镀覆方法和镀覆装置与流程

1.本发明涉及镀覆方法和镀覆装置。


背景技术：

2.以往，作为能够对基板实施镀覆处理的镀覆装置，公知有所谓的杯式镀覆装置(例如参照专利文献1)。这样的镀覆装置具备：镀覆槽，贮存镀覆液；基板保持架，保持作为阴极的基板；旋转机构，使基板保持架旋转；以及升降机构，使基板保持架升降。
3.另外，以往公知有例如为了实现镀覆皮膜的膜厚的面内均匀性而在镀覆槽的内部配置具有多个孔的离子电阻器的技术(例如参照专利文献2)。
4.专利文献1：日本特开2008-19496号公报
5.专利文献2：日本特开2004-363422号公报
6.在上述专利文献1所例示的那样的杯式镀覆装置的镀覆槽内部配置了离子电阻器的情况下，假设在镀覆槽的镀覆液所包含的气泡大量附着于离子电阻器的孔的情况下，可能由附着于该孔的气泡而导致基板的镀覆品质恶化。


技术实现要素：

7.本发明是鉴于上述情形而完成的，其目的之一在于提供一种能够去除附着于离子电阻器的孔的气泡的技术。
8.(形态1)
9.为了达成上述目的，本发明的一个形态所涉及的镀覆方法包括：向配置有阳极和离子电阻器的镀覆槽供给镀覆液来使上述阳极和上述离子电阻器浸渍于镀覆液，上述离子电阻器配置于比上述阳极靠上方的位置，并具有多个孔；在将上述阳极和上述离子电阻器浸渍于镀覆液的状态下，通过驱动配置于比上述离子电阻器靠上方的位置的搅棒来搅拌镀覆液；在停止了上述搅棒对镀覆液的搅拌的状态下，使作为阴极的基板浸渍于镀覆液；在将上述基板浸渍于镀覆液的状态下，使配置于比上述离子电阻器靠上方且比上述基板靠下方的位置的上述搅棒对镀覆液的搅拌再次开始；以及在再次开始了上述搅棒对镀覆液的搅拌的状态下，使电流在上述基板与上述阳极之间流动，由此对上述基板实施镀覆处理。
10.根据该形态，例如在镀覆液向镀覆槽的供给时，即使是镀覆液中所包含的气泡附着于离子电阻器的孔的情况，也能够通过搅棒对镀覆液的搅拌来促进附着于孔的气泡向上方的移动。由此，能够去除附着于离子电阻器的孔的气泡。
11.另外，根据该形态，由于在停止了搅棒对镀覆液的搅拌的状态下将基板浸渍于镀覆液，因此也能够抑制在基板向镀覆液的浸渍时由搅棒对镀覆液的搅拌导致镀覆液的液面起伏。由此，也能够抑制在基板向镀覆液的浸渍时气泡大量附着于基板。
12.另外，根据该形态，由于在将基板浸渍于镀覆液的状态下再次开始搅棒对镀覆液的搅拌，因此能够有效地向基板供给镀覆液。由此，例如能够用镀覆液有效地置换残存于基板的布线图案的内部的预湿处理液。
13.另外，根据该形态，由于在再次开始了搅棒对镀覆液的搅拌的状态下实施镀覆处理，因此在镀覆处理时，能够有效地向基板供给镀覆液。由此，能够有效地在基板形成镀覆皮膜。
14.(形态2)
15.也可以构成为，上述形态1还包括：在停止了上述搅棒对镀覆液的搅拌的状态下，使镀覆液从上述镀覆槽溢流，在使镀覆液从上述镀覆槽溢流后，执行在停止了上述搅棒对镀覆液的搅拌的状态下使上述基板浸渍于镀覆液。
16.根据该形态，能够使浮起至比离子电阻器靠上方的位置的气泡与从镀覆槽溢流的镀覆液一起向镀覆槽的外部排出。由此，能够有效地抑制在将基板浸渍于镀覆液时气泡附着于基板。
17.(形态3)
18.也可以构成为，上述形态1或2还包括：在对上述基板实施镀覆处理后，将上述基板从镀覆液提起；在从镀覆液提起了上述基板的状态下，通过驱动配置于比上述离子电阻器靠上方的位置的上述搅棒来搅拌镀覆液；在停止了上述搅棒对镀覆液的搅拌的状态下，使第二基板浸渍于镀覆液；在将上述第二基板浸渍于镀覆液的状态下，使配置于比上述离子电阻器靠上方且比上述第二基板靠下方的位置的上述搅棒对镀覆液的搅拌再次开始；以及在再次开始了上述搅棒对镀覆液的搅拌的状态下，使电流在上述第二基板与上述阳极之间流动，由此对上述第二基板实施镀覆处理。
19.(形态4)
20.也可以构成为，在上述形态1～3中的任意一个形态的基础上，在停止了上述搅棒对镀覆液的搅拌的状态下使上述基板浸渍于镀覆液包括：在停止了上述搅棒对镀覆液的搅拌的状态下，且在使上述基板的被镀覆面相对于水平方向倾斜的状态下，使上述基板浸渍于镀覆液。
21.(形态5)
22.也可以构成为，在上述形态4的基础上，还包括：使浸渍于上述镀覆液的状态下的上述基板的被镀覆面返回至水平方向，在使浸渍于上述镀覆液的状态下的上述基板的被镀覆面返回至水平方向后，执行在将上述基板浸渍于镀覆液的状态下使上述搅棒对镀覆液的搅拌再次开始。
23.假设在基板的被镀覆面相对于水平方向倾斜的状态下再次开始搅棒对镀覆液的搅拌的情况下，倾斜的状态下的基板的被镀覆面的上端接近镀覆液的液面，因此在由于搅棒对镀覆液的搅拌的再次开始而镀覆液的液面起伏时，气泡有可能容易卷入至基板的被镀覆面。与此相对地，根据该形态，在使浸渍于镀覆液的状态下的基板的被镀覆面返回至水平方向后再次开始搅棒对镀覆液的搅拌，因此即使是假设由于搅棒对镀覆液的搅拌的再次开始而镀覆液的液面起伏的情况，也能够有效地抑制气泡卷入至基板的被镀覆面。
24.(形态6)
25.也可以构成为，在上述形态1的基础上，通过在将上述阳极和上述离子电阻器浸渍于镀覆液的状态下驱动上述搅棒来搅拌镀覆液时的、从上述离子电阻器的下表面侧通过上述多个孔而朝向上述离子电阻器的上表面侧流动的镀覆液的流量比对上述基板实施镀覆处理时的上述镀覆液的流量多。
26.根据该形态，能够有效地去除附着于离子电阻器的孔的气泡。
27.(形态7)
28.也可以构成为，在上述形态1～6中的任意一个形态的基础上，在与上述离子电阻器的上表面平行的第一方向和与上述第一方向相反的第二方向上交替地驱动上述搅棒来搅拌镀覆液。
29.(形态8)
