新型低阻氯碱工业用离子传导膜及其制备方法与流程

文档序号:20838342发布日期:2020-05-22 17:09阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种新型低阻氯碱工业用离子传导膜,其特征在于:由第一全氟羧酸-全氟磺酸聚合物复合层、第二全氟羧酸-全氟磺酸聚合物复合层、全氟聚合物增强网和功能表面涂层组成;其中,功能表面涂层是由全氟离子聚合物构成的多孔粗糙结构,全氟聚合物增强网是由无纺聚合物与蛋白质纤维复合编制而成的。

2.根据权利要求1所述的新型低阻氯碱工业用离子传导膜,其特征在于:第一全氟羧酸-全氟磺酸聚合物复合层厚度为50微米至250微米;全氟羧酸聚合物占全氟磺酸聚合物质量比为0%-40%;全氟磺酸聚合物交换容量为0.6-1.5毫摩尔/克;全氟羧酸聚合物交换容量为0.5-1.5毫摩尔/克。

3.根据权利要求1所述的新型低阻氯碱工业用离子传导膜,其特征在于:第二全氟羧酸-全氟磺酸聚合物复合层厚度为1微米至20微米;全氟磺酸聚合物占全氟羧酸聚合物质量比为0%-40%;全氟磺酸聚合物交换容量为0.6-1.5毫摩尔/克;全氟羧酸聚合物交换容量为0.5-1.5毫摩尔/克。

4.根据权利要求1所述的新型低阻氯碱工业用离子传导膜,其特征在于:第一全氟羧酸-全氟磺酸聚合物复合层中全氟羧酸聚合物占全氟磺酸聚合物的质量比与第二全氟羧酸-全氟磺酸聚合物复合层中全氟磺酸聚合物占全氟羧酸聚合物的质量比不能同时为0。

5.根据权利要求1所述的新型低阻氯碱工业用离子传导膜,其特征在于:第一全氟磺酸-全氟羧酸聚合物复合层内含有纵横交错的镂空隧道;在全氟聚合物增强网中紧邻的两根主纤维间距为0.5-1.5mm,紧邻的两根主纤维中含有镂空隧道32-500根;单隧道直径为1-50μm。

6.根据权利要求1所述的新型低阻氯碱工业用离子传导膜,其特征在于:全氟聚合物增强网空隙率为20-99%,厚度介于50微米-200微米;无纺聚合物为聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚酰亚胺或聚醚醚酮中的一种或者几种组合,厚度介于3微米-50微米。

7.根据权利要求1所述的新型低阻氯碱工业用离子传导膜,其特征在于:功能表面涂层内部和表面为多孔粗糙结构,涂层厚度为0.01μm~30μm;10微米*10微米范围内粗糙度ra值介于10纳米~5微米,240微米*300微米范围内粗糙度ra值介于300纳米~10微米。

8.根据权利要求1所述的新型低阻氯碱工业用离子传导膜,其特征在于:功能表面涂层孔的体积占涂层的体积分数为5%~95%;功能表面涂层中全氟离子聚合物交换容量为0.5~1.5毫摩尔/克,全氟离子聚合物是全氟磺酸聚合物或全氟磷酸聚合物中的一种或者两种。

9.一种权利要求1所述的新型低阻氯碱工业用离子传导膜的制备方法,其特征在于:由以下步骤制备:

(1)将全氟磺酸树脂与全氟羧酸树脂混合挤出造粒,用作a料;将全氟磺酸树脂与全氟羧酸树脂混合挤出造粒,用作b料;将a料和b料分别加入共挤设备中,挤出流延成全氟离子交换膜基膜,再将全氟聚合物增强网材质浸泡到三氟三氯乙烷溶剂中处理,取出干燥后再与全氟离子交换膜基膜进行复合,形成全氟离子交换膜前体;

(2)将步骤(1)制备得到的全氟离子交换膜前体进行超压处理,然后将全氟离子交换膜进行转型,转化为具备离子交换功能的全氟离子交换膜,同时将全氟聚合物增强网中的蚕丝溶弃,形成镂空隧道结构;

(3)将全氟离子聚合物加入到溶剂中进行均一化处理,形成全氟离子聚合物溶液;

(4)将造孔剂的混合物加入到步骤(3)所述的全氟离子聚合物溶液中,球磨得到分散液;

(5)将步骤(4)得到的分散液采用涂膜方式附着在步骤(2)制备的全氟离子交换膜表面,通过刻蚀表面形成多孔粗糙结构。

10.根据权利要求9所述的新型低阻氯碱工业用离子传导膜的制备方法,其特征在于:步骤(1)a料中全氟羧酸聚合物占全氟磺酸聚合物质量比为0%-40%,b料中全氟磺酸聚合物占全氟羧酸聚合物质量比为0%-40%,且两质量比不同时为0;步骤(3)中所述的全氟离子聚合物是全氟磺酸聚合物或全氟磷酸聚合物中的一种或者两种;步骤(4)所述的造孔剂是氧化硅、氧化铝、氧化锌、氧化钛、碳酸钾、碳化硅、碳酸钠、聚对苯二甲酸丙二醇酯纤维、聚氨酯纤维、聚偏氟乙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯纤维中的一种或几种。


技术总结
本发明属于离子交换膜技术领域,具体的涉及一种新型低阻氯碱工业用离子传导膜及其制备方法。由第一全氟羧酸‑全氟磺酸聚合物复合层、第二全氟羧酸‑全氟磺酸聚合物复合层、全氟聚合物增强网和功能表面涂层组成;其中,功能表面涂层是由全氟离子聚合物构成的多孔粗糙结构,全氟聚合物增强网是由无纺聚合物与蛋白质纤维复合编制而成的。本发明所述的新型低阻氯碱工业用离子传导膜,在全氟磺酸层中加入了少量全氟羧酸提高了膜的电流效率,通过在全氟羧酸层中加入了少量全氟磺酸减少了膜电阻;采用全氟聚合物增强网作为增强材料,减少膜电阻;减少了传统涂层中无机氧化物或者含氟颗粒的使用量,降低复合膜面电阻,有利于离子快速传输。

技术研发人员:张永明;雷建龙;刘烽;张恒;张振;赵宽;王丽
受保护的技术使用者:山东东岳未来氢能材料有限公司
技术研发日:2019.12.31
技术公布日:2020.05.22
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