1.一种多孔硅制备装置，其特征在于，所述多孔硅制备装置包括：
支架，所述支架包括本体，所述本体上形成有凹陷的容纳腔，形成所述容纳腔的底壁上开设有第一敞口，所述本体具有向上延伸的多根定位杆，所述定位杆的上端具有第一卡扣，所述本体的下端具有第二卡扣；
能安装入所述容纳腔的硅片固定机构，其包括：能嵌入所述容纳腔的两块板体，两块所述板体在相对的一侧上具有一凹槽，所述凹槽的底部开设有第二敞口；两个密封件，每个所述密封件上开设有第三敞口，两个所述密封件分别设置在两个所述板体的所述凹槽中；两个所述密封件之间用于安装硅片，以使所述硅片的两侧分别对准所述第三敞口；
压紧件，所述压紧件沿竖直方向开设有贯穿所述压紧件的第一容纳槽和限位孔，所述压紧件下端具有与所述容纳腔相匹配的按压部，所述支架的定位杆能穿过所述压紧件的所述限位孔并使所述按压部抵住所述硅片固定机构；
盖板，所述盖板能与所述第一卡扣相卡合以使所述盖板压紧所述压紧件；
具有第二容纳槽的容纳件，所述支架能放置在所述第二容纳槽中并通过所述第二卡扣与所述容纳件实现固定。
2.根据权利要求1所述的多孔硅制备装置，其特征在于，所述第一容纳槽和所述第二容纳槽中分别用于充入电解液和腐蚀液，所述电解液和所述腐蚀液中分别用于通入不同极性的电。
3.根据权利要求2所述的多孔硅制备装置，其特征在于，所述容纳件的上端的两侧分别开设有开孔；
所述多孔硅制备装置还包括：电极安装机构，其包括：支撑件，所述支撑件包括导轨，连接在导轨两端的杆体，所述杆体能插入所述开孔；设置在导轨上能滑动的两个移动杆，其中一个所述移动杆用于安装正电极极片，另一个所述移动杆用于安装负电极极片，两个所述移动杆分别能滑动至所述第一容纳槽和所述第二容纳槽处。
4.根据权利要求1所述的多孔硅制备装置，其特征在于，所述凹槽的厚度小于所述密封件的厚度，所述密封件由氟胶制成。
5.根据权利要求1所述的多孔硅制备装置，其特征在于，当两个所述密封件之间安装有硅片时，所述第一容纳槽与所述第二容纳槽之间不连通。
6.根据权利要求1所述的多孔硅制备装置，其特征在于，所述盖板上与所述第一卡扣相对应的位置处开设有第一卡扣导轨，所述第一卡扣卡入所述第一卡扣导轨并转动所述盖板以使所述盖板压紧所述压紧件，所述盖板上开设有与所述第一容纳槽相连通的排气孔。
7.根据权利要求1所述的多孔硅制备装置，其特征在于，所述本体的下端具有支撑部，所述支撑部的底部具有所述第二卡扣；所述第二容纳槽的底部具有与所述第二卡扣相对应的第二卡扣导轨，所述第二卡扣卡入所述第二卡扣导轨并转动所述支架以使所述支架与所述容纳件相固定。
8.根据权利要求1所述的多孔硅制备装置，其特征在于，所述按压部在水平方向上的横截面与所述容纳腔在水平方向上的横截面相同。
9.根据权利要求1所述的多孔硅制备装置，其特征在于，所述支架、所述板体、所述压紧件、所述容纳件均由耐腐蚀的树脂制成。
10.根据权利要求3所述的多孔硅制备装置，其特征在于，所述导轨上具有一滑槽，所述移动杆的上端呈倒“山”形状，所述移动杆的上端能伸入所述滑槽并转动后能挂在所述导轨上。