一种提高熔断器镀铜层与基体结合力的方法与流程

本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种提高熔断器镀铜层与基体结合力的方法。

背景技术：

熔断器(fuse)是指当电流超过规定值时，以本身产生的热量使熔体熔断，断开电路的一种电器。熔断器是根据电流超过规定值一段时间后，以其自身产生的热量使熔体熔化，从而使电路断开；运用这种原理制成的一种电流保护器。熔断器广泛应用于高低压配电系统和控制系统以及用电设备中，作为短路和过电流的保护器，是应用最普遍的保护器件之一。其中，jfm方管式熔断器共有7个型号，其中2.8a、3.5a按照工艺要求需将熔断体进行并联，则陶瓷基片正面和陶瓷基片背面均需要进行丝网印刷绝缘层、熔断体层以及电极层。

现有技术中的熔断器制作工艺方法的存在一些不足，例如熔断器在镀铜之后，在3000倍率的电镜扫描下观察，镀铜层与基体之间结合力不好，有缝隙现象存在，产品存在质量隐患，

技术实现要素：

为了解决上述问题，本发明提供了一种提高熔断器镀铜层与基体结合力的方法，避免镀铜层与基体之间结合力不好的问题发生。

本发明的技术方案为：一种提高熔断器镀铜层与基体结合力的方法，包括以下步骤：

(1)前处理：使用混合酸溶液对陶瓷基片进行清洗，所述混合酸溶液由去离子水、硝酸以及盐酸混合而成，所述离子水、硝酸以及盐酸的质量比为65：30：5，清洗时间2～4分钟；

(2)背电极制作：在陶瓷基片背面印刷背电极，然后烧结；

(3)绝缘层制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷一层绝缘浆料，然后烧结；

(4)熔断体制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷熔断体，然后烧结；

(5)制作包封层：在烧结好熔断体的陶瓷基片上印刷三层高温包封玻璃浆料和高温标识，然后进行烧结；

(6)一次裂片：将烧结固化好的陶瓷基片进行一次裂片，并在裂片条的端面溅射端电极，保证端电极将背电极和熔断体表电极联通；

(7)二次裂片：将进行一次裂片之后的陶瓷基片进行二次裂片；

(8)电镀：对二次裂片后的陶瓷基片依次镀铜、镀锡，保证铜层厚度为3～12μm、锡层厚度为5～18μm。

作为优选，所述背电极制作时，陶瓷基片背面印刷背电极之后，在880℃～920℃温度下烧结。

作为优选，所述绝缘层制作时，在920℃～935℃的高温下烧结38分钟～45分钟。

作为优选，所述熔断体制作时，所述熔断体的浆料由银浆和金浆按照质量比3:1配制而成，印刷熔断体之后，在800℃～825℃温度下烧结25分钟～35分钟。

作为优选，所述制作包封层时，烧结温度为550℃～570℃，烧结时间为40分钟～45分钟。

作为优选，所述盐酸的质量浓度为45％，所述硝酸的质量浓度为65％。

本发明还提供了一种由上的提高熔断器镀铜层与基体结合力的方法制备得到的熔断器。

与现有技术相比，本发明的有益效果体现在：

经由本发明处理之后熔断器在做电镜扫描分析的过程中没有出现电镀铜层与基体铜之间结合力不良的问题。

附图说明

图1为现有工艺的熔断器在电镜扫描下的效果图。

图2为本发明的工艺处理之后熔断器在电镜扫描下的效果图。

具体实施方式

实施例1

一种提高熔断器镀铜层与基体结合力的方法，包括以下步骤：

(1)前处理：使用混合酸溶液对陶瓷基片进行清洗，所述混合酸溶液由去离子水、硝酸以及盐酸混合而成，所述离子水、硝酸以及盐酸的质量比为65：30：5，清洗时间2分钟，其中盐酸的质量浓度为45％，所述硝酸的质量浓度为65％。；

