用于诸如MEMS压力传感器之类的对机械和热机械应力敏感的半导体器件的封装的制作方法

技术特征：

1.一种表面安装器件(50)，包括：

半导体材料的至少一个主体(6)；

限定开放空腔的封装，所述主体位于所述开放空腔中，所述封装包括承载所述主体的基部区域(15)、盖(20)和接触端子(3)，所述基部区域具有形成所述封装的外表面的表面，其中所述基部区域(15)具有低于5MPa的杨氏模量并且配置为弯曲到所述封装的所述开放空腔中；以及

在所述盖与所述基部区域之间位于所述开放空腔中的阻尼结构，所述阻尼结构占据所述开放空腔的第一部分，所述开放空腔的第二部分保持开放，所述阻尼结构被配置为限制所述主体朝向所述盖的移动。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述基部区域(15)是在具有低于5MPa的杨氏模量的硅树脂和非硅树脂材料之中选择出的材料。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述基部区域(15)是在具有低于2MPa的杨氏模量的硅树脂和非硅树脂材料之中选择出的材料。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其中所述基部区域(15)具有在所述主体(6)下面的空腔(23)和被附接至所述主体的外围下部分的内部环形部分。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其中键合接线(14)在所述主体(6)与所述接触端子(3)之间延伸且具有被附接至所述接触端子的端部，所述基部区域(15)覆盖所述键合接线(14)的所述端部并且部分地包围所述接触端子(3)。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其中所述盖(20)被直接固定至所述基部区域(15)。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其中所述阻尼结构(16)包括弹性材料的凸块(17)。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其中所述主体包括集成电路裸片(6)、被安装在所述集成电路裸片(6)上的MEMS部件(11)。

9.根据权利要求8所述的器件，其中所述MEMS部件(11)是压力传感器。

10.根据权利要求8所述的器件，其中裸片附接膜(10)在所述MEMS部件(11)与所述集成电路裸片(6)之间延伸。

11.根据权利要求8所述的器件，其中键合接线(14)在所述MEMS部件(11)与所述接触端子(3)之间延伸，所述器件(50)进一步包括弹性材料的凸块(17)，所述弹性材料的凸块(17)在所述MEMS部件的侧面上延伸且具有防止所述键合接线在所述器件(50)的跌落的情况下撞击所述盖(20)的高度。

12.一种用于形成表面安装器件的工艺，包括：

-将半导体材料的主体(6)附接至包括由空腔分开的接触端子(3)的支撑框架(1)；

-模制具有低于5MPa的杨氏模量的弹性材料，以形成至少部分地在所述主体(6)的侧面上延伸且填充所述支撑框架(1)的所述空腔的基部区域(15)；

-在所述支撑框架之上邻接所述主体形成阻尼结构；

-将盖(20)固定至所述基部区域(15)以形成包围所述主体的封装，其中固定所述盖形成开放空腔，所述主体和所述阻尼结构位于所述开放空腔中并且仅填充所述开放空腔的一部分，所述阻尼结构被配置为限制所述主体朝向所述盖的移动；以及

-移除所述支撑框架以暴露出所述基部区域的表面，

其中所述弹性材料配置为响应于施加到其一部分的力而弯曲到所述开放空腔中。

13.根据权利要求12所述的工艺，包括：在模制之前，通过具有被附接至所述接触端子(3)的端部的键合接线(14)将所述主体(6)连接至所述接触端子(3)，其中模制包括用所述基部区域(15)覆盖所述键合接线的所述端部。

14.根据权利要求12或13所述的工艺，其中形成阻尼结构(16)包括将弹性凸块(17)分配在所述主体(6)或所述盖(20)上。

15.根据权利要求12或13所述的工艺，其中将所述主体(6)附接至所述支撑框架(1)包括将所述主体附接至所述支撑框架的裸片焊盘(2)，所述工艺进一步包括：

-在固定所述盖(20)之后，将所述裸片焊盘(2)去除以形成在所述主体(6)下面的并且使所述主体的背面部分露出的、在所述基部区域(15)中的空腔(23)。

16.根据权利要求12或13所述的工艺，其中模制所述基部区域(15)包括分配所述弹性材料并使其固化。

17.根据权利要求12或13所述的工艺，其中将所述主体(6)附接至所述支撑框架(1)包括将第一粘合膜(5)施加在所述主体与所述支撑框架之间。

18.根据权利要求17所述的工艺，进一步包括：在将所述主体(6)附接至所述支撑框架(1)之后并且在模制弹性材料之前，通过第二粘合膜(19)将MEMS部件(11)附接至所述主体(6)上。

19.根据权利要求18所述的工艺，其中所述第一粘合膜和所述第二粘合膜(5，10)是裸片附接膜。