密封构件和用于处理基板的设备的制作方法

1.本文中所描述的本发明构思的实施例涉及一种密封构件和用于处理基板的设备。


背景技术：

2.执行诸如光刻过程、蚀刻过程、灰化过程、离子植入过程以及薄膜沉积过程的各种过程以制造半导体装置。在每一过程中，使用各种处理液体及处理气体，并且在过程期间，产生粒子和过程副产物。在每一过程之前及之后执行清洁过程以从基板移除这些粒子和过程副产物。
3.在常规清洁过程中，在干燥处理之前用化学品及冲洗液处理基板。作为干燥处理的实例，存在使基板高速旋转且移除残留在基板上的冲洗液的旋转干燥过程。然而，这种旋转干燥方法可能破坏基板的表面上形成的图案。
4.因此，最近正在使用以下超临界干燥过程：在基板上供应诸如异丙醇(ipa)的有机溶剂，以用具有低表面张力的有机溶剂替换残留在基板上的冲洗液，并且随后在基板上供应超临界状态的处理液体来移除残留在基板上的有机溶剂。在超临界干燥过程中，将干燥气体供应给具有密闭内部的过程腔室，并且对干燥气体进行加热及加压。因此，干燥气体的温度和压力两者皆上升至阈值点以上，并且干燥气体相变至超临界状态。
5.如图1及图2中所示出，执行这种超临界干燥过程的基板处理设备1包含顶部腔室2和底部腔室3。顶部腔室2和底部腔室3彼此组合以形成处理空间，在该处理空间中处理诸如晶圆的基板。此外，顶部腔室2或底部腔室3中的任一者(例如底部腔室3)配置成可在向上/向下方向上移动，以使得基板可被带入和带出处理空间。此外，在超临界干燥过程中，重要的是，将处理空间的压力保持在高压。因此，基板处理设备1包含o形环5，以便提高由顶部腔室2及底部腔室3形成的处理空间的气密性。在底部腔室3中形成凹槽4，o形环5装配至该凹槽4中。此外，当从横截面观察时，o形环5具有圆形形状。凹槽4包含底表面4c、一个侧部4a及另一个侧部4b。
6.典型的o形环在安装后固定在压缩状态。替代地，当底部腔室3在向上/向下方向上移动时，装配至底部腔室3的凹槽4中的o形环5反复接触顶部腔室2。亦即，放置在驱动环境中的o形环5的形状在压缩状态与非压缩状态之间反复变形。此外，当o形环5在压缩状态与非压缩状态之间反复变形时，o形环5的表面反复接触凹槽4的一个侧部4a及另一个侧部4b，如图3中所示出。因此，o形环5的表面磨损。此外，如上文所描述，当从横截面观察时，o形环5具有圆形形状。因此，o形环5线接触凹槽4的侧部4a及另一个侧部4b。因此，o形环5接触侧部4a及另一个侧部4b的面积很小。因此，o形环5的表面较容易磨损。当o形环5磨损时，插入凹槽4中的o形环5中出现间隙，这会产生粒子且难以维持由顶部腔室2和底部腔室3限定的处理空间的气密性。


技术实现要素：

7.本发明构思的实施例提供一种用于有效处理基板的密封构件及基板处理设备。
8.本发明构思的实施例提供一种用于在将基板带入处理空间时或将基板带出处理空间时使诸如粒子的过程副产物的发生最小化的密封构件和基板处理设备。
9.本发明概念的实施例提供一种用于使归因于压缩状态与减压缩状态之间的重复而在形状上连续变形的密封构件的磨损的发生最小化的密封构件和基板处理设备。
10.本发明构思的技术目的不限于上述目的，并且根据以下描述，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员而言将是明显的。
11.本发明构思提供一种用于密封用于处理基板的腔室的密封构件，该密封构件插入形成在腔室中的凹槽中。密封构件在横截面中包括：底部部分；顶部部分，其与底部部分相对；内部部分，其与底部部分及顶部部分的一个侧部连续；外部部分，其与内部部分相对且与底部部分及顶部部分的其他侧部连续；凹陷部分，其处于顶部部分与外部部分之间。
12.在实施例中，凹陷部分的表面的第一部分平行于顶部部分的表面，并且凹陷部分的表面的第二部分平行于外部部分的表面。