30.也可以构成为，在上述形态7的基础上，上述搅棒具有蜂窝构造，该蜂窝构造具备多个具有在上下方向上延伸的多边形的贯通孔的搅拌部件，多个上述搅拌部件在俯视时具有：四边形状的方形部位；第一突出部位，从上述方形部位中的上述第一方向侧的侧面向上述第一方向侧突出为圆弧状；以及第二突出部位，从上述方形部位的上述第二方向侧的侧面向上述第二方向侧突出为圆弧状。
31.根据该形态，由于搅棒具有蜂窝构造，因此能够容易地增加多个搅拌部件的配置密度。由此，能够通过搅棒有效地搅拌镀覆液，因此能够有效地去除附着于离子电阻器的孔的气泡。
32.另外，根据该形态，由于搅棒的多个搅拌部件具有方形部位、第一突出部位以及第二突出部位，因此，例如与多个搅拌部件具有方形部位但不具有第一突出部位和第二突出部位的情况相比，能够容易地扩大搅棒移动一定距离后的搅棒能够搅拌的区域。由此，能够通过搅棒有效地搅拌镀覆液，因此能够更加有效地去除附着于离子电阻器的孔的气泡。
33.(形态9)
34.也可以构成为，在上述形态8的基础上，上述第一突出部位与上述第二突出部位的距离的最大值亦即搅棒宽度小于实施镀覆处理的上述基板的被镀覆面的处于上述第一方向的外缘与处于上述第二方向的外缘的距离的最大值亦即基板宽度。
35.根据该形态，例如与搅棒宽度和基板宽度相同的情况或搅棒宽度比基板宽度大的情况相比，能够增大搅棒向第一方向和第二方向的移动距离。由此，能够通过搅棒更有效地搅拌镀覆液，因此能够有效地去除附着于离子电阻器的孔的气泡。
36.(形态10)
37.为了达成上述目的，本发明的一个形态所涉及的镀覆装置具备：镀覆槽，配置有阳极和离子电阻器，上述离子电阻器配置于比上述阳极靠上方的位置，并具有多个孔；基板保持架，保持作为阴极的基板；以及搅棒，构成为配置于比上述离子电阻器靠上方且比上述基板靠下方的位置，并且在与上述离子电阻器的上表面平行的第一方向和与上述第一方向相反的第二方向上被交替地驱动来搅拌在上述镀覆槽中贮存的镀覆液，上述搅棒具有蜂窝构造，该蜂窝构造具备多个具有在上下方向上延伸的多边形的贯通孔的搅拌部件，多个上述搅拌部件在俯视时具有：四边形状的方形部位；第一突出部位，从上述方形部位中的上述第一方向侧的侧面向上述第一方向侧突出为圆弧状；以及第二突出部位，从上述方形部位的上述第二方向侧的侧面向上述第二方向侧突出为圆弧状。
38.根据该形态，即使是气泡附着于离子电阻器的孔的情况，也能够通过搅棒对镀覆液的搅拌来促进附着于孔的气泡向上方的移动。由此，能够去除附着于离子电阻器的孔的气泡。
39.另外，根据该形态，搅棒的多个搅拌部件具有蜂窝构造，并且搅棒的多个搅拌部件
具有方形部位、第一突出部位以及第二突出部位，因此如上所述，能够通过搅棒更有效地搅拌镀覆液，从而能够有效地去除附着于离子电阻器的孔的气泡。
40.(形态11)
41.也可以构成为，在上述形态10的基础上，上述第一突出部位与上述第二突出部位的距离的最大值亦即搅棒宽度小于实施镀覆处理的上述基板的被镀覆面的处于上述第一方向的外缘与处于上述第二方向的外缘的距离的最大值亦即基板宽度。
附图说明
42.图1是表示实施方式所涉及的镀覆装置的整体结构的立体图。
43.图2是表示实施方式所涉及的镀覆装置的整体结构的俯视图。
44.图3是表示实施方式所涉及的镀覆装置中的镀覆模块的结构的示意图。
45.图4是表示将实施方式所涉及的基板浸渍于镀覆液的状态的示意图。
46.图5是实施方式所涉及的搅棒的示意性的俯视图。
47.图6是用于对实施方式所涉及的镀覆方法进行说明的流程图的一个例子。
48.图7是用于对实施方式的变形例1所涉及的镀覆方法进行说明的流程图的一个例子。
49.图8是用于对实施方式的变形例2所涉及的镀覆方法进行说明的流程图的一个例子。
50.图9是实施方式的变形例3所涉及的搅棒的示意性的俯视图。
51.图10是实施方式的变形例4所涉及的搅棒的示意性的俯视图。
52.图11是实施方式的变形例5所涉及的搅棒的示意性的俯视图。
53.图12是表示在实施方式所涉及的镀覆槽的内部配置了膜的情况下的镀覆槽的内部结构的一个例子的示意性的剖视图。
具体实施方式
54.(实施方式)
55.以下，边参照附图边对本发明的实施方式进行说明。此外，为了使构成要素的特征容易理解而示意性地图示了附图，各构成要素的尺寸比例等不一定与实际的相同。另外，在若干附图中，图示有x-y-z的正交坐标作为参考用。在该正交坐标中，z方向相当于上方，－z方向相当于下方(重力发挥作用的方向)。
56.图1是表示本实施方式的镀覆装置1000的整体结构的立体图。图2是表示本实施方式的镀覆装置1000的整体结构的俯视图(顶视图)。如图1和图2所示，镀覆装置1000具备：装载埠100、搬运机器人110、对准器120、预湿模块200、预浸模块300、镀覆模块400、清洗模块500、旋转干燥机600、搬运装置700以及控制模块800。
57.装载埠100是用于将未图示的foup等盒中所收容的基板搬入至镀覆装置1000、将基板从镀覆装置1000搬出至盒的模块。在本实施方式中，在水平方向上排列配置有4台装载埠100，但装载埠100的数量和配置是任意的。搬运机器人110是用于搬运基板的机器人，构成为在装载埠100、对准器120、预湿模块200以及旋转干燥机600之间交接基板。搬运机器人110和搬运装置700当在搬运机器人110与搬运装置700之间交接基板时，能够经由临时放置
台(未图示)进行基板的交接。
58.对准器120是用于将基板的定向平面、凹口等位置对准于规定方向的模块。在本实施方式中，在水平方向上排列配置有2台对准器120，但对准器120的数量和配置是任意的。预湿模块200用纯水或脱气水等处理液将镀覆处理前的基板的被镀覆面润湿，从而将形成于基板表面的图案内部的空气置换为处理液。预湿模块200构成为：实施通过在镀覆时将图案内部的处理液置换为镀覆液从而容易向图案内部供给镀覆液的预湿处理。在本实施方式中，在上下方向上排列配置有2台预湿模块200，但预湿模块200的数量和配置是任意的。