(2)背电极制作：在陶瓷基片背面印刷背电极，然后在880℃～920℃温度下烧结；

(3)绝缘层制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷一层绝缘浆料，然后在920℃～935℃的高温下烧结38分钟～45分钟；

(4)熔断体制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷熔断体，所述熔断体的浆料由银浆和金浆按照质量比3:1配制而成，印刷熔断体之后，在800℃～825℃温度下烧结25分钟～35分钟；

(5)制作包封层：在烧结好熔断体的陶瓷基片上印刷三层高温包封玻璃浆料和高温标识，然后进行烧结，烧结温度为550℃～570℃，烧结时间为40分钟～45分钟；

(6)一次裂片：将烧结固化好的陶瓷基片进行一次裂片，并在裂片条的端面溅射端电极，保证端电极将背电极和熔断体表电极联通；

(7)二次裂片：将进行一次裂片之后的陶瓷基片进行二次裂片；

(8)电镀：对二次裂片后的陶瓷基片依次镀铜、镀锡，保证铜层厚度为3～3μm、锡层厚度为15μm。

实施例2

一种提高熔断器镀铜层与基体结合力的方法，包括以下步骤：

(1)前处理：使用混合酸溶液对陶瓷基片进行清洗，所述混合酸溶液由去离子水、硝酸以及盐酸混合而成，所述离子水、硝酸以及盐酸的质量比为65：30：5，清洗时间4分钟，其中盐酸的质量浓度为45％，所述硝酸的质量浓度为65％。；

(2)背电极制作：在陶瓷基片背面印刷背电极，然后在880℃温度下烧结；

(3)绝缘层制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷一层绝缘浆料，然后在935℃的高温下烧结38分钟；

(4)熔断体制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷熔断体，所述熔断体的浆料由银浆和金浆按照质量比3:1配制而成，印刷熔断体之后，在800℃温度下烧结35分钟；

(5)制作包封层：在烧结好熔断体的陶瓷基片上印刷三层高温包封玻璃浆料和高温标识，然后进行烧结，烧结温度为570℃，烧结时间为40分钟；

(6)一次裂片：将烧结固化好的陶瓷基片进行一次裂片，并在裂片条的端面溅射端电极，保证端电极将背电极和熔断体表电极联通；

(7)二次裂片：将进行一次裂片之后的陶瓷基片进行二次裂片；

(8)电镀：对二次裂片后的陶瓷基片依次镀铜、镀锡，保证铜层厚度为6μm、锡层厚度为12μm。

实施例3

一种提高熔断器镀铜层与基体结合力的方法，包括以下步骤：

(1)前处理：使用混合酸溶液对陶瓷基片进行清洗，所述混合酸溶液由去离子水、硝酸以及盐酸混合而成，所述离子水、硝酸以及盐酸的质量比为65：30：5，清洗时间3分钟，其中盐酸的质量浓度为45％，所述硝酸的质量浓度为65％。；

(2)背电极制作：在陶瓷基片背面印刷背电极，然后在920℃温度下烧结；

(3)绝缘层制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷一层绝缘浆料，然后在935℃的高温下烧结45分钟；

(4)熔断体制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷熔断体，所述熔断体的浆料由银浆和金浆按照质量比3:1配制而成，印刷熔断体之后，在800℃～825℃温度下烧结35分钟；

(5)制作包封层：在烧结好熔断体的陶瓷基片上印刷三层高温包封玻璃浆料和高温标识，然后进行烧结，烧结温度为550℃，烧结时间为40分钟；

(6)一次裂片：将烧结固化好的陶瓷基片进行一次裂片，并在裂片条的端面溅射端电极，保证端电极将背电极和熔断体表电极联通；

(7)二次裂片：将进行一次裂片之后的陶瓷基片进行二次裂片；

(8)电镀：对二次裂片后的陶瓷基片依次镀铜、镀锡，保证铜层厚度为12μm、锡层厚度为18μm。