13.在实施例中，凹陷部分的表面的第一部分距凹槽的底部的水平高度高于顶部部分的表面距凹槽的底部的水平高度。
14.在实施例中，凹陷部分的表面的第二部分比外部部分的表面更靠近内部部分的表面。
15.在实施例中，外部部分的表面具有相对于底部部分的表面倾斜的形状。
16.在实施例中，当密封构件被压缩时，外部部分接触凹槽的表面，并且外部部分的表面经抛光，以使得外部部分的表面粗糙度低于密封构件的其他部分中的至少一者的表面的表面粗糙度。
17.在实施例中，外部部分的表面经抛光，以使得表面粗糙度为ra 0.5或更低。
18.在实施例中，顶部部分的表面平行于凹槽的底表面，并且底部部分包括：第一底部部分，其具有面向凹槽的底表面的方向的圆形形状；以及第二底部部分，其具有平行于凹槽的底表面的表面。
19.在实施例中，第一底部部分与内部部分相邻。
20.在实施例中，密封构件包括从底部部分向上凹陷的至少一个凹槽部分。
21.本发明构思提供一种基板处理设备，该基板处理设备包括：第一主体；第二主体，其与第一主体组合以形成用于处理基板的处理空间；移动构件，其移动第一主体和第二主体中的至少一者；以及密封构件，插入于第一主体或第二主体处的凹槽中，其中当从密封构件的横截面观察时，密封构件包括：底部部分；顶部部分；内部部分，其形成于底部部分与顶部部分之间且定位成与处理空间相邻；以及外部部分，其形成于底部部分与顶部部分之间且定位成比内部部分更远离处理空间，其中外部部分的表面具有相对于凹槽的底表面倾斜的形状且经抛光以使得表面粗糙度低于来自密封构件的其他侧部的侧部的表面粗糙度。
22.在实施例中，凹槽包括：底表面，底部部分放置在其上；内表面，其面向内部部分的表面；以及外表面，其面向外部部分的表面，外部部分的表面经抛光，以使得表面粗糙度低于内表面或底表面的表面粗糙度。
23.在实施例中，外表面经抛光，以使得表面粗糙度为ra 0.7至ra 0.8，并且外部部分的表面经抛光，以使得表面粗糙度为ra 0.5或更低。
24.在实施例中，密封构件进一步包括处于外部部分与顶部部分之间的凹陷部分。
25.在实施例中，凹陷部分的表面的第一部分设置成与顶部部分的表面平行，并且凹陷部分的表面的第二部分设置成与外部部分的表面平行。
26.在实施例中，凹陷部分的表面的第一部分距凹槽的底部的水平高度高于顶部部分的表面距凹槽的底部的水平高度。
27.在实施例中，凹陷部分的表面的第二部分比外部部分的表面更靠近内部部分的表面。
28.本发明构思提供一种使用超临界流体处理基板的基板处理设备，该基板处理设备包括：顶部主体；底部主体，其与顶部主体组合以形成用于处理基板的处理空间；移动构件，其在向上/向下方向上移动底部主体；以及密封构件，其插入形成于底部主体处的凹槽中，其中密封构件包括：底部部分；顶部部分；内部部分，其与底部部分及顶部部分的一个侧部连续；外部部分，其与内部部分相对且与底部部分及顶部部分的其他侧部连续，并且具有相对于凹槽的底表面倾斜的形状；以及凹陷部分，其处于外部部分与顶部部分之间，其中凹槽包括：底表面，底部部分放置在其上；内表面，其面向内部部分的表面；以及外表面，其面向外部部分的表面，其中外表面经抛光，以使得表面粗糙度低于底部部分、顶部部分及内部部分的侧部的表面粗糙度。
29.在实施例中，外表面经抛光，以使得表面粗糙度为ra 0.7至ra.0.8，并且外部部分的表面经抛光，以使得表面粗糙度为ra.0.5或更低。
30.在实施例中，其中凹陷部分的表面的第一部分平行于顶部部分的表面，并且凹陷部分的表面的第二部分平行于外部部分的表面，凹陷部分的表面的第一部分距凹槽的底表面的水平高度高于顶部部分的表面距凹槽的底部的水平高度，并且凹陷部分的表面的第二部分比外部部分的表面更靠近内部部分的表面。
31.根据本发明构思的实施例，可以有效地处理基板。