59.预浸模块300构成为：实施例如将镀覆处理前的基板的被镀覆面处所形成的晶种层表面等处所存在的电阻较大的氧化膜用硫酸、盐酸等处理液蚀刻去除来对镀覆基底表面进行清洗或活性化的预浸处理。在本实施方式中，在上下方向上排列配置有2台预浸模块300，但预浸模块300的数量和配置是任意的。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。在本实施方式中，在上下方向上排列配置3台且在水平方向上排列配置4台的12台镀覆模块400的机组有2个，设置有合计24台镀覆模块400，但镀覆模块400的数量和配置是任意的。
60.清洗模块500构成为：为了将残留于镀覆处理后的基板的镀覆液等去除而对基板实施清洗处理。在本实施方式中，在上下方向上排列配置有2台清洗模块500，但清洗模块500的数量和配置是任意的。旋转干燥机600是用于使清洗处理后的基板高速旋转而干燥的模块。在本实施方式中，在上下方向上排列配置有2台旋转干燥机600，但旋转干燥机600的数量和配置是任意的。搬运装置700是用于在镀覆装置1000内的多个模块间搬运基板的装置。控制模块800构成为控制镀覆装置1000的多个模块，例如能够由具备与操作人员之间的输入输出界面的一般计算机或专用计算机构成。
61.对由镀覆装置1000进行的一系列镀覆处理的一个例子进行说明。首先，向装载埠100搬入已被收容于盒的基板。接着，搬运机器人110从装载埠100的盒取出基板，并将基板搬运至对准器120。对准器120将基板的定向平面、凹口等位置对准于规定方向。搬运机器人110向预湿模块200交接已由对准器120对准了方向的基板。
62.预湿模块200对基板实施预湿处理。搬运装置700将已实施了预湿处理的基板向预浸模块300搬运。预浸模块300对基板实施预浸处理。搬运装置700将已实施了预浸处理的基板向镀覆模块400搬运。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。
63.搬运装置700将已实施了镀覆处理的基板向清洗模块500搬运。清洗模块500对基板实施清洗处理。搬运装置700将已实施了清洗处理的基板向旋转干燥机600搬运。旋转干燥机600对基板实施干燥处理。搬运机器人110从旋转干燥机600接收基板，将已实施了干燥处理的基板向装载埠100的盒搬运。最后，从装载埠100搬出已收容了基板的盒。
64.此外，在图1、图2中说明的镀覆装置1000的结构不过是一个例子，镀覆装置1000的结构并不限定于图1、图2的结构。
65.接着，对镀覆模块400进行说明。此外，本实施方式所涉及的镀覆装置1000所具有的多个镀覆模块400具有同样的结构，因此对1个镀覆模块400进行说明。
66.图3是表示本实施方式所涉及的镀覆装置1000中的镀覆模块400的结构的示意图。具体而言，图3示意性地图示出了将基板wf浸渍于镀覆液ps前的状态下的镀覆模块400。图4是表示将基板wf浸渍于镀覆液ps后的状态的示意图。此外，在图4的一部分也一并图示出a1部分的放大图，但在该a1部分的放大图中省略了后述的搅棒70的图示。
67.本实施方式所涉及的镀覆装置1000是杯式镀覆装置。镀覆装置1000的镀覆模块400具备镀覆槽10、溢流槽20、基板保持架30以及搅棒70。另外，如图3所例示的那样，镀覆模块400也可以具备旋转机构40、倾斜机构45以及升降机构50。
68.本实施方式所涉及的镀覆槽10由在上方具有开口的有底的容器构成。具体而言，镀覆槽10具有底壁10a、和从该底壁10a的外周缘向上方延伸的外周壁10b，该外周壁10b的上部开口。此外，镀覆槽10的外周壁10b的形状并不特别地限定，但作为一个例子，本实施方式所涉及的外周壁10b具有圆筒形状。在镀覆槽10的内部贮存有镀覆液ps。另外，在镀覆槽10设置有用于向镀覆槽10供给镀覆液ps的供给口13。
69.作为镀覆液ps，只要是包含构成镀覆皮膜的金属元素的离子的溶液即可，其具体例子并不特别地限定。在本实施方式中，使用镀铜处理作为镀覆处理的一个例子，使用硫酸铜溶液作为镀覆液ps的一个例子。另外，在镀覆液ps中也可以包含规定的添加剂。
70.在镀覆槽10的内部配置有阳极11。阳极11的具体种类并不特别地限定，可以是不溶解阳极，也可以是溶解阳极。在本实施方式中，使用不溶解阳极作为阳极11的一个例子。该不溶解阳极的具体种类并不特别地限定，能够使用白金、氧化铱等。
71.在镀覆槽10的内部，在比阳极11靠上方的位置配置有离子电阻器12。具体而言，如图4(a1部分的放大图)所示，离子电阻器12由具有多个孔12a(细孔)的多孔质的板部件构成。孔12a设置为将离子电阻器12的下表面与上表面连通。如图3所示，将离子电阻器12中的形成有多个孔12a的区域称为“孔形成区域pa”。本实施方式所涉及的孔形成区域pa在俯视时具有圆形状。另外，本实施方式所涉及的孔形成区域pa的面积与基板wf的被镀覆面wfa的面积相同，或者比该被镀覆面wfa的面积大。但是并不限定于该结构，孔形成区域pa的面积也可以比基板wf的被镀覆面wfa的面积小。
72.该离子电阻器12为了实现形成于阳极11与作为阴极的基板wf(附图标记在后述的图6中图示)之间的电场的均匀化而设置。如本实施方式所示，通过在镀覆槽10配置离子电阻器12，从而能够容易地实现形成于基板wf的镀覆皮膜(镀覆层)的膜厚的均匀化。
