一种MEMS芯片的制作方法

文档序号:13852404阅读:来源:国知局
一种MEMS芯片的制作方法

技术特征:

1.一种MEMS芯片,其特征在于,包括衬底(11),以及支撑在衬底(11)上的极板(14),所述衬底(11)与所述极板(14)之间形成容纳空间,还包括被自由设置在所述容纳空间中的敏感膜(13),所述敏感膜(13)与极板(14)构成了电容器结构;在所述容纳空间内设置有限位柱(17),所述限位柱(17)穿过所述敏感膜(13),以限定所述敏感膜(13)的振动方向。

2.根据权利要求1所述的MEMS芯片,其特征在于,在所述敏感膜(13)上设置有用于使所述限位柱(17)穿过的过孔(18)。

3.根据权利要求2所述的MEMS芯片,其特征在于,所述过孔(18)与限位柱(17)的外壁之间具有用于释放敏感膜(13)内应力的间隙。

4.根据权利要求1所述的MEMS芯片,其特征在于,在所述敏感膜(13)上设置有供限位柱(17)穿过的缺口(19),所述缺口(19)贯通至敏感膜(13)的边缘。

5.根据权利要求4所述的MEMS芯片,其特征在于,所述缺口(19)与限位柱(17)的外壁之间具有用于释放敏感膜(13)内应力的间隙。

6.根据权利要求1所述的MEMS芯片,其特征在于,在所述极板(14)与所述敏感膜(13)之间设置有用于防止所述极板(14)与所述敏感膜(13)粘连的第一凸起(15)。

7.根据权利要求1所述的MEMS芯片,其特征在于,在所述敏感膜(13)与所述衬底(11)之间设置有用于防止所述敏感膜(13)与所述衬底(11)相粘连的第二凸起(16)。

8.根据权利要求1所述的MEMS芯片,其特征在于,所述敏感膜(13)上邻近所述限位柱(17)穿过的区域设置有补强部(13a)。

9.根据权利要求8所述的MEMS芯片,其特征在于,所述补强部(13a)设置在敏感膜(13)的一侧或者两侧。

10.根据权利要求1至9任一项所述的MEMS芯片,其特征在于,所述MEMS芯片为MEMS麦克风芯片。

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