技术特征：
1.一种电子级多晶硅热破碎装置，其特征在于，包括：第一传送单元，多晶硅棒料沿所述第一传送单元的一端传送至另一端；加热仓，所述加热仓的相对两个侧面上设有仓口，所述传送单元通过所述仓口可移动地贯穿所述加热仓，所述仓口处设有仓门，所述仓门关闭时所述加热仓形成封闭空间，所述加热仓的内壁上设有加热器和温度探测器，且所述加热仓壁上还设有抽真空口和保护气体入口；冷却槽，所述冷却槽靠近所述第一传送单元的另一端，且所述冷却槽的最高点不高于所述第一传送单元的传送面，以便使所述第一传送单元将所述加热后的多晶硅棒料传送至所述冷却槽；第二传送单元，冷却后的所述多晶硅棒料沿所述第二传送单元的一端传送至另一端；冲击破碎槽，所述冲击破碎槽靠近所述第二传送单元的另一端，且所述冲击破碎槽的最高点不高于所述第二传送单元的传送面，以便使所述第二传送单元将干燥后的所述多晶硅棒料运送至所述冲击破碎槽。2.根据权利要求1所述的电子级多晶硅热破碎装置，其特征在于，还包括破碎锤，所述冲击破碎槽设在所述破碎锤的捶打范围内。3.根据权利要求1所述的电子级多晶硅热破碎装置，其特征在于，所述冲击破碎槽内表面的最低点到所述第二传送单元的传送面所在平面的距离为0.8-1.5m。4.根据权利要求1～3任一项所述的电子级多晶硅热破碎装置，其特征在于，所述第一传送单元包括第一齿轮和第一传送带，所述第一传送带设在所述第一齿轮上，所述加热仓的底壁的上表面设有与所述第一齿轮相对应的齿痕，所述第一传送单元以所述加热仓的底壁为中心平移旋转；任选地，所述第二传送单元设在支撑件上，所述第二传送单元包括第二齿轮和第二传送带，所述第二传送带设在所述第二齿轮上，所述支撑件的上表面设有与所述第二齿轮相对应的齿痕，所述第二传送单元以所述支撑件为中心平移旋转；任选地，所述第一传送带和所述第二传送带分别包括多个传送片，单个所述传送片沿所述传送单元长度方向的长度为8-12cm，相邻所述传送片之间的距离为1.5-2.5cm；任选地，所述第一传送带和所述第二传送带的材质为石英，所述石英中sio2的质量含量不低于99.99％，所述第一齿轮和所述第二齿轮的材质为304不锈钢。5.根据权利要求1～3任一项所述的电子级多晶硅热破碎装置，其特征在于，所述加热仓壁包括两层，外层的材质为304不锈钢，内层的材质为石英，所述石英中sio2的质量含量不低于99.99％；任选地，所述加热仓仓壁的外层和所述加热仓仓壁的内层之间设有冷冻水盘管；任选地，所述保护气体入口处设有纳米过滤器；任选地，进入所述加热仓的所述保护气体的纯度不小于99.999％。6.根据权利要求1～3任一项所述的电子级多晶硅热破碎装置，其特征在于，所述加热仓的侧壁上还设有气缸，所述气缸通过连接杆与所述仓门连接；任选地，所述仓门通过密封层与所述仓口密封；任选地，所述密封层为特氟龙材质。7.根据权利要求1～3任一项所述的电子级多晶硅热破碎装置，其特征在于，所述冷却
槽内设有冷却水，所述冷却水的水温不高于30℃。8.根据权利要求7所述的电子级多晶硅热破碎装置，其特征在于，所述冷却槽设有进水口和出水口，所述冷却槽内水的流量不小于50l/min；任选地，所述冷却槽内设有高纯水，所述高纯水的电阻率为18mω*cm。9.根据权利要求8所述的电子级多晶硅热破碎装置，其特征在于，所述冷却槽的接触水的内衬为pvdf材质。10.根据权利要求2所述的电子级多晶硅热破碎装置，其特征在于，所述破碎锤捶打时的力度为70～90n；任选地，形成所述破碎锤的材料为超硬合金。
技术总结
本发明提出了一种电子级多晶硅热破碎装置，包括第一传送单元、加热仓、冷却槽、第二传送单元和冲击破碎槽，电子级多晶硅在加热仓中加热到500～1000℃，然后经过冷却水急速降温，从而使多晶硅获得一个瞬间的晶间应力使其自身瞬间破碎，生产过程中设备与多晶硅棒料接触的表面均为无污染材质，保证多晶硅棒料在整个破碎过程中不会被污染，同时能够避免大量碎屑和粉尘产生。和粉尘产生。和粉尘产生。
技术研发人员：闫家强 张天雨 仝礼 田新 徐玲锋
受保护的技术使用者：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
技术研发日：2022.02.14
技术公布日：2022/4/20