73.溢流槽20由配置于镀覆槽10的外侧的有底的容器构成。溢流槽20为了临时地贮存超过了镀覆槽10的外周壁10b的上端的镀覆液ps(即从镀覆槽10溢流的镀覆液ps)而设置。贮存于溢流槽20的镀覆液ps在从排出口14排出后，通过流路15而临时地贮存于储液罐80(参照图4)。贮存于该储液罐80的镀覆液ps之后被泵81(参照图4)压送，而从供给口13再次向镀覆槽10循环。
74.镀覆模块400也可以具备用于检测镀覆槽10的镀覆液ps的液面位置的液位传感器60a。将该液位传感器60a的检测结果传送至控制模块800。
75.另外，镀覆模块400也可以具备用于检测从镀覆槽10溢流的镀覆液ps的流量(l/min)的流量传感器60b。将该流量传感器60b的检测结果传送至控制模块800。此外，流量传感器60b的具体配置位置并不特别地限定，但作为一个例子，本实施方式所涉及的流量传感器60b配置于将溢流槽20的排出口14与储液罐80连通的流路15。
76.基板保持架30将作为阴极的基板wf保持为基板wf的被镀覆面wfa与阳极11对置。在本实施方式中，具体而言，基板wf的被镀覆面wfa设置于基板wf的朝向下方侧的面(下表面)。
77.如图3所例示的那样，基板保持架30也可以具有以比基板wf的被镀覆面wfa的外周
缘更向下方突出的方式设置的环31。具体而言，本实施方式所涉及的环31在仰视时具有环状。
78.基板保持架30与旋转机构40连接。旋转机构40是用于使基板保持架30旋转的机构。图3所例示的“r1”是基板保持架30的旋转方向的一个例子。作为旋转机构40，能够使用公知的旋转马达等。倾斜机构45是用于使旋转机构40和基板保持架30倾斜的机构。升降机构50由在上下方向上延伸的支轴51支承。升降机构50是用于使基板保持架30、旋转机构40以及倾斜机构45在上下方向上升降的机构。作为升降机构50，能够使用直动式的致动器等公知的升降机构。
79.此外，如图12所例示的那样，在镀覆槽10的内部，也可以在比阳极11靠上方且比离子电阻器12靠下方的位置配置有膜16。在该情况下，镀覆槽10的内部被膜16划分为比膜16靠下方的阳极室17a和比膜16靠上方的阴极室17b。阳极11配置于阳极室17a，离子电阻器12配置于阴极室17b。膜16构成为允许包括镀覆液ps中所包含的金属离子在内的离子种类通过膜16，并且抑制镀覆液ps中所包含的非离子类的镀覆添加剂通过膜16。例如能够使用离子交换膜作为这样的膜16。
80.另外，在镀覆槽10的内部被膜16划分为阳极室17a和阴极室17b的情况下，优选在阳极室17a和阴极室17b分别设置供给口13。另外，优选在阳极室17a设置用于排出阳极室17a的镀覆液ps的排出口14a。
81.图5是搅棒70的示意性的俯视图。参照图3、图4以及图5，搅棒70配置于比离子电阻器12靠上方且比基板wf靠下方的位置。搅棒70被驱动装置77驱动。通过驱动搅棒70来搅拌镀覆槽10的镀覆液ps。
82.作为一个例子，在与离子电阻器12的上表面平行的“第一方向(作为一个例子，在本实施方式中为x方向)”和与第一方向相反的“第二方向(作为一个例子，在本实施方式中为－x方向)”交替驱动本实施方式所涉及的搅棒70。即，作为一个例子，本实施方式所涉及的搅棒70在x轴方向上往复移动。该搅棒70的驱动动作由控制模块800控制。
83.如图5所例示的那样，作为一个例子，本实施方式所涉及的搅棒70具有多个在相对于搅棒70的第一方向和第二方向垂直的方向(y轴方向)上延伸的搅拌部件71a。在邻接的搅拌部件71a之间设置有间隙。多个搅拌部件71a的一端与连结部件72a连结，另一端与连结部件72b连结。
84.优选搅棒70构成为在俯视时镀覆液ps搅拌时的搅棒70的移动区域ma(即搅棒70往复移动的范围)覆盖离子电阻器12的整个孔形成区域pa。根据该结构，能够通过搅棒70有效地搅拌比离子电阻器12的孔形成区域pa靠上方的镀覆液ps。
85.此外，搅棒70只要至少在搅拌镀覆液ps时配置于镀覆槽10的内部即可，不需要始终配置于镀覆槽10的内部。例如也能够构成为：在停止搅棒70的驱动而不进行搅棒70对的镀覆液ps的搅拌的情况下，搅棒70不配置于镀覆槽10的内部。
86.控制模块800具备微型计算机，该微型计算机具备作为处理器的cpu(central processing unit：中央处理器)801、作为非临时性存储介质的存储装置802等。控制模块800通过作为处理器的cpu801基于在存储装置802中存储的程序的指令进行工作来控制镀覆模块400的动作。
87.然而，有时在镀覆槽10的镀覆液ps产生气泡bu。具体而言，例如当在向镀覆槽10供
给镀覆液ps时空气与镀覆液ps一起流入至镀覆槽10的情况下，该空气有可能变为气泡bu。
88.如上所述，当在镀覆槽10的镀覆液ps产生了气泡bu的情况下，存在该气泡bu附着于离子电阻器12的孔12a的情况。假设当在气泡bu大量附着于孔12a的状态下对基板wf实施了镀覆处理的情况下，有可能由该气泡bu导致基板wf的镀覆品质恶化。因此，在本实施方式中，为了应对该问题而使用以下说明的技术。
89.图6是用于对本实施方式所涉及的镀覆方法进行说明的流程图的一个例子。本实施方式所涉及的镀覆方法包括步骤s10～步骤s60。此外，本实施方式所涉及的镀覆方法也可以由控制模块800自动地执行。另外，在本实施方式所涉及的步骤s10的开始执行前，未在镀覆槽10的内部贮存镀覆液ps，或者即使是在镀覆槽10的内部贮存有镀覆液ps的情况，该镀覆槽10的镀覆液ps的液面也位于比离子电阻器12靠下方的位置。
90.在步骤s10中，通过向镀覆槽10供给镀覆液ps来使阳极11和离子电阻器12浸渍于镀覆液ps。具体而言，在本实施方式中，从供给口13向镀覆槽10供给镀覆液ps来使阳极11和离子电阻器12浸渍于镀覆液ps。
