从电镀槽去除气泡的制作方法

文档序号:38835191发布日期:2024-07-30 17:34阅读:58来源:国知局
从电镀槽去除气泡的制作方法

本公开内容总体上涉及电镀衬底,且更特别是涉及从用于电镀衬底的电镀槽去除气泡。


背景技术:

1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

2、电化学沉积(ecd),也称为镀覆或电镀,被用于将金属沉积到衬底上。例如,ecd被用于在ic封装中在互连结构上沉积金属。互连结构的示例包含凸缘、柱、通硅通孔(tsv)以及重布层(rdl)。ecd还用于多芯片封装以及一般称为晶片级封装(wlp)的互连工艺。


技术实现思路

1、一种电镀装置包含室,该室包含沿所述室的底部水平设置的电极、以及沿所述室的顶部水平设置的具有穿孔的离子电阻性部件。该电镀装置还包含膜,该膜由设置在所述电极和所述离子电阻性部件之间的框支撑。该电镀装置还包含一或多个板,该一或多个板从所述膜到所述离子电阻性部件竖直地且平行地延伸,且线性地延伸跨越所述室,从而在所述膜与所述离子电阻性部件之间形成多个区域。该电镀装置还包含衬底座,该衬底座设置在所述离子电阻性部件上方以保持第一衬底,所述第一衬底具有平行且面对所述离子电阻性部件的可处理表面。该电镀装置还包含密封件,该密封件设置在所述离子电阻性部件周边和所述衬底座之间以防止电解液的泄漏,所述电解液在电镀期间横向流经在所述第一衬底的所述可处理表面和所述离子电阻性部件的顶部表面之间的歧管,所述电解液的部分经由所述穿孔从所述歧管下降进入所述多个区域以及从所述多个区域上升进入所述歧管,从而在所述离子电阻性部件下方以及所述多个穿孔中形成气泡。该电镀装置还包含控制器,该控制器被设置成:将第二衬底放入所述衬底座中,所述第二衬底具有沿所述第二衬底的弦而延伸的凸部,所述凸部在所述多个区域中的第一区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面接触,并沿着形成所述第一区域的所述板中的一个跨越所述离子电阻性部件的所述顶部表面进行设置。该控制器被设置成:使所述电解液流过所述歧管,所述电解液在所述凸部的第一侧经过所述穿孔从所述歧管下降进入所述第一区域,并且在所述凸部的第二侧经由所述穿孔从所述第一区域上升进入所述歧管,从而迫使所述气泡从与所述第一区域关联的所述离子电阻性部件的一部分离开。

2、在另一特征中,所述凸部被整合到所述第二衬底中。

3、在另一特征中,所述凸部是垫片。

4、在另一特征中,所述控制器被设置成:使所述凸部在所述第一区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面保持接触第一预定时间。所述控制器被设置成:在所述第一预定时间之后将所述第二衬底旋转,并将所述凸部沿着形成所述第二区域的所述板中的一个放置而在所述多个区域的所述第二区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面接触。所述控制器被设置成:使所述凸部在所述第二区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面保持接触第二预定时间。所述电解液在所述凸部的所述第一侧经过所述穿孔从所述歧管下降进入所述第二区域,并在所述凸部的所述第二侧经由所述穿孔从所述第二区域上升进入所述歧管,迫使气泡从与所述第二区域关联的所述离子电阻性部件的一部分离开。

5、在另一特征中,所述凸部被设置在所述第一区域的中心。

6、在另一特征中,所述凸部沿所述第二衬底的所述弦线性延伸。

7、在另一特征中,所述凸部沿所述第二衬底的所述弦非线性延伸。

8、在另一特征中,所述凸部包含沿所述凸部的长度的一或多个间隙。

9、在其他特征中,所述第二衬底包含沿第二弦的第二凸部,所述第二凸部在所述多个区域的第二区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面接触,且沿着形成所述第二区域的所述板中的一个跨越所述离子电阻性部件的所述顶部表面设置。

10、在其他特征中,所述电解液在所述第二凸部的第一侧经过所述穿孔从所述歧管下降进入所述第二区域,并在所述第二凸部的第二侧经由所述穿孔从所述第二区域上升进入所述歧管,迫使所述气泡从与所述第二区域关联的所述离子电阻性部件的一部分离开。

