀流通道(230)连通；在所述第二进气区(120)与所述第一匀流通道(220)连通的情况下，所述第二进气区(120)与所述第二匀流通道(230)隔断；在所述第二进气区(120)与所述第二匀流通道(230)连通的情况下，所述第二进气区(120)与所述第一匀流通道(220)隔断。
2.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，所述第二进气区(120)在所述出气端上形成至少一个进气孔(121)，各所述进气孔(121)均位于所述第一进气区(110)的同一侧，所述第一连通通道(240)和所述第二连通通道(250)相对设置于所述安装孔(210)的两侧。
3.根据权利要求1所述的进气结构，其特征在于，所述第一连通通道(240)包括第一对接段(241)和多个第一输送段(242)，所述第一对接段(241)用于与所述第二进气区(120)连通，多个所述第一输送段(242)均用于连通所述第一对接段(241)和所述第一匀流通道(220)。
4.根据权利要求3所述的进气结构，其特征在于，所述第二连通通道(250)包括第二对接段(251)和多个第二输送段(252)，所述第二对接段(251)用于与所述第二进气区(120)连通，多个所述第二输送段(252)均用于连通所述第二对接段(251)和所述第二匀流通道(230)，多个所述第二输送段(252)均不与所述第一匀流通道(220)连通。
5.根据权利要求4所述的进气结构，其特征在于，所述第一连通通道(240)、所述第二连通通道(250)、所述第一匀流通道(220)和所述第二匀流通道(230)均位于同一水平面上，至少一个所述第一输送段(242)与至少一个所述第二输送段(252)交叉连通；所述进气结构还包括隔断件(310)，设置在所述第一连通通道(240)或所述第二连通通道(250)中，用于在所述第二进气区(120)与所述第一连通通道(240)连通的情况下，隔断所述第一连通通道(240)与所述第二匀流通道(230)，在所述第二进气区(120)与所述第二连通通道(250)连通的情况下，隔断所述第二连通通道(250)与所述第一匀流通道(220)。
6.根据权利要求5所述的进气结构，其特征在于，在所述第二进气区(120)与所述第一连通通道(240)连通的情况下，每一所述第二输送段(252)与所述第二匀流通道(230)的连接处均设置有所述隔断件(310)，以隔断所述第一连通通道(240)与所述第二匀流通道(230)。
7.根据权利要求5所述的进气结构，其特征在于，在所述第二进气区(120)与第二连通通道(250)连通的情况下，每一与所述第二输送段(252)交叉连通的所述第一输送段(242)的两端均设置有所述隔断件(310)，以隔断所述第二连通通道(250)与所述第一匀流通道(220)。
8.根据权利要求5所述的进气结构，其特征在于，所述隔断件(310)上设有定位销(320)，所述第一连通通道(240)、所述第二连通通道(250)、所述第一匀流通道(220)和/或所述第二匀流通道(230)中设有定位孔，所述定位销(320)与所述定位孔插接配合。
9.根据权利要求5所述的进气结构，其特征在于，所述第一匀流通道(220)包括多个匀流通道段，所述第二输送段(252)从两个相邻的所述匀流通道段之间穿过与所述第二匀流通道(230)连通。
10.一种半导体工艺设备，包括工艺腔室，所述工艺腔室的上部设置有介质窗，其特征在于，还包括如权利要求1-9任一项所述的进气结构，所述介质窗的底面上设置有匀流板(200)，喷嘴(100)的进气端穿过所述介质窗设置在所述匀流板(200)的安装孔(210)中。