91.此外，也可以构成为：在步骤s10中，基于上述的液位传感器60a的检测结果取得镀覆液ps的液面位置，向镀覆槽10供给镀覆液ps，直到判断为该取得的镀覆液ps的液面位置变为比阳极11和离子电阻器12靠上方的规定位置为止。
92.或者，也可以构成为：在步骤s10中，基于上述的流量传感器60b的检测结果，取得从镀覆槽10溢流的镀覆液ps的流量，向镀覆槽10供给镀覆液ps，直到判断为该取得的流量变为大于零的规定流量为止。在这种情况下，也能够使镀覆槽10的镀覆液ps的液面位于比阳极11和离子电阻器12靠上方的位置来使阳极11和离子电阻器12浸渍于镀覆液ps。
93.在步骤s10之后，执行步骤s20。具体而言，在步骤s10所涉及的镀覆液ps向镀覆槽10的供给开始后，且在镀覆槽10的镀覆液ps的液面变为了能够通过搅棒70搅拌镀覆液ps那样的位置的情况(例如，镀覆液ps的液面位于比搅棒70靠上方的位置的情况)下，执行步骤s20。
94.在步骤s20中，驱动配置于比离子电阻器12靠上方且比基板wf靠下方的位置的搅棒70，由此通过搅棒70搅拌镀覆液ps。即，在步骤s20中，开始搅棒70对镀覆液ps的搅拌。具体而言，在本实施方式中，通过在第一方向和第二方向上交替地驱动搅棒70来搅拌镀覆液ps。
95.根据本实施方式，例如即使是在镀覆液ps向镀覆槽10的供给时镀覆液ps中所包含的气泡bu附着于离子电阻器12的孔12a的情况，也能够通过步骤s20所涉及的搅棒70对镀覆液ps的搅拌来促进气泡bu向上方的移动。由此，能够去除附着于离子电阻器12的孔12a的气泡bu。
96.此外，在能够有效地去除附着于离子电阻器12的孔12a的气泡bu的这一点，优选从离子电阻器12的下表面侧通过多个孔12a而朝向离子电阻器12的上表面侧流动的镀覆液ps的流量(l/min)较多。
97.因此，例如优选使步骤s20中的从离子电阻器12的下表面侧通过多个孔12a而朝向离子电阻器12的上表面侧流动的镀覆液ps的流量比后述的步骤s60中的从离子电阻器12的下表面侧通过多个孔12a而朝向离子电阻器12的上表面侧流动的镀覆液ps的流量多。根据该结构，能够有效地去除附着于离子电阻器12的孔12a的气泡bu。
98.此外，例如通过使泵81(它是用于朝向镀覆槽10压送储液罐80的镀覆液ps的泵)的转速上升，能够增加在储液罐80与镀覆槽10之间循环的镀覆液ps的循环流量。由此，能够增加在镀覆槽10的内部流动的镀覆液ps的流量，因此能够增加从离子电阻器12的下表面侧通过多个孔12a而朝向离子电阻器12的上表面侧流动的镀覆液ps的流量。
99.即，在本实施方式中，优选步骤s20中的镀覆液ps的循环流量(l/min)比步骤s60中的镀覆液ps的循环流量(将其称为“基准流量(l/min)”)多。由此，步骤s20中的从离子电阻器12的下表面侧通过多个孔12a而朝向离子电阻器12的上表面侧流动的镀覆液ps的流量比步骤s60中的从离子电阻器12的下表面侧通过多个孔12a而朝向离子电阻器12的上表面侧流动的镀覆液ps的流量多。其结果是，能够有效地去除附着于离子电阻器12的孔12a的气泡bu。
100.在步骤s20之后执行步骤s30。在步骤s30中，使搅棒70的驱动停止来使搅棒70对镀覆液ps的搅拌停止。
101.此外，从在步骤s20中由搅棒70进行的搅拌开始起到在步骤s30中由搅棒70进行的搅拌停止为止的时间(即基于搅棒70的搅拌时间)的具体例子并不特别地限定，但例如能够使用从2秒以上10秒以下中选择的规定时间。这样，根据本实施方式，仅通过用搅棒70短时间搅拌镀覆液ps，就能够去除附着于离子电阻器12的孔12a的气泡bu。
102.在步骤s30之后执行步骤s40。在步骤s40中，在搅棒70对镀覆液ps的搅拌停止的状态下，使基板wf浸渍于镀覆液ps。具体而言，在本实施方式中，通过升降机构50使基板保持架30下降来使基板wf的至少被镀覆面wfa浸渍于镀覆液ps。
103.如本实施方式那样，当在步骤s30中搅棒70对镀覆液ps的搅拌停止的状态下，在步骤s40中将基板wf浸渍于镀覆液ps，因此能够抑制在基板wf向镀覆液ps的浸渍时由搅棒70对镀覆液ps的搅拌导致镀覆液ps的液面起伏。由此，能够抑制在基板wf向镀覆液ps的浸渍时气泡bu大量附着于基板wf的被镀覆面wfa。
104.此外，也可以构成为：在步骤s40中，在通过倾斜机构45以基板wf的被镀覆面wfa相对于水平方向倾斜的方式(即以被镀覆面wfa相对于水平面倾斜的方式)使基板保持架30倾斜的状态下，使基板wf的被镀覆面wfa与镀覆液ps接触。根据该结构，与在基板wf的被镀覆面wfa为水平方向的状态下被镀覆面wfa与镀覆液ps接触的情况相比，能够有效地抑制气泡bu附着于被镀覆面wfa。
105.在步骤s40之后执行步骤s50。在步骤s50中，在将基板wf浸渍于镀覆液ps的状态下，使搅棒70对镀覆液ps的搅拌再次开始。具体而言，在本实施方式中，在将基板wf浸渍于镀覆液ps的状态下，在第一方向和第二方向上交替地驱动配置于比离子电阻器12靠上方且比基板wf靠下方的位置的搅棒70，由此使由搅棒70对镀覆液ps的搅拌再次开始。
106.这样，通过在将基板wf浸渍于镀覆液ps的状态下再次开始搅棒70对镀覆液ps的搅拌，从而能够向基板wf的被镀覆面wfa有效地供给镀覆液ps。由此，例如能够用镀覆液ps有效地置换残存于基板wf的被镀覆面wfa的布线图案的内部的预湿处理液。
107.另外，如上所述，在步骤s40中，当在使基板wf的被镀覆面wfa倾斜的状态下使被镀覆面wfa与镀覆液ps接触的情况下，优选在使浸渍于镀覆液ps的状态的基板wf的被镀覆面wfa返回至水平方向后执行步骤s50所涉及的搅棒70对镀覆液ps的搅拌的再次开始。即，该情况下，当在步骤s40中使基板wf的被镀覆面wfa倾斜的状态下，将被镀覆面wfa与镀覆液ps