32.根据本发明构思的实施例，可以使当基板被带入处理空间时或基板被带出处理空间时诸如粒子的杂质的发生最小化。
33.根据本发明构思的实施例，可以使归因于压缩状态与非压缩状态之间的重复而在形状上连续变形的密封构件的磨损的发生最小化。
34.本发明构思的效果不限于上文所描述的效果，并且本领域技术人员可以从本说明书及随附的附图清楚地理解未提及的效果。
附图说明
35.根据参考以下附图的以下描述，上文及其他目的及特征将变得明显，其中除非另有说明，否则贯穿各个附图，相似的附图标记系指相似的部分，并且其中：
36.图1为示出常规基板处理设备的视图；
37.图2为设置在图1的基板处理设备的底部腔室处的密封构件的视图；
38.图3为图2的由顶部腔室压缩的密封构件的视图；
39.图4为示出根据本发明构思的实施例的基板处理设备的视图；
40.图5为示意性地示出图4的液体处理腔室的实施例的视图；
41.图6为示意性地示出图4的干燥腔室的实施例的视图；
42.图7为示意性地示出在图6的底部主体处形成的凹槽的视图；
43.图8为图6的从下方观察的密封构件的透视图；
44.图9为示出从图8的截面a-a’看到的放置在形成于底部主体处的凹槽上的密封构件的视图；
45.图10为图9的与顶部腔室接触且由顶部腔室压缩的密封构件的视图；
46.图11为示出从图8的截面b-b’观察的放置在形成于底部主体处的凹槽上的密封构件的视图；
47.图12为示出根据本发明构思的实施例的放置在形成于底部主体处的凹槽上的密封构件的视图；
48.图13为示意性地示出根据本发明构思的另一实施例的干燥腔室的视图。
具体实施方式
49.本发明构思可以以各种方式进行修改且可以具有各种形式，并且将在附图中示出且详细描述其具体实施例。然而，根据本发明构思的实施例不旨在限制具体揭露形式，并且应当理解，本发明构思包含本发明构思的精神及技术范畴中所包含的所有变换、等效物及替换。在本发明构思的描述中，当相关已知技术的详细描述可能使本发明构思的本质不清楚时，可以省略其详细描述。
50.本文中所使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不旨在限制本发明构思。如本文中所使用，除非上下文另有明确指示，否则未指明数量时以及“该”亦旨在包含复数形式。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”及/或“包括(comprising)”指定所述特征、整数、步骤、操作、组件及/或组件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、组件及/或其群组的存在或添加。如本文中所使用，术语“及/或”包含一个或多个相关联的所列项目的任何及所有组合。此外，术语“示例性”旨在指实例或说明。
51.除非在上下文中明确地具有不同的含义，否则单数表达包含复数表达。此外，为了更清楚地解释，附图中的组件的形状及大小可能被放大。
52.应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可用于描述各种组件、组件、区域、层及/或区部，但这些组件、组件、区域、层及/或区部不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件、组件、区域、层或区部与另一区域、层或区部区分开。因此，在不脱离本发明构思的教导的情况下，下文所论述的第一组件、组件、区域、层或区部可以称为第二组件、组件、区域、层或区部。
