1.一种微机电系统(micro-electromechanicalsystem，mems)结构，其特征在于，包括：
基材，具有贯穿孔；
介电层，位于该基材上，具有开口(cavity)与该贯穿孔连通；
振膜(membrane)，具有至少一气孔，且嵌设于该介电层中，并与该介电层共同定义出第一腔室，与该贯穿孔相互连通；
背板(blackplate)，位于该介电层上；以及
掩膜(shadowlayer)，一端嵌设于该介电层中，另一端延伸进入该开口中，并与该振膜空间隔离(spatialisolation)，且与该气孔至少一部分重叠。
2.根据权利要求1所述的微机电系统结构，其该振膜的一端嵌设于该介电层中，另一端延伸进入该开口，用于将该开口区隔成第一部分和第二部分；其中，该第一部分与该贯穿孔相互连通形成该第一腔室；该背板与该介电层共同定义出包括该第二部分的第二腔室。
3.根据权利要求2所述的微机电系统结构，其中该掩膜延伸进入该开口中的该另一端延伸进入该第一腔室或该第二腔室。
4.根据权利要求2所述的微机电系统结构，其中该第一腔室经由该至少一气孔连通该第二腔室。
5.根据权利要求1所述的微机电系统结构，其中该掩膜包括氮化硅或多晶硅；且该介电层包括硅氧化物。
6.根据权利要求1所述的微机电系统结构，其中该至少一气孔包括窄沟(slit)或通孔。
7.根据权利要求1所述的微机电系统结构，其中该振膜包括导电材料，该背板包括导电层。
8.根据权利要求1所述的微机电系统结构，其中该掩膜是多层结构。
9.根据权利要求1所述的微机电系统结构，其中该背板包括至少一通孔。
10.一种微机电系统结构的制作方法，包括：
在基材上形成介电层；
形成振膜，具有至少一气孔，使该振膜嵌设于该介电层中；
形成掩膜嵌设于该介电层中，使其位于该基材和该振膜之间或位于该振膜远离该基材的一侧，并与该振膜空间隔离，且与该气孔至少一部分重叠；
在该介电层上形成背板，使该背板具有至少一通孔对准该贯穿孔，并将一部分的该介电层暴露出来；
在该基材中形成贯穿孔，并将一部分的该介电层暴露出来；以及
经由该至少一气孔、该通孔和该贯穿孔移除一部分该介电层，以于该振膜和该基材之间形成第一腔室。
11.根据权利要求10所述的微机电系统结构的制作方法，其中移除该部分该介电层的步骤，包括于该振膜和该背板之间形成第二腔室，且该第一腔室经由该至少一气孔连通该第二腔室。
12.根据权利要求10所述的微机电系统结构的制作方法，其中形成该介电层、该掩膜和该振膜的步骤，包括：
在该基材上方形成第一硅氧化物层；
在该第一硅氧化物层上形成图案非硅氧化物层；
在该图案非硅氧化物层上形成第二硅氧化物层；
在该图案非硅氧化物层上形成图案化导电薄膜；以及
在该图案化导电薄膜上形成第三硅氧化物层。
13.根据权利要求10所述的微机电系统结构的制作方法，其中形成该介电层、该掩膜和该振膜的步骤，包括：
在该基材上方形成第一硅氧化物层；
在该第一硅氧化物层上形成图案化导电薄膜；
在该图案化导电薄膜上形成第二硅氧化物层；
在该第二硅氧化物层上形成图案非硅氧化物层；以及
在该图案非硅氧化物层上形成第三硅氧化物层。
14.根据权利要求12或13所述的微机电系统结构的制作方法，其中该图案非氧硅化物层包括氮化硅或多晶硅。
15.根据权利要求10所述的微机电系统结构的制作方法，其中形成该背板的步骤，包括:
在该介电层上形成导电层；
在该导电层上形成介电保护层；以及
图案化该导电层和该介电保护层。
16.根据权利要求10所述的微机电系统结构的制作方法，其中移除一部分该介电层的步骤，包括湿式蚀刻。
17.根据权利要求10所述的微机电系统结构的制作方法，其中形成该贯穿孔的步骤，包括干式蚀刻。