11、在另一特征中,所述凸部和所述第二凸部彼此平行。

12、在另一特征中,所述凸部和所述第二凸部彼此不平行。

13、在另一特征中,所述凸部和所述第二凸部中的至少一个包含沿各自长度的一或多个间隙。

14、在另一特征中,所述凸部和所述第二凸部的所述间隙彼此对准。

15、在另一特征中,所述凸部和所述第二凸部的所述间隙彼此不对准。

16、在其他特征中,所述控制器被设置成:将第三衬底放入所述衬底座中,所述第三衬底具有沿所述第三衬底的弦延伸的第二凸部,所述第二凸部在所述多个区域的第二区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面接触,并沿着形成所述第二区域的所述板中的一个跨越所述离子电阻性部件的所述顶部表面设置。所述电解液在所述第二凸部的第一侧经过所述穿孔从所述歧管下降进入所述第二区域,并在所述第二凸部的第二侧经由所述穿孔从所述第二区域上升进入所述歧管,迫使气泡从与所述第二区域关联的所述离子电阻性部件的一部分离开。

17、在另一特征中,所述凸部和所述第二凸部被整合到各自的所述衬底中。

18、在另一特征中,所述凸部和所述第二凸部中的每一个是垫片。

19、在其他特征中,所述控制器被设置成:使所述第二凸部在所述第二区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面保持接触第一预定时间。所述控制器还被设置成:在所述第一预定时间后将所述第三衬底旋转,并将所述第二凸部沿着形成所述第三区域的所述板中的一个放置而在所述多个区域的所述第三区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面接触。所述控制器被设置成:使所述第二凸部在所述第三区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面保持接触第二预定时间。所述电解液在所述第二凸部的所述第一侧经过所述穿孔从所述歧管下降进入所述第三区域,并在所述第二凸部的所述第二侧经由所述穿孔从所述第三区域上升进入所述歧管,迫使气泡从与所述第三区域关联的所述离子电阻性部件的一部分离开。

20、在另一特征中,所述凸部和所述第二凸部中的至少一个被设置在各自区域的中心。

21、在另一特征中,所述凸部和所述第二凸部中的至少一个沿各自的所述衬底的所述弦线性延伸。

22、在另一特征中,所述凸部和所述第二凸部中的至少一个沿各自的所述衬底的所述弦非线性延伸。

23、在另一特征中,所述凸部和所述第二凸部中的至少一个包含沿各自长度的一或多个间隙。

24、在另一特征中,所述凸部和所述第二凸部的所述间隙彼此对准。

25、在另一特征中,所述凸部和所述第二凸部的所述间隙彼此不对准。

26、在其他特征中,所述第三衬底包含沿所述第三衬底的第二弦的第三凸部,所述第三凸部在所述多个区域的第三区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面接触,且沿着形成所述第三区域的所述板中的一个跨越所述离子电阻性部件的所述顶部表面设置。

27、在其他特征中,所述电解液在所述第三凸部的第一侧经过所述穿孔从所述歧管下降进入所述第三区域,并在所述第三凸部的第二侧经由所述穿孔从所述第三区域上升进入所述歧管,迫使所述气泡从与所述第三区域关联的所述离子电阻性部件的一部分离开。

28、在另一特征中,所述凸部、所述第二凸部和所述第三凸部中的至少二个彼此平行。

29、在另一特征中,所述凸部、所述第二凸部和所述第三凸部中的至少二个彼此不平行。

30、在另一特征中,所述凸部、所述第二凸部和所述第三凸部中的至少一个包含沿各自长度的一或多个间隙。

31、在另一特征中,所述凸部、所述第二凸部和所述第三凸部中的至少二个的所述间隙彼此对准。

32、在另一特征中,所述凸部、所述第二凸部和所述第三凸部中的至少二个的所述间隙彼此不对准。

33、在其他特征中,所述密封件由于在所述歧管中的所述电解液流而被推靠在所述衬底座上,并使得在所述歧管中的所述电解液能迫使所述气泡从所述离子电阻性部件的所述穿孔的下方及所述穿孔中离开。