53.应当理解，当组件或组件称为“在”另一组件或组件“上”、“连接至”另一组件或组件、“联接至”另一组件或组件或“与”另一组件或组件“相邻”时，该组件或组件可以直接在另一组件或组件上、直接连接至另一组件或组件、直接联接至另一组件或组件或直接与另一组件或组件相邻，或可能存在中间组件或组件。相反，当组件称为“直接在”另一组件或组件“上”、“直接连接至”另一组件或组件、“直接联接至”另一组件或组件或“直接与”另一组件或组件“相邻”时，不存在中间组件或组件。解释组件之间关系的其他表述，诸如当组件称为“在”另外两个组件“之间”时，该组件可以直接在另外两个组件之间或间接在另外两个组件之间。
54.除非另有定义，否则本文中所使用的包含技术或科学术语的所有术语具有与本发
明构思所属领域的技术人员通常理解的那些术语相同的含义。除非在本技术案中明确定义，否则诸如在常用词典中定义的术语应解释为与相关技术的上下文一致，而非理想的或过于正式的。
55.在下文中，将参考图4至图13详细描述本发明构思的实施例。
56.图4示出根据本发明构思的实施例的基板处理设备。基板处理设备包括转位模块10、处理模块20和控制器30。当从上方观察时，转位模块10与处理模块20依序布置成行。在下文中，转位模块10与处理模块20布置的方向将被称为第一方向x，当从上方观察时垂直于第一方向x的方向将被称为第二方向y，并且垂直于第一方向x和第二方向y两者的方向将被称为第三方向z。
57.转位模块10将基板w从储存有基板w的容器c传送至处理模块20，并且处理模块20使处理后的基板w储存在容器c中。转位模块10设置有其沿第二方向y延伸的长度。转位模块10具有装载端口12和转位框架14。转位框架14放置在装载端口12与处理模块20之间。储存有基板w的容器c放置在装载端口12处。可以设置多个装载端口12，并且所述多个装载端口12可以沿第二方向y放置。
58.针对容器c，可以使用封闭式容器c，诸如前开式统一吊舱(front open unified pod；foup)。容器c可以由诸如高架传送机、高架输送机或自动引导车辆的传送工具(未示出)放置在装载端口12上，或容器c可以由操作者放置在装载端口12上。
59.转位机器人120设置在转位框架14内部。在转位框架14中，导轨124设置有其沿第二方向y延伸的长度，并且转位机器人120可以设置成可在导轨124上移动。转位机器人120包括手部122，基板w放置在该手部122上，并且手部122可设置成可前后移动、可以第三方向z为轴旋转以及可沿第三方向z移动。手部122可以设置为多个且在向上/向下方向上分开放置，并且手部可以设置为分别独立地向前和向后移动。
60.控制器30可以控制基板处理设备10。控制器30可以包括由以下组成的过程控制器：微处理器(计算机)，其执行基板处理设备10的控制；诸如键盘和/或显示器的用户接口，操作者经由该键盘输入命令以管理基板处理设备10，该显示器示出基板处理设备10的操作情况；和内存单元，其储存处理方案，即通过控制过程控制器来执行基板处理设备10的处理过程的控制程序或根据数据和处理条件执行基板处理设备10的组件的程序。此外，用户接口和内存单元可以连接至过程控制器。处理方案可以储存在储存单元的储存媒体中，并且该储存媒体可以为硬盘、诸如cd-rom、dvd的携带型磁盘或诸如闪存的半导体内存。
61.处理模块20包含缓冲单元200、传送腔室300、液体处理腔室400和干燥腔室500。缓冲单元200提供空间，被携带至处理模块20中的基板w和从处理模块20带出的基板w暂时停留在该空间中。液体处理腔室400将液体供应至基板w上以对基板w执行液体处理的液体处理过程。干燥腔室500执行移除残留在基板w上的液体的干燥过程。传送腔室300在缓冲单元200、液体处理腔室400以及干燥腔室500之间传送基板w。
62.传送腔室300设置有其平行于第一方向x的长度。缓冲单元200放置在转位模块10与传送腔室300之间。液体处理腔室400和干燥腔室500放置在传送腔室300的表面处。液体处理腔室400和传送腔室300沿第二方向y放置。干燥腔室500和传送腔室300沿第二方向y放置。缓冲单元200放置在传送腔室300的端部处。