接触，接着，使基板wf的被镀覆面wfa返回至水平方向(将其称为“步骤s45”)，接着，开始步骤s50所涉及的搅棒70对镀覆液ps的搅拌。
108.这里，假设当在基板wf的被镀覆面wfa相对于水平方向倾斜的状态下再次开始搅棒70对镀覆液ps的搅拌的情况下，倾斜的状态的基板wf的被镀覆面wfa的上端(被镀覆面wfa的外缘的上端)接近镀覆液ps的液面，所以在由于搅棒70对镀覆液ps的搅拌的再次开始而镀覆液ps的液面起伏时，气泡bu有可能容易卷入至基板wf的被镀覆面wfa。与此相对地，根据该结构，在使浸渍于镀覆液ps的状态的基板wf的被镀覆面wfa返回至水平方向后再次开始搅棒70对镀覆液ps的搅拌，因此即使是假设由于搅棒70对镀覆液ps的搅拌的再次开始而镀覆液ps的液面起伏的情况，也能够有效地抑制气泡bu被卷入至基板wf的被镀覆面wfa。
109.在步骤s50之后执行步骤s60。在步骤s60中，在搅棒70对镀覆液ps的搅拌再次开始的状态下(即在通过搅棒70搅拌镀覆液ps的状态下)，使电流在基板wf与阳极11之间流动，由此对基板wf的被镀覆面wfa实施镀覆处理。由此，在被镀覆面wfa形成由金属构成的镀覆皮膜。
110.如步骤s60那样，通过在对基板wf的镀覆处理时进行搅棒70对镀覆液ps的搅拌，从而能够在镀覆处理时向基板wf的被镀覆面wfa有效地供给镀覆液ps。由此，能够使镀覆皮膜有效地形成于基板wf。
111.此外，也可以与步骤s50所涉及的搅棒70对镀覆液ps的搅拌的再次开始同时开始步骤s60所涉及的对基板wf的镀覆处理。或者，也可以在从步骤s50所涉及的镀覆液ps的搅拌的再次开始起经过规定时间后开始步骤s60所涉及的对基板wf的镀覆处理。该规定时间的具体值并不特别地限定，但例如优选使用使镀覆液ps遍布于在基板wf的被镀覆面wfa形成的布线图案的导通孔、贯通孔等所需的充分的时间。若举出这样的规定时间的一个例子，则例如能够使用从30秒以上60秒以下中选择的时间。
112.此外，在步骤s60中，旋转机构40也可以使基板保持架30旋转。另外，在步骤s60中，倾斜机构45也可以使基板保持架30倾斜为基板wf的被镀覆面wfa相对于水平方向倾斜。
113.另外，步骤s20中的搅棒70的往复移动速度(第一往复移动速度)、和步骤s50及步骤s60中的搅棒70的往复移动速度(第二往复移动速度)也可以是相同的值，也可以是不同的值。在步骤s20中的搅棒70的往复移动速度、和步骤s50及步骤s60中的搅棒70的往复移动速度不同的情况下，步骤s20的情况也可以比步骤s50及步骤s60的情况快或者慢。
114.但是，搅棒70具有往复移动速度越快则气泡bu的去除效果越高的趋势。另外，一般来说，可以认为步骤s20的执行开始前的情况与步骤s50的执行开始前的情况相比，附着于离子电阻器12的孔12a的气泡bu的量较多。因此，在有效地去除附着于离子电阻器12的孔12a的气泡bu的观点上，优选使步骤s20中的搅棒70的移动速度比步骤s50及步骤s60中的搅棒70的往复移动速度快。
115.步骤s20、步骤s50以及步骤s60中的搅棒70的往复移动速度的具体数值并不特别地限定，但若举出一个例子，则能够使用从25(rpm)以上400(rpm)以下的范围中选择的值，具体而言，能够使用从100(rpm)以上300(rpm)以下的范围中选择的值，更具体而言，能够使用从150(rpm)以上250(rpm)以下的范围中选择的值。这里，“搅棒70的往复移动速度为n(rpm)”具体而言是指搅棒70在1分钟内进行n次往复(即，搅棒70从规定位置出发例如在沿着第一方向移动后在第二方向上移动并再次在第一方向上移动而返回至规定位置)。
116.此外，例如也可以当在镀覆装置1000的维护时向镀覆槽10供给新的镀覆液ps(未使用的镀覆液)时执行图6所涉及的流程。或者，例如也可以当在镀覆装置1000的运转中，因某种原因，镀覆槽10的镀覆液ps的贮存量减少而镀覆液ps的液面位于比离子电阻器12靠下方的位置，因此向镀覆槽10补给镀覆液ps时执行图6所涉及的流程。
117.根据以上说明的那样的本实施方式，能够去除附着于离子电阻器12的孔12a的气泡bu。由此，能够抑制由该附着的气泡bu导致基板wf的镀覆品质恶化。
118.(变形例1)
119.图7是用于对实施方式的变形例1所涉及的镀覆方法进行说明的流程图的一个例子。于在步骤s30与步骤s40之间还包括步骤s35这一点，在图7中例示的那样的本变形例所涉及的镀覆方法与在图6中说明的镀覆方法不同。
120.在步骤s35中，在搅棒70对镀覆液ps的搅拌停止的状态下，使镀覆液ps从镀覆槽10溢流。
121.具体而言，在本变形例中，通过从供给口13供给镀覆液ps来使镀覆液ps从镀覆槽10溢流。从镀覆槽10溢流的镀覆液ps流入至溢流槽20。此外，步骤s35在预先设定的规定时间内执行即可。该规定时间的具体例子并不特别地限定，但例如能够使用从2秒以上120秒以下中选择的时间。
122.根据本变形例，由于执行步骤s35，因此能够使浮起至比离子电阻器12靠上方的位置的气泡bu与从镀覆槽10溢流的镀覆液ps一起向镀覆槽10的外部排出。由此，当在步骤s40中将基板wf浸渍于镀覆液ps时，能够有效地抑制气泡bu附着于基板wf。
123.此外，在该步骤s35中向镀覆槽10供给的镀覆液ps的流量可以比在步骤s60所涉及的镀覆处理的执行中向镀覆槽10供给的镀覆液ps的流量亦即“基准流量(l/min)”多，可以比其少，或者也可以与其相同。
124.但是，在能够在步骤s35中使镀覆槽10的镀覆液ps的气泡bu尽快地向镀覆槽10的外部排出这一点，在步骤s35中向镀覆槽10供给的镀覆液ps的流量比基准流量多的情况与并非这样的情况相比是优选的。
