技术特征：
1.一种mems器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一粘合层、金属层和第二粘合层；在所述第二粘合层中形成开口，所述开口延伸贯穿所述金属层，以暴露出部分所述第一粘合层；去除暴露出的所述第一粘合层和剩余的所述第二粘合层；形成介质层，所述介质层填充所述开口，并延伸覆盖所述金属层表面。2.如权利要求1所述的mems器件的制造方法，其特征在于，在所述粘合层中形成开口的方法包括：在所述第二粘合层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出部分所述第二粘合层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀暴露出的所述第二粘合层及所述金属层，以形成所述开口；其中，通过干法刻蚀工艺刻蚀暴露出的所述第二粘合层及所述金属层。3.如权利要求1所述的mems器件的制造方法，其特征在于，通过干法刻蚀和/或湿法刻蚀去除暴露出的所述第一粘合层。4.如权利要求1所述的mems器件的制造方法，其特征在于，所述第一粘合层包括第一钛层和覆盖所述第一钛层的第一氮化钛层。5.如权利要求1所述的mems器件的制造方法，其特征在于，所述第二粘合层包括第二钛层和覆盖所述第二钛层的第二氮化钛层。6.如权利要求1所述的mems器件的制造方法，其特征在于，所述介质层包括氧化层和覆盖所述氧化层的氮化层。7.如权利要求6所述的mems器件的制造方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为500nm-1000nm。8.如权利要求7所述的mems器件的制造方法，其特征在于，所述氮化层的厚度为100nm-400nm。9.如权利要求1所述的mems器件的制造方法，其特征在于，所述开口的数量至少为两个，两个所述开口将所述金属层隔离为第一部分、第二部分和第三部分。10.如权利要求9所述的mems器件的制造方法，其特征在于，在形成所述介质层后，所述mems器件的制造方法还包括：去除位于所述金属层表面的所述介质层，以暴露出所述金属层；形成键合层、连接结构和衬垫结构，所述键合层覆盖所述金属层的第一部分、所述连接结构覆盖所述金属层的第二部分，所述衬垫结构覆盖所述金属层的第三部分。