63.根据实施例，液体处理腔室400可以安置在传送腔室300的两个侧部上，干燥腔室
500可以安置在传送腔室300的两个侧部上，并且液体处理腔室400可以安置成比干燥腔室500更靠近缓冲单元200。在传送腔室300的一个表面处，液体处理腔室400可分别沿第一方向x和第三方向z以a
ꢀ×
b(a和b均为1或更大的自然数)的数组设置。此外，在传送腔室300的一个表面处，干燥腔室500中的每一者可分别沿第一方向x和第三方向z以c
×
d(c和d均为1或更大的从然数)设置。与上文描述不同，仅液体处理腔室400可以设置在传送腔室300的一个表面处，并且仅干燥腔室500可以设置在其另一个侧部处。
64.传送腔室300具有传送机器人320。在传送腔室300中可以设置导轨324，导轨324具有其在第一方向x上的纵向方向，并且传送机器人320可以设置为可在导轨324上移动。传送机器人320可以包括手部322，基板w放置在该手部322上，并且手部322可设置成可前后移动、可以第三方向z为轴旋转以及可在第三方向z上移动。多个手部322设置成在向上/向下方向上间隔开，并且手部322可以彼此独立地前后移动。
65.缓冲单元200包括多个缓冲器220，基板w放置在该多个缓冲器220上。缓冲器220可以安置成在第三方向z上彼此分开放置。缓冲单元200的前面和后面是开放的。前面为面向转位模块10的表面，而后面为面向传送腔室300的表面。转位机器人120可以通过前面接近缓冲单元200，并且传送机器人320可以通过后面接近缓冲单元200。
66.图5示意性地示出图4的液体处理腔室的实施例。参考图5，液体处理腔室400可包含壳体410、杯状物420、支撑单元440、液体供应单元460和升降单元480。
67.壳体410可以具有用于处理基板w的内部空间。壳体410可以设置成大致六面体形状。例如，壳体410可以具有长方体形状。此外，可以在壳体410的侧壁中形成开口(未示出)。开口可用作入口/出口，基板w通过该入口/出口进入或离开内部空间。此外，为了选择性地打开或关闭开口，可以在壳体410处设置门(未示出)。
68.杯状物420可具有倒u形。杯状物420可以具有处理空间，并且基板w可以在处理空间中经液体处理。支撑单元440在处理空间中支撑基板w。液体供应单元460向由支撑单元400支撑的基板供应处理液体。处理液体可以设置为多种，并且可以依序供应给基板w。升降单元480可以调整杯状物420与支撑单元440的相对高度。
69.根据实施例，杯状物420具有多个再收集容器422、424和426。再收集容器422、424和426中的每一者具有用于再收集用于基板处理的液体的再收集空间。再收集容器422、424和426中的每一者设置成围绕支撑单元440的环形形状。在液体处理过程期间，由于基板w的旋转而飞散的处理液体通过每一个再收集容器422、424和426的入口422a、424a和426a引入再收集空间中。根据实施例，杯状物420具有第一再收集容器422、第二再收集容器424和第三再收集容器426。第一再收集容器422安置成围绕支撑单元440，第二再收集容器424安置成围绕第一再收集容器422，并且第三再收集容器426安置成围绕第二再收集容器424。将液体引入第二再收集容器424中的第二入口424a可以位于将液体引入第一再收集容器422中的第一入口422a上方，并且将液体引入第三再收集容器424a中的第三入口426a可以位于第二入口424a上方。
70.支撑单元440具有支撑板442和驱动轴444。支撑板442的顶表面设置成大致圆形形状且可以具有比基板w的直径大的直径。支撑销442a设置在支撑板442的中央部分以支撑基板w的底表面，并且支撑销442a设置成从支撑板442突出，以使得基板w与支撑板442间隔开预定距离。卡盘销442b设置在支撑板442的边缘处。卡盘销442b设置成从支撑板442向上突