34、在另一特征中,所述膜将经过所述穿孔的所述电解液流聚集。

35、在另一特征中,所述离子电阻性部件作为所述第一衬底附近的均匀流源进行操作。

36、在另一特征中,所述穿孔中的至少多个具有相同尺寸和密度,且相对于放置所述第一衬底所沿着的平面是垂直的。

37、在另一特征中,所述穿孔中的至少多个具有不同尺寸和密度,且相对于放置所述第一衬底所沿着的平面是倾斜的。

38、在还有的其他特征中,一种用于电镀装置的方法包括:沿室的底部水平地设置电极,沿所述室的顶部水平地设置具有穿孔的离子电阻性部件,以及设置由所述电极和所述离子电阻性部件之间的框支撑的膜。该方法还包含:设置一或多个板,该一或多个板从所述膜到所述离子电阻性部件竖直地且平行地延伸,且线性地延伸跨越所述室,从而在所述膜与所述离子电阻性部件之间形成多个区域。该方法还包含设置衬底座,该衬底座设置在所述离子电阻性部件上方以保持第一衬底,所述第一衬底具有平行且面对所述离子电阻性部件的可处理表面。该电镀装置还包含密封件,该密封件设置在所述离子电阻性部件周边和所述衬底座之间以防止电解液的泄漏,所述电解液在电镀期间横向流经在所述第一衬底的所述可处理表面和所述离子电阻性部件的顶部表面之间的歧管,所述电解液的部分经由所述穿孔从所述歧管下降进入所述多个区域以及从所述多个区域上升进入所述歧管,从而在所述离子电阻性部件下方以及所述多个穿孔中形成气泡。该方法还包含:将第二衬底放入所述衬底座中,所述第二衬底具有沿所述第二衬底的弦而延伸的凸部,所述凸部在所述多个区域中的第一区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面接触,并沿着形成所述第一区域的所述板中的一个跨越所述离子电阻性部件的所述顶部表面进行设置。该方法还包含:使所述电解液流过所述歧管,所述电解液在所述凸部的第一侧经过所述穿孔从所述歧管下降进入所述第一区域,并且在所述凸部的第二侧经由所述穿孔从所述第一区域上升进入所述歧管,从而迫使所述气泡从与所述第一区域关联的所述离子电阻性部件的一部分离开。

39、在另一特征中,该方法还包含将所述凸部整合到所述第二衬底中。

40、在另一特征中,该方法还包含将垫片设置在所述第二衬底上以形成所述凸部。

41、在另一特征中,该方法还包含:使所述凸部在所述第一区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面保持接触第一预定时间。该方法还包含:在所述第一预定时间之后将所述第二衬底旋转,并将所述凸部沿着形成所述第二区域的所述板中的一个放置而在所述多个区域的所述第二区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面接触。该方法还包含:使所述凸部在所述第二区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面保持接触第二预定时间。该方法还包含:通过所述电解液在所述凸部的所述第一侧经过所述穿孔从所述歧管下降进入所述第二区域,并在所述凸部的所述第二侧经由所述穿孔从所述第二区域上升进入所述歧管,迫使气泡从与所述第二区域关联的所述离子电阻性部件的一部分离开。

42、在另一特征中,该方法还包含将所述凸部设置在所述第一区域的中心。

43、在另一特征中,该方法还包含使所述凸部沿所述第二衬底的所述弦线性延伸。

44、在另一特征中,该方法还包含使所述凸部沿所述第二衬底的所述弦非线性延伸。

45、在另一特征中,该方法还包含沿所述凸部的长度设置一或多个间隙。

46、在其他特征中,该方法还包含沿所述第二衬底的第二弦设置第二凸部。该方法还包含设置所述第二凸部以在所述多个区域的第二区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面接触,且沿着形成所述第二区域的所述板中的一个跨越所述离子电阻性部件的所述顶部表面。

47、在其他特征中,该方法还包含通过所述电解液在所述第二凸部的第一侧经过所述穿孔从所述歧管下降进入所述第二区域,并在所述第二凸部的第二侧经由所述穿孔从所述第二区域上升进入所述歧管,迫使所述气泡从与所述第二区域关联的所述离子电阻性部件的一部分离开。

48、在另一特征中,该方法还包含将所述凸部和所述第二凸部设置成彼此平行。

49、在另一特征中,该方法还包含将所述凸部和所述第二凸部设置成彼此不平行。

50、在另一特征中,该方法还包含在所述凸部和所述第二凸部中的至少一个中沿各自长度设置一或多个间隙。

51、在另一特征中,该方法还包含将所述凸部和所述第二凸部的所述间隙彼此对准。

52、在另一特征中,该方法还包含将所述凸部和所述第二凸部的所述间隙彼此不对准。

53、在其他特征中,该方法还包含:将第三衬底放入所述衬底座中,所述第三衬底具有沿所述第三衬底的弦延伸的第二凸部,所述第二凸部在所述多个区域的第二区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面接触,并沿着形成所述第二区域的所述板中的一个跨越所述离子电阻性部件的所述顶部表面设置。该方法还包含通过所述电解液在所述第二凸部的第一侧经过所述穿孔从所述歧管下降进入所述第二区域,并在所述第二凸部的第二侧经由所述穿孔从所述第二区域上升进入所述歧管,迫使气泡从与所述第二区域关联的所述离子电阻性部件的一部分离开。

