1.一种MEMS晶圆切割和晶圆级释放及测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：对MEMS晶圆正面涂光刻胶进行保护，背面利用减薄设备进行减薄，减薄后晶圆的厚度为100～300μm；
步骤2：在玻璃底座正面涂覆UV胶，直径与MEMS晶圆一致，MEMS晶圆正面朝上固定在透明的玻璃底座上，背面通过UV胶将MEMS晶圆的背面和玻璃底座正面进行临时键合；
步骤3：对载有MEMS晶圆的玻璃底座的背面进行第一次贴膜，所述第一次贴膜为蓝膜，将晶圆及玻璃底座整体固定在切割专用不锈钢框架上；
步骤4：切割，采用台阶切割，两步切割连续完成，沿切割方向上设有两个对齐的切刀片，两个切刀片连续切割；前切刀片先切割晶圆，后切刀片后切割晶圆，前切刀片将MEMS晶圆划透，后切刀片切入玻璃底座，且不划透玻璃底座，切割的进刀速度3～30mm/s，前后切刀片的厚度为30～60μm；
步骤5：清洗和甩干晶圆；
步骤6：将玻璃底座及MEMS晶圆整体从第一次贴膜上取下，并利用湿法去胶去除MEMS晶圆表面的光刻胶及硅屑硅渣；
步骤7：把带有玻璃底座的MEMS晶圆放入去胶设备中，进行晶圆级结构释放，释放完毕后，将晶圆取出，利用探针台对临时键合在玻璃底座上的MEMS晶圆进行晶圆级测试；
步骤8：解键合，使用UV照射机，对晶圆和玻璃底座之间的UV胶进行照射，照射时间控制在30～100s，调节UV灯管能量在120～360mJ/cm2之间，可将UV胶的粘性降到以前的1～10％；
步骤9：在载有MEMS晶圆的玻璃底座背面进行第二次贴膜，把玻璃底座固定在不锈钢框架上，把玻璃底座背面的气泡移出；
步骤10：利用裂片装置沿着MEMS晶圆切割道将玻璃底座裂开，确保所所有芯片完全分开，然后，利用扩膜机对晶圆进行扩膜处理，使所有芯片向四周均匀扩开；
步骤11：利用进行晶圆级光学检测，分选出合格芯片
步骤12：封装测试，利用芯片拾取设备，将芯片放入芯片储存盒中，进行封装测试。
2.根据权利要求1所述的一种MEMS晶圆切割和晶圆级释放及测试方法，其特征在于，所述玻璃底座的厚度为200～400μm。
3.根据权利要求1所述的一种MEMS晶圆切割和晶圆级释放及测试方法，其特征在于，步骤9中，所述第二次贴膜为蓝膜或UV膜。
4.根据权利要求1所述的一种MEMS晶圆切割和晶圆级释放及测试方法，其特征在于，所述第一次贴膜和第二次贴膜的厚度为80～120mm。
5.根据权利要求1所述的一种MEMS晶圆切割和晶圆级释放及测试方法，其特征在于，步骤4中后切刀片切入玻璃底座的深度为所述玻璃底座厚度的30％～70％。
6.根据权利要求1所述的一种MEMS晶圆切割和晶圆级释放及测试方法，其特征在于，步骤10中，得到扩散的芯片，每个芯片之间的间距控制在50～200μm。
7.根据权利要求1所述的一种MEMS晶圆切割和晶圆级释放及测试方法，其特征在于，步骤4中，所述前切刀片的厚度大于所述后切刀片的厚度。