1.一种传感器的制造方法，其特征在于，所述传感器包括封装壳，所述封装壳包括围板、及分别设于所述围板两端的顶板和底板，所述围板的两端分别设有第一连接结构和第二连接结构；所述第一连接结构与所述第二连接结构其中之一连接所述围板的一端与所述顶板，另一连接所述围板的另一端与所述底板；且所述第一连接结构与所述第二连接结构的宽度均大于或等于0.1毫米，且小于或等于0.3毫米；
所述传感器的制造方法包括：
s100、提供包括多个第一板单元的第一pcb板、包括多个围板单元的第二pcb板、及包括多个第二板单元的第三pcb板，所述第一板单元和所述第二板单元其中之一为顶板单元，另一为底板单元；所述第二pcb板上设有第一连接结构和第二连接结构，且每一所述围板单元在所述第二pcb板的两侧面均分别设有一所述第一连接结构和一所述第二连接结构；
s200、将所述第二pcb板安装于所述第一pcb板，以形成第一集合体；且每一所述围板单元均通过所述第一连接结构对应连接有一所述第一板单元，以在所述第一集合体上形成多个中间过渡体单元；
s300、从所述第一集合体上分离出中间过渡体单元，以获得多个中间过渡体；
s400、将所述中间过渡体安装到第三pcb板上，以形成第二集合体；且每一所述第二板单元均对应安装有一个所述中间过渡体，所述第二连接结构连接所述第二板单元与所述中间过渡体，以在所述第二集合体上形成多个传感器单元；以及
s500、从所述第二集合体上分离出所述传感器单元，以获得多个传感器。
2.如权利要求1所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述第一连接结构为第一焊接环；
所述将所述第二pcb板安装于所述第一pcb板，以形成第一集合体的步骤s200包括：
s220、将锡膏涂覆到所述第一pcb板上的每一个所述第一板单元上；以及
s230、将所述第二pcb板贴装于所述第一pcb板，且每一个所述第一板单元上的锡膏连接该第一板单元与该第一板单元所对应的所述围板单元的第一焊接环。
3.如权利要求2所述的传感器的制造方法，其特征在于，在所述将所述第二pcb板安装于所述第一pcb板，以形成第一集合体的步骤s200中，所述第一pcb板平放设置，且所述第二pcb板从所述第一pcb板的上方贴装于所述第一pcb板的上表面。
4.如权利要求3所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述第二连接结构为第二焊接环；
所述将所述中间过渡体安装到第三pcb板上，以形成第二集合体的步骤s400包括：
s420、将锡膏涂覆到所述第三pcb板上的每一个所述第二板单元上；以及
s430、将所述中间过渡体贴装于所述第三pcb板，且每一个所述第二板单元上的锡膏均连接该第二板单元与该第二板单元所对应的围板单元的第二焊接环。
5.如权利要求1所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述第一连接结构为第一焊接环；
所述将所述第二pcb板安装于所述第一pcb板，以形成第一集合体的步骤s200包括：
s201、将锡膏涂覆到所述第一pcb板上的每一个所述第一板单元上；
s202、将锡膏涂覆到所述第二pcb板上的每一个所述围板单元的第一焊接环上；以及
s203、将所述第二pcb板贴装到所述第一pcb板上，且每一对相对应设置的所述第一板单元与所述围板单元上的锡膏连接该第一板单元与该围板单元的第一焊接环。
6.如权利要求2所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述第一焊接环包括设于所述第二pcb板侧面的铜层、及设于所述铜层表面的镍层、及设于该镍层表面的金层，所述镍层设于所述铜层与所述金层之间。
7.如权利要求6所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述第一焊接环的厚度大于或等于20微米；和/或，
所述镍层的厚度大于或等于3微米，且小于或等于8微米；和/或，
所述金层的厚度大于或等于0.08微米，且小于或等于12微米。
8.如权利要求1至7中任意一项所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述第一板单元为顶板单元，所述第一连接结构连接所述围板的一端与所述顶板；在所述将所述第二pcb板安装于所述第一pcb板，以形成第一集合体的步骤s200之前，所述传感器的制造方法还包括：
s50a、将mems传感器芯片贴装到所述第一pcb板上，且每一个所述第一板单元均贴装有一个所述mems传感器芯片；
或者，
