技术总结
本实用新型公开了一种芯片晶圆，包括芯片，芯片埋置在有机树脂层内，芯片的正面设有一层绝缘层，绝缘层与管脚对应的位置设有盲孔，在有机树脂层的底部设有通过盲孔与管脚电连接的第一重布线层，在第一重布线层上设有第一钝化层，在有机树脂层的顶部设有穿透有机树脂层并与管脚连通的塑封料通孔，在塑封料通孔内填镀与第一重布线层电连接的通孔金属，在有机树脂层的顶部设有通过塑封料通孔内的通孔金属与第一重布线层电连接的第二重布线层，在第二重布线层上设有第二钝化层，在第一钝化层上设有与管脚电连接的凸块。本实用新型将ASIC芯片或者MEMS芯片通过扇出型封装形式，使其尺寸能够和MEMS芯片或者ASIC芯片晶圆实现晶圆级封装。
技术研发人员：黄玲玲
受保护的技术使用者：北京万应科技有限公司
文档号码：201720610583
技术研发日：2017.05.27
技术公布日：2018.02.02