技术特征：
1.一种电渗析用全氟离子交换膜的制备方法，包括设备主体(4)，其特征在于：所述设备主体(4)的顶部固定连接有(1)，所述顶置板(1)的顶部中间位置连通有连通管(5)，所述顶置板(1)的顶部位于连通管(5)的两侧固定连接有辅助架(2)，所述顶置板(1)的正面顶部右侧固定连接有控制面板(3)，所述设备主体(4)的两侧外壁中部设置有制备装置(6)，所述制备装置(6)的中部贯穿设备主体(4)。2.根据权利要求1所述的一种电渗析用全氟离子交换膜的制备方法，其特征在于：所述制备装置(6)包括支撑板(62)，所述支撑板(62)的顶部固定连接有热压机构(65)，所述热压机构(65)的顶部中间位置设置有输送机构(64)，所述热压机构(65)的顶部位于输送机构(64)的两侧固定连接有弧形挡板(63)，所述热压机构(65)的两侧外壁中部连通有开合管道(61)。3.根据权利要求2所述的一种电渗析用全氟离子交换膜的制备方法，其特征在于：所述输送机构(64)包括连接壳(641)，所述连接壳(641)的顶部连通有溢流管(645)，所述溢流管(645)的两侧内壁底部设置有接触环(644)，所述接触环(644)的底部两侧均固定连接有弹性侧板(643)，所述弹性侧板(643)的底部固定连接有存储件(642)。4.根据权利要求2所述的一种电渗析用全氟离子交换膜的制备方法，其特征在于：所述热压机构(65)包括密封壳体(655)，所述密封壳体(655)的内腔底部固定连接有联动机构(654)，所述密封壳体(651)的内腔底部位于联动机构(654)的两侧固定连接有限位架(653)，所述限位架(653)的内腔顶部固定连接有导热压体(652)，所述导热压体(652)的顶部中间位置设置有阻隔架(651)。5.根据权利要求4所述的一种电渗析用全氟离子交换膜的制备方法，其特征在于：所述联动机构(654)包括保温壳体(d1)，所述保温壳体(d1)的内腔底部中间位置固定连接有集流框架(d2)，所述集流框架(d2)的内腔底部中间位置设置有联动支架(d4)，所述集流框架(d2)的顶部位于联动支架(d4)的两侧设置有移动切板(d4)，所述保温壳体(d1)的内腔底部位于集流框架(d2)的两侧设置有推动件(d3)。6.根据权利要求5所述的一种电渗析用全氟离子交换膜的制备方法，其特征在于：所述推动件(d3)的顶部贯穿保温壳体(d1)且延伸至保温壳体(d1)的外部。7.根据权利要求4所述的一种电渗析用全氟离子交换膜的制备方法，其特征在于：所述阻隔架(651)的底部贯穿导热压体(652)且延伸至导热压体(652)的内部。8.根据权利要求1所述的一种电渗析用全氟离子交换膜的制备方法，其特征在于：所述顶置板(1)的顶部位于辅助架(2)的两侧均固定连接有定位柱。9.一种电渗析用全氟离子交换膜的制备的使用方法，其特征在于：步骤一：将设备进行安装，并将制备装置(6)插入设备主体(4)内部，将连通管(5)插入设备主体(4)内部与制备装置(4)进行连通；步骤二：将输送机构(64)插入热压机构(65)内部，并随着开合管道(61)对内部的物料进行多位置输送，将弧形挡板(63)与热压机构(65)进行连接，能够对其进行保护；步骤三：利用弹性侧板(643)将接触环(644)和存储件(642)进行微量的升降移动，并对物料进行多角度的接触，通过连接壳(641)与溢流管(645)进行连通，使得接触环(644)能够进行垂直方向的运动；步骤四：通过物料垂直下落先接触阻隔架(651)，并利用阻隔架插入导热压体(652)进
行输送，通过限位架(653)与能源连接后带动导热压体(652)与联动机构(654)进行接触，从而对物料进行挤压形变；步骤五：将保温壳体(d1)与集流框架(d2)进行连接，从而增大了内部的稳定性，并将推动件(d3)与移动切板(d4)进行连接，使得联动支架(d5)在集流框架(d2)内部移动增大切割面积；步骤六：通过移动切板(d4)与导热压体(652)产生活动的空间，并进行相对方向的移动，从而加快生产的速度，将密封壳体(655)与开合管道(61)进行连通，并随之提高内部的密封性。
技术总结
本发明公开了一种电渗析用全氟离子交换膜的制备方法，包括设备主体，所述设备主体的顶部固定连接有，所述顶置板的顶部中间位置连通有连通管，所述顶置板的顶部位于连通管的两侧固定连接有辅助架，所述顶置板的正面顶部右侧固定连接有控制面板，所述设备主体的两侧外壁中部设置有制备装置，所述制备装置的中部贯穿设备主体，本发明涉及离子交换膜技术领域。该电渗析用全氟离子交换膜的制备方法，增大内部的生产效果，同时开合管道与支撑板的配合，便于保证内部的稳固性，有效的降低了装置的晃动，使得产出的产品的厚度均匀，避免了产品表面出现划痕或裂缝，有效的提高了产品的生产质量，同时随其能够均匀受热。同时随其能够均匀受热。同时随其能够均匀受热。
技术研发人员：梁国富
受保护的技术使用者：梁国富
技术研发日：2021.08.18
技术公布日：2021/11/16