所述第一板单元为顶板单元，所述第一连接结构连接所述围板的一端与所述顶板；在所述将所述第二pcb板安装于所述第一pcb板，以形成第一集合体的步骤s200之后，且在所述从所述第一集合体上分离出中间过渡体单元，以获得多个中间过渡体的步骤s300之前，所述传感器的制造方法还包括：
s60a、将mems传感器芯片贴装到所述第一pcb板上，且每一个所述第一板单元均贴装有一个所述mems传感器芯片。
9.如权利要求8所述的传感器的制造方法，其特征在于，在所述将所述第二pcb板安装于所述第一pcb板，以形成第一集合体的步骤s200之前，所述传感器的制造方法还包括：
s50b、将asic芯片贴装到所述第一pcb板上，且每一个所述第一板单元均贴装有一个所述asic芯片；
或者，
在所述将所述第二pcb板安装于所述第一pcb板，以形成第一集合体的步骤s200之后，且在所述从所述第一集合体上分离出中间过渡体单元，以获得多个中间过渡体的步骤s300之前，所述传感器的制造方法还包括：
s60b、将asic芯片贴装到所述第一pcb板上，且每一个所述第一板单元均贴装有一个所述asic芯片；
或者，
在所述将所述中间过渡体安装到第三pcb板上，以形成第二集合体的步骤s400之前，所述传感器的制造方法还包括：
s700、将asic芯片贴装到所述第三pcb板上，且每一个所述第二板单元均贴装有一个所述asic芯片。
10.如权利要求1至7中任意一项所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述第一板单元为底板单元，所述第一连接结构连接所述围板的一端与所述底板；在所述将所述第二pcb板安装于所述第一pcb板，以形成第一集合体的步骤s200之前，所述传感器的制造方法还包括：
s80a、将asic芯片贴装到所述第一pcb板上，且每一个所述第一板单元均贴装有一个所述asic芯片；
或者，
所述第一板单元为底板单元，所述第一连接结构连接所述围板的一端与所述底板；在所述将所述第二pcb板安装于所述第一pcb板，以形成第一集合体的步骤s200之后，且在所述从所述第一集合体上分离出中间过渡体单元，以获得多个中间过渡体的步骤s300之前，所述传感器的制造方法还包括：
s80b、将asic芯片贴装到所述第一pcb板上，且每一个所述第一板单元均贴装有一个所述asic芯片；
或者，
所述第一板单元为底板单元，所述第一连接结构连接所述围板的一端与所述底板；在所述将所述中间过渡体安装到所述第三pcb板上，以形成第二集合体的步骤s400之前，所述传感器的制造方法还包括：
s80c、将asic芯片贴装到所述第三pcb板上，且每一个所述第二板单元均贴装有一个所述asic芯片。
11.如权利要求10所述的传感器的制造方法，其特征在于，在所述将所述中间过渡体安装到所述第三pcb板上，以形成第二集合体的步骤s400之前，所述传感器的制造方法还包括：
s900、将mems传感器芯片贴装到所述第三pcb板400上，且每一个所述第二板单元均贴装有一个所述mems传感器芯片。
12.如权利要求1至7中任意一项所述的传感器的制造方法，其特征在于，通过切割的方式从所述第一集合体上分离出中间过渡体单元，以获得多个中间过渡体；和/或，
通过切割的方式从所述第二集合体上分离出所述传感器单元，以获得多个传感器。
13.如权利要求1至7中任意一项所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述围板单元的内壁面上设有金属屏蔽层。
14.如权利要求13所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述金属屏蔽层的内侧面设有绝缘层。
15.如权利要求14所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度大于或等于6微米，且小于或等于20微米；和/或，
所述金属屏蔽层21的厚度大于或等于10微米。
16.如权利要求1至7任意一项所述的传感器的制造方法，其特征在于，相邻两个所述传感器单元之间的间距大于或等于0.2毫米，且小于或等于0.6毫米。
17.如权利要求2至7中任意一项所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述传感器单元的数量大于或等于150，且小于或等于1000。
18.如权利要求17所述的传感器的制造方法，其特征在于，在每一所述传感器制造过程中，锡膏的用量大于或等于0.06克，且小于或等于2克。
19.如权利要求1至7中任意一项所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述第二集合体的整体厚度小于或等于1.5毫米。