技术特征：
1.一种可燃气体稀释器，用于将可燃气体的流稀释到低于所述可燃气体的可燃极限的浓度，所述稀释器包括：稀释容器，其包括限定从入口到出口的纵向流动通道的外包络；至少一个空气入口组件，其用于将空气流引导到所述稀释容器的所述入口中；可燃气体入口装置，其包括多个孔口，至少一些孔口被布置在朝向所述稀释容器的所述入口端跨过所述稀释容器的横截面与所述稀释容器的所述外包络相距不同的距离处；多个气流引导结构，其被布置在所述可燃气体入口装置和所述出口之间，每个气流引导结构沿着所述稀释容器的长度处于不同位置；其中，所述多个气流结构中的至少一个是向内引导气流结构，用于引导气流远离所述外包络，并且所述气流结构中的至少一个是向外引导气流结构，用于引导气流朝向所述外包络；并且其中，所述稀释容器包括收缩部，所述可燃气体入口装置位于所述收缩部内，使得所述空气在通过所述可燃气体入口之前被加速。2.根据权利要求1所述的可燃气体稀释器，包括至少一个气流发生器，用于将空气流泵送到所述空气入口组件中，所述至少一个气流发生器位于所述可燃气体入口装置的上游。3.根据权利要求2所述的可燃气体稀释器，包括两个气流发生器，所述两个气流发生器被构造成作为运转和备用气流发生器来操作。4.根据权利要求2或3所述的可燃气体稀释器，其中，所述至少一个气体流发生器和稀释容器被构造成使得所述空气在所述可燃气体入口装置处的流动速度大于可燃气体的火焰速度。5.根据任一前述权利要求所述的可燃气体稀释器，其中，所述可燃气体入口装置被构造成使得所述孔口面向远离所述气体出口。6. 根据权利要求5所述的可燃气体稀释器，其中，所述可燃气体入口装置的所述孔口的直径在2和5 mm之间。7.根据任一前述权利要求所述的可燃气体稀释器，其中，所述可燃气体入口装置包括外环通道和从所述外环通道朝向所述环的中心延伸的径向通道，所述径向通道包括所述孔口。8.根据任一前述权利要求所述的可燃气体稀释器，其中，所述可燃气体包括氢气。9.根据任一前述权利要求所述的可燃气体稀释器，其中，所述稀释容器、可燃气体入口装置和气体引导结构由金属形成并且接地。10.根据任一前述权利要求所述的可燃气体稀释器，其中，所述向内引导气流结构包括从所述外包络突出到其中的环状挡板，并且所述向外引导气流结构包括居中定位的锥形挡板，所述锥体的顶点面向所述稀释容器的所述入口。11. 根据任一前述权利要求所述的可燃气体稀释器，所述稀释容器包括小于70升的体积，所述可燃气体稀释器被构造成稀释高达1000 slm的可燃气体流。12.根据任一前述权利要求所述的可燃气体稀释器，所述可燃气体稀释器包括邻近于所述出口的可燃气体采样器，所述可燃气体采样器与可燃气体传感器流体连通，所述可燃气体稀释器还包括控制电路，所述控制电路用于响应于所述可燃气体传感器指示可燃气体的浓度高于预定水平而抑制可燃气体向所述稀释器的流动。
13. 一种用于排空半导体处理工具中的至少一个真空腔室的真空泵送系统，所述真空泵送系统包括：多个真空泵，其用于排空所述至少一个真空腔室；以及消减系统，其用于接收来自所述至少一个真空腔室中的至少一个的排气，其中，所述消减系统包括根据任一前述权利要求所述的可燃气体稀释器。14. 根据权利要求13所述的真空泵送系统，其中，所述半导体处理工具包括极紫外光刻工具，并且所述可燃气体包括氢气。15.根据权利要求13至14中任一项所述的真空泵送系统，还包括用于容纳所述多个泵的壳体；以及真空系统气流发生器，其被构造成使空气流流过所述壳体到达空气流管道；所述空气流管道与所述至少一个空气入口组件流体连通，以便将所述空气供应到所述可燃气体稀释器。
技术总结
公开了一种可燃气体稀释器（5），用于将可燃气体的流稀释到低于所述可燃气体的可燃极限的浓度。所述稀释器（5）包括：稀释容器（10），其包括限定从入口（11）到出口（12）的纵向流动通道的外包络；至少一个空气入口（16），其用于将空气流引导到所述稀释器的所述入口中；以及可燃气体入口装置（15）。所述稀释容器具有多个气流引导结构（30、32、34、36），其被布置在所述可燃气体入口装置和所述出口之间，每个气流引导结构沿着所述稀释容器的长度处于不同位置。所述多个气流结构中的至少一个是向内引导气流结构（32、36），用于引导气流远离所述外包络，并且所述气流结构中的至少一个是向外引导气流结构（30、34），用于引导气流朝向所述外包络。用于引导气流朝向所述外包络。用于引导气流朝向所述外包络。
技术研发人员：J
受保护的技术使用者：爱德华兹有限公司
技术研发日：2021.04.07
技术公布日：2022/11/11