54、在另一特征中,该方法还包含将所述凸部和所述第二凸部整合到各自的所述衬底中。

55、在另一特征中,该方法还包含使用垫片形成所述凸部和所述第二凸部中的每一个。

56、在其他特征中,该方法还包含:使所述第二凸部在所述第二区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面保持接触第一预定时间。该方法还包含:在所述第一预定时间后将所述第三衬底旋转,并将所述第二凸部沿着形成所述第三区域的所述板中的一个放置而在所述多个区域的第三区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面接触。该方法还包含:使所述第二凸部在所述第三区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面保持接触第二预定时间。该方法还包含通过所述电解液在所述第二凸部的所述第一侧经过所述穿孔从所述歧管下降进入所述第三区域,并在所述第二凸部的所述第二侧经由所述穿孔从所述第三区域上升进入所述歧管,迫使气泡从与所述第三区域关联的所述离子电阻性部件的一部分离开。

57、在另一特征中,该方法还包含将所述凸部和所述第二凸部中的至少一个设置在各自区域的中心。

58、在另一特征中,该方法还包含使所述凸部和所述第二凸部中的至少一个沿各自的所述衬底的所述弦线性延伸。

59、在另一特征中,该方法还包含使所述凸部和所述第二凸部中的至少一个沿各自的所述衬底的所述弦非线性延伸。

60、在另一特征中,该方法还包含在所述凸部和所述第二凸部中的至少一个中沿各自长度形成一或多个间隙。

61、在另一特征中,该方法还包含使所述凸部和所述第二凸部的所述间隙彼此对准。

62、在另一特征中,该方法还包含使所述凸部和所述第二凸部的所述间隙彼此不对准。

63、在其他特征中,该方法还包含沿所述第三衬底的第二弦形成第三凸部。该方法还包含设置所述第三凸部以使其在所述多个区域的第三区域上方与所述离子电阻性部件的所述顶部表面接触,且沿着形成所述第三区域的所述板中的一个跨越所述离子电阻性部件的所述顶部表面。

64、在其他特征中,该方法还包含使通过所述电解液在所述第三凸部的第一侧经过所述穿孔从所述歧管下降进入所述第三区域,并在所述第三凸部的第二侧经由所述穿孔从所述第三区域上升进入所述歧管,迫使所述气泡从与所述第三区域关联的所述离子电阻性部件的一部分离开。

65、在另一特征中,该方法还包含将所述凸部、所述第二凸部和所述第三凸部中的至少二个设置成彼此平行。

66、在另一特征中,该方法还包含将所述凸部、所述第二凸部和所述第三凸部中的至少二个设置成彼此不平行。

67、在另一特征中,该方法还包含在所述凸部、所述第二凸部和所述第三凸部中的至少一个中沿各自长度形成一或多个间隙。

68、在另一特征中,该方法还包含使所述凸部、所述第二凸部和所述第三凸部中的至少二个的所述间隙彼此对准。

69、在另一特征中,该方法还包含使所述凸部、所述第二凸部和所述第三凸部中的至少二个的所述间隙彼此不对准。

70、在其他特征中,该方法还包含设置所述密封件以使其由于在所述歧管中的所述电解液流而被推靠在所述衬底座上,并使得在所述歧管中的所述电解液能迫使所述气泡从所述离子电阻性部件的所述穿孔的下方及所述穿孔中离开。

71、在另一特征中,该方法还包含使使用所述膜将经过所述穿孔的所述电解液流聚集。

72、在另一特征中,该方法还包含将所述离子电阻性部件作为所述第一衬底附近的均匀流源进行操作。

73、在另一特征中,该方法还包含提供具有相同尺寸和密度的至少多个所述穿孔,且将至少多个所述穿孔相对于放置所述第一衬底所沿着的平面垂直地设置。

74、在另一特征中,该方法还包含提供具有不同尺寸和密度的至少多个所述穿孔,且将至少多个所述穿孔相对于放置所述第一衬底所沿着的平面倾斜地设置。

75、上文和下文所述的一个或多个特征,包括权利要求中所述的特征,尽管是分别描述和叙述的,但可以组合。

76、根据详细描述、权利要求和附图,本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的,并非意在限制本公开的范围。

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