出，并且支撑基板w的表面，以使得当基板w旋转时基板w不与支撑单元440分离。驱动轴444由驱动器446驱动，连接至基板w的底表面的中心，并且使支撑板442基于其中心轴旋转。
71.根据实施例，液体供应单元460可以包含喷嘴462。喷嘴462可以向基板w供应处理液体。处理液体可以为化学品、冲洗液或有机溶剂。化学品可以为具有强酸或强碱性质的化学品。此外，冲洗液可以为去离子水。此外，有机溶剂可以为异丙醇(ipa)。此外，液体供应单元460可以包含多个喷嘴462，并且每一个喷嘴462可以供应不同类型的处理液体。例如，喷嘴462中的一者可以供应化学品，喷嘴462中的另一者可以供应冲洗液，并且喷嘴462中的另一者可以供应有机溶剂。此外，在从喷嘴462中的另一者供应冲洗液之后，控制器30可以控制液体供应单元460以从喷嘴462中的另一者向基板w供应有机溶剂。因此，可以用具有小的表面张力的有机溶剂取代供应至基板w上的冲洗液。
72.升降单元480在向上/向下方向上移动杯状物420。杯状物420与基板w之间的相对高度藉由杯状物420的向上/向下移动而改变。因此，用于再收集处理液体的再收集容器422、424和426根据供应至基板w的液体的类型而改变，以使得可以分别回收液体。与上文描述不同，杯状物420可以固定地安装，并且升降单元480可以在向上/向下方向上移动支撑单元440。
73.图6为示意性地示出图4的干燥腔室的实施例的视图。参考图6，根据本发明构思的实施例的干燥腔室500可以通过使用处于超临界状态的干燥流体g来移除残留在基板w上的处理液体。例如，干燥腔室500可以执行使用超临界状态下的二氧化碳(co2)移除残留在基板w上的有机溶剂的干燥过程。
74.干燥腔室500可以包含腔室510、加热构件520、流体供应单元530、流体排出管线550、移动构件560和密封构件580。腔室510可以具有处理空间，在该处理空间中处理基板w。腔室510可以提供处理空间，在该处理空间中处理基板w。腔室510可以提供处理空间，在该处理空间中基板w由处于超临界状态的干燥流体g干燥处理。
75.腔室510可以包括顶部主体512(第一主体的实施例)和底部主体514(第二主体的实施例)。顶部主体512和底部主体514可以彼此组合以形成处理空间，在该处理空间中处理基板w。基板w可以支撑在处理空间中。例如，基板w可由处理空间中的支撑构件513支撑。支撑构件513可以配置成支撑基板w的边缘区域的底表面。顶部主体512或底部主体514中的任一者可以联接至移动构件560以在向上/向下方向上移动。例如，底部主体514可以联接至移动构件560以藉由移动构件560在向上/向下方向上移动。因此，可以选择性地密封腔室510的处理空间。在上文所描述的实例中，底部主体514联接至移动构件560以在向上/向下方向上移动，但本发明构思不限于此。例如，顶部主体512可以联接至移动构件560以在向上/向下方向上移动。
76.加热构件520可以加热供应至处理空间的干燥流体g。加热构件520可以通过升高腔室510的处理空间的温度将供应至处理空间的干燥流体g相变至超临界状态。此外，加热构件520可升高腔室510的处理空间的温度以维持供应至处理空间的超临界干燥流体g的超临界状态。
77.此外，加热构件520可以埋入腔室510中。例如，加热构件520可以埋入顶部主体512或底部主体514中的任一者中。例如，加热构件520可以设置在顶部主体512和底部主体514中。然而，本发明构思不限于此，并且加热构件520可以设置在能够升高处理空间的温度的
各种位置处。此外，加热构件520可以为加热器。然而，本发明构思不限于此，并且加热构件520可以以各种方式修改成能够升高处理空间的温度的已知装置。