125.(变形例2)
126.图8是用于对实施方式的变形例2所涉及的镀覆方法进行说明的流程图的一个例子。图8的流程在上述的图6的步骤s60的执行后执行。于在步骤s60的执行后还执行步骤s70、步骤s80、步骤s90、步骤s100、步骤s110以及步骤s120这一点，本变形例所涉及的镀覆方法与在图6中叙述的镀覆方法不同。
127.在步骤s70中，在对基板wf实施镀覆处理后，将基板wf从镀覆液ps提起。具体而言，在本变形例中，通过升降机构50，使基板保持架30向上方移动来将基板wf从镀覆液ps提起。
128.接着，在步骤s80中，在将基板wf从镀覆液ps提起的状态下，驱动配置于比离子电阻器12靠上方的位置的搅棒70，由此搅拌镀覆液ps。此外，步骤s80所涉及的搅棒70的驱动形态和上述的步骤s20所涉及的搅棒70的驱动形态是相同的，因此省略步骤s80的详细说明。
129.根据本变形例，在将后述的第二基板wf
′
浸渍于镀覆液ps之前的状态下，即使是假设镀覆液ps中所包含的气泡bu附着于离子电阻器12的孔12a的情况，也能够通过步骤s80所涉及的搅棒70对镀覆液ps的搅拌来促进气泡bu向上方的移动。由此，能够去除附着于离子
电阻器12的孔12a的气泡bu。
130.接着，在步骤s90中，使搅棒70对镀覆液ps的搅拌停止。接着，在步骤s100中，在搅棒70对镀覆液ps的搅拌停止的状态下，使“第二基板wf
′”
浸渍于镀覆液ps。此外，该第二基板wf
′
是于在步骤s60中已实施了镀覆处理的基板wf的下一个实施镀覆处理的基板。在本变形例中，第二基板wf
′
的具体结构与基板wf是相同的。另外，除了代替基板wf而使用第二基板wf
′
这一点以外，步骤s100与上述的步骤s40是相同的。因此，省略步骤s100的详细说明。
131.根据本变形例，在步骤s100中，在搅棒70对镀覆液ps的搅拌停止的状态下将第二基板wf
′
浸渍于镀覆液ps，因此能够抑制在第二基板wf
′
向镀覆液ps的浸渍时镀覆液ps的液面起伏。由此，能够抑制气泡bu大量附着于第二基板wf
′
的被镀覆面wfa。
132.接下来，在步骤s110中，在将第二基板wf
′
浸渍于镀覆液ps的状态下，使搅棒70对镀覆液ps的搅拌再次开始。具体而言，通过在第一方向及第二方向上交替地驱动配置于比离子电阻器12靠上方且比第二基板wf
′
靠下方的位置的搅棒70，从而使搅棒70对镀覆液ps的搅拌再次开始。此外，除了代替基板wf而使用第二基板wf
′
这一点以外，步骤s110与上述的步骤s50是相同的。因此，省略步骤s110的详细说明。
133.接着，在步骤s120中，在搅棒70对镀覆液ps的搅拌再次开始的状态下，使电流向第二基板wf
′
与阳极11之间流动，由此对第二基板wf
′
的被镀覆面wfa实施镀覆处理。由此，在第二基板wf
′
的被镀覆面wfa形成由金属构成的镀覆皮膜。此外，除了代替基板wf而使用第二基板wf
′
这一点以外，步骤s120与上述的步骤s60是相同的。因此，省略步骤s120的详细说明。通过如步骤s120那样在对第二基板wf
′
的镀覆处理时进行搅棒70对镀覆液ps的搅拌，从而能够在镀覆处理时有效地向第二基板wf
′
的被镀覆面wfa供给镀覆液ps。由此，能够使镀覆皮膜有效地形成于第二基板wf
′
。
134.此外，当在对第二基板wf
′
实施镀覆处理后对第三基板实施镀覆处理的情况下，对该第三基板再次执行与图8的流程相同的流程即可。
135.另外，在本变形例中，也可以在步骤s90与步骤s100之间执行上述的图7的步骤s35。在该情况下，能够进一步起到上述的变形例1所涉及的发明的作用效果。
136.(变形例3)
137.图9是实施方式的变形例3所涉及的搅棒70a的示意性的俯视图。在除了“多个搅拌部件71a(即第一搅拌部件群)”之外还具备与搅拌部件71a相比延伸方向的长度较短的“多个搅拌部件71b、71c、71d、71e(即第二搅拌部件群)”这一点，本变形例所涉及的搅棒70a与上述的图5所例示的搅棒70不同。
138.具体而言，本变形例所涉及的搅棒70a在多个搅拌部件71a的第一方向侧和第二方向侧分别具备搅拌部件71b、71c、71d、71e。
139.此外，如图9所例示的那样，搅拌部件71b、71c、71d、71e也可以构成为：越远离搅拌部件71a，则其延伸方向的长度越短。另外，搅拌部件71b、71c、71d、71e的一端也可以与连结部件72c连结，其另一端也可以与连结部件72d连结。
140.根据本变形例，搅棒70a具备搅拌部件71b、71c、71d、71e，因此例如与图5的搅棒70相比，能够扩大搅棒70a移动一定距离后的搅棒70a可以搅拌的区域。
141.此外，具有本变形例所涉及的搅棒70a的镀覆装置1000执行在上述的图6中说明的流程。另外，在上述的变形例1、变形例2中，也可以代替搅棒70而使用本变形例所涉及的搅
棒70a。
142.(变形例4)
143.图10是实施方式的变形例4所涉及的搅棒70b的示意性的俯视图。在具备在规定方向上延伸的多个搅拌部件71f、和将各个搅拌部件71f的两端连结的连结部件72e，且连结部件72e在俯视时具有环状这一点，本变形例所涉及的搅棒70b与图5所例示的搅棒70不同。
144.另外，在被驱动装置77a和驱动装置77b驱动为在水平面内旋转这一点，本变形例所涉及的搅棒70b也与图5所例示的搅棒70不同。具体而言，驱动装置77a在y方向和－y方向上交替地驱动搅棒70b的连结部件72e。驱动装置77b在－y方向和y方向上交替地驱动连结部件72e。由此，搅棒70b以环状的连结部件72e的中心为旋转中心，在水平面内在第一旋转方向(例如在俯视时呈顺时针方向)和与第一旋转方向相反的第二旋转方向(例如在俯视时呈逆时针方向)上交替地旋转。