78.流体供应单元530可以将干燥流体g供应至腔室510的处理空间。由流体供应单元530供应的干燥流体g可以包括二氧化碳co2。流体供应单元530可以包括流体供应源531、第一供应管线533、第一供应阀535、第二供应管线537和第二供应阀539。
79.流体供应源531可以储存和/或供应供应至腔室510的处理空间的干燥流体g。流体供应源531可以将干燥流体g供应至第一供应管线533和/或第二供应管线537。例如，第一供应阀535可以安装在第一供应管线533处。此外，第二供应阀539可以安装在第二供应管线537处。第一供应阀535和第二供应阀539可以为开/关阀。根据第一供应阀535和第二供应阀539的开/关，干燥流体g可以选择性地流经第一供应管线533或第二供应管线537。
80.在上文所描述的实例中，第一供应管线533和第二供应管线537连接至一个流体供应源531，但本发明构思不限于此。例如，可以设置多个流体供应源531，第一供应管线533可以连接至多个流体供应源531中的任一者，并且第二供应管线537可以连接至流体供应源531中的另一者。
81.此外，第一供应管线533可以为从腔室510的处理空间的顶部部分供应干燥气体的顶部供应管线。例如，第一供应管线533可以在自上至下的方向上将干燥气体供应至腔室510的处理空间。例如，第一供应管线533可以连接至顶部主体512。此外，第二供应管线537可以为从腔室510的处理空间的底部部分供应干燥气体的底部供应管线。例如，第二供应管线537可以在自下至上的方向上将干燥气体供应至腔室510的处理空间。例如，第二供应管线537可以连接至底部主体514。
82.流体排出管线550可以将干燥流体g从腔室510的处理空间排出。流体排出管线550可以连接至减压缩构件(未示出)，该减压缩构件为处理空间提供减压缩。减压构件可以为泵。然而，本发明构思不限于此，并且减压缩构件可以以各种方式修改成能够为处理空间提供减压缩的已知装置。
83.在处理基板w期间，通过组合上文所描述的顶部主体512和底部主体514而形成的处理空间可以维持在高压状态。因此，干燥腔室500可以包含密封构件580以维持由顶部主体512和底部主体514形成的处理空间的气密性。密封构件580可以安置在顶部主体512与底部主体514之间。密封构件580可以插入形成于腔室510中的凹槽570中。例如，密封构件580插入其中的凹槽570可形成在底部主体514处。
84.图7为示意性地示出形成在图6的底部主体处的凹槽的视图。参考图7，当从上方观察时，密封构件580插入其中的凹槽570可以形成在底部主体514的边缘区域处。凹槽570可以形成在面向上文所描述的顶部主体512的底表面的表面处。凹槽570可以通过从底部主体514的顶表面在向下的方向上缩进而形成。当查看从底部主体514的一个方向观察的横截面时，凹槽570可以包括底表面571、外表面572和内表面573。
85.底表面571可以为放置有密封构件580的表面。底表面571可以为放置有密封构件580的稍后描述的底部部分581的表面。底表面571可以设置成与在腔室510的处理空间中处理的基板w的顶表面或底表面平行。底表面571可以设置成与地面平行。底表面571可以平行于与底部主体514移动的方向垂直的方向。
86.外表面572可以面向密封构件580的稍后描述的外部部分582的表面。当与稍后描