145.在本变形例中，也能够通过搅棒70b来搅拌镀覆液ps，因此能够去除附着于离子电阻器12的孔12a的气泡bu。
146.此外，具有本变形例所涉及的搅棒70b的镀覆装置1000执行在上述的图6中说明的流程。另外，在上述的变形例1、变形例2中，也可以代替搅棒70而使用本变形例所涉及的搅棒70b。
147.(变形例5)
148.图11是实施方式的变形例5所涉及的搅棒70c的示意性的俯视图。在具备具有蜂窝构造的多个搅拌部件73这一点，本变形例所涉及的搅棒70c与图5所例示的搅棒70不同。另外，如图11所例示的那样，本变形例所涉及的搅棒70c也可以还具备包覆框75、和外框76a、76b。
149.各个搅拌部件73具有在上下方向(铅垂方向)上延伸的多边形的贯通孔73a。贯通孔73a具有的多边形的具体形状并不特别地限定，能够使用三角形、四边形、五边形、六边形、七边形、八边形等各种n边形(n为3以上的自然数)。在本变形例中，使用六边形作为多边形的一个例子。
150.另外，多个搅拌部件73具有在俯视时具有四边形状的方形部位74a。具体而言，本变形例所涉及的方形部位74a具有在水平方向上延伸并且以相对于第一方向及第二方向垂直的方向(y轴方向)为长边方向的长方形的形状。但是并不限定于该结构，方形部位74a可以具有以第一方向及第二方向为长边方向的长方形的形状，或者也可以具有正方形的形状。
151.另外，多个搅拌部件73具有：第一突出部位74b，从方形部位74a中的第一方向侧的侧面向第一方向侧突出；和第二突出部位74c，从方形部位74a中的第二方向侧的侧面向第二方向侧突出。即，本变形例所涉及的多个搅拌部件73的外缘在俯视时呈具有方形部位74a、第一突出部位74b以及第二突出部位74c的外观形状。本变形例所涉及的第一突出部位74b向第一方向侧突出为圆弧状(换言之为弓状)。另外，本变形例所涉及的第二突出部位74c向第二方向侧突出为圆弧状(换言之为弓状)。
152.包覆框75设置为覆盖多个搅拌部件73的外缘。外框76a与包覆框75的一侧(y方向侧)的侧面连接。外框76b与包覆框75的另一侧(－y方向侧)的侧面连接。搅棒70c与驱动装置77连接，被该驱动装置77在第一方向及第二方向上交替地驱动。具体而言，对于本变形例
所涉及的搅棒70c而言，搅棒70c的外框76b与驱动装置77连接。
153.在本变形例中，能够通过搅棒70c来搅拌镀覆液ps，因此能够去除附着于离子电阻器12的孔12a的气泡bu。
154.另外，根据本变形例，搅棒70c具有蜂窝构造，因此与搅棒70c不具有蜂窝构造、而例如由在与搅棒70c的驱动方向垂直的方向上延伸的棒状或板状的部件构成的情况(例如上述的图5那样的情况)相比，能够增加多个搅拌部件73的配置密度。由此，能够通过搅棒70c有效地搅拌镀覆液ps。其结果是，能够有效地去除附着于离子电阻器12的孔12a的气泡bu。
155.另外，根据本变形例，搅棒70c的多个搅拌部件73具有方形部位74a、第一突出部位74b以及第二突出部位74c，因此例如与多个搅拌部件73具有方形部位74a但不具有第一突出部位74b和第二突出部位74c的情况相比，能够扩大搅棒70c移动一定距离后的搅棒70c可以搅拌的区域。
156.此外，对于第一突出部位74b与第二突出部位74c的距离的最大值亦即“搅棒宽度d2”而言，可以比基板wf的被镀覆面wfa的处于第一方向的外缘与处于第二方向的外缘的距离的最大值亦即“基板宽度d1(该附图标记在图3中例示)”大，也可以比其小。或者搅棒宽度d2也可以是与基板宽度d1相同的值。
157.但是，搅棒宽度d2比基板宽度d1小的情况与搅棒宽度d2和基板宽度d1相同的情况或者搅棒宽度d2比基板宽度d1大的情况相比，能够较大地确保搅棒70c与镀覆槽10的外周壁10b之间的间隙。其结果是，能够增大镀覆槽10的内部中的搅棒70c向第一方向和第二方向的移动距离(即搅棒70c的往复移动时的行程)。由此，能够通过搅棒70c有效地搅拌镀覆液ps，因此能够有效地去除附着于离子电阻器12的孔12a的气泡bu。在这样的观点上，优选搅棒宽度d2比基板宽度d1小。
158.此外，在基板wf的被镀覆面wfa为圆形的情况下，基板宽度d1相当于被镀覆面wfa的直径。在基板wf的被镀覆面wfa为四边形的情况下，基板宽度d1相当于被镀覆面wfa的处于第一方向的边与和该边对置的边(处于第二方向的边)的间隔的最大值。
159.具有本变形例所涉及的搅棒70c的镀覆装置1000执行在上述的图6中说明的流程。但是并不限定于该结构。举出另一个例子，本变形例所涉及的镀覆装置1000也可以仅在镀覆液ps向镀覆槽10的供给时(步骤s10、步骤s20)与对基板wf的镀覆处理时(步骤s50、步骤s60)中的任意一个情况下执行搅棒70c对镀覆液ps的搅拌。另外，在上述的变形例1(图7)、变形例2(图8)中，也可以代替搅棒70而使用本变形例所涉及的搅棒70c。
160.以上，对本发明的实施方式、变形例进行了详述，但本发明并不限定于该特定的实施方式、变形例，能够在权利要求书所记载的本发明的范围内进行进一步的各种变形
·
变更。
161.附图标记说明
162.10
…
镀覆槽；11
…
阳极；12
…
离子电阻器；12a
…
孔；30
…
基板保持架；70、70a、70b、70c
…
搅棒；73
…
搅拌部件；73a
…
贯通孔；74a
…
方形部位；74b
…
第一突出部位；74c
…
第二突出部位；1000
…
镀覆装置；wf
…
基板；ps
…
镀覆液；bu
…
气泡。