述的内表面573相比时，外表面572可以形成于相对远离腔室510的处理空间的位置处。外表面572可以在相对于底表面571倾斜的方向上形成。例如，外表面572可具有在从底部主体514的外壁朝向腔室510的处理空间的方向上向上倾斜的形状。此外，外表面572可设置成与密封构件580的外部部分582的表面平行。外表面572可以与稍后描述的密封构件580的外部部分582进行表面接触。例如，外表面572可以与密封构件580的外部部分582进行表面接触。在此情况下，密封构件580可与外表面572摩擦以引起对密封构件580的磨损。因此，外表面572可以经表面抛光，以使得表面粗糙度相对低。例如，外表面572可以经表面抛光，以使得表面粗糙度相对低于稍后描述的内表面573以及底表面571的表面粗糙度。例如，可以由电解抛光方法抛光外表面572。例如，外表面572可以经抛光，以使得其表面粗糙度为ra 0.7至ra 0.8(例如，ra0.7或更大至ra 0.8或更小)。
87.内表面573可以面向稍后将描述的密封构件580的内部部分583的表面。当与上文所描述的外表面572相比时，内表面573可以形成于相对靠近腔室510的处理空间的位置处。内表面573可以在垂直于底表面571的方向上形成。例如，内表面573可以在从底表面571面向上的方向上形成。此外，内表面573的上端距底表面571的高度可以相对低于外表面572的上端距底表面571的高度。
88.图8为图6的从下方观察的密封构件的透视图。例如，图8可以为如从下方观察时放置在凹槽570中的密封构件580的透视图。当从上方或下方观察时，密封构件580可以具有环形形状。密封构件580可由具有优异耐热性和耐压性的材料形成以便承受高温和/或高压。此外，密封构件580可由萧氏硬度为d59或更大的材料制成。
89.图9为示出从图8的横截面a-a
′
观察到的密封构件放置在形成于底部主体中的凹槽中的状态的视图。参考图9，根据本发明构思的实施例的密封构件580可以包含底部部分581、外部部分582、内部部分583、顶部部分584、凹陷部分585和倒角部分586。
90.底部部分581可以面向凹槽570的底表面571。底部部分581可以包含第一弯曲表面581a和第二平坦表面581b。当密封构件580处于未压缩状态时，第一弯曲表面581a可以与底表面571线接触。第一弯曲表面581a可以在朝向凹槽570的底表面571的方向上具有圆形形状。第二平坦表面581b的表面可以设置成与凹槽570的底表面571平行。第一弯曲表面581a可以安置(或形成)为比第二平坦表面581b更靠近腔室510的处理空间。
91.外部部分582可具有面向上文所描述的凹槽570的外表面572的表面。外部部分582可以形成于上文所描述的底部部分581与稍后描述的顶部部分584之间。例如，外部部分582可以形成于第二平坦表面581b与稍后描述的凹陷部分585之间。外部部分582可以形成于比稍后描述的内部部分583距腔室510的处理空间更远的位置处。外部部分582的表面可以具有相对于凹槽570的底表面571倾斜的形状。例如，外部部分582的表面可设置成与上文所描述的外表面572平行。
92.此外，当密封构件580处于压缩状态时，外部部分582的表面可以与凹槽570的外表面572接触。在此情况下，密封构件580的外部部分582的表面可通过与外表面572接触而磨损。然而，根据本发明构思的实施例的外部部分582的表面可具有如上文所描述的倾斜形状。因此，当外部部分582的表面接触外表面572时，外部部分582的表面可以与外表面572进行表面接触。亦即，与常规的o形环5相比，外部部分582的表面可以以相对大的面积与外表面572接触。亦即，当外部部分582的表面与外表面572进行表面接触时，外部部分582接触外
表面572的面积增加，并且因此外部部分582的每单位面积传输的应力的数量减小。因此，即使当密封构件580处于压缩状态时，也可以抑制在密封构件580中发生的磨损。此外，由于抑制密封构件580的磨损，所以可以减少密封构件580磨损时产生的粒子或减少密封构件580磨损时产生的粒子的程度。
93.此外，外部部分582的表面可以经抛光，以使得表面粗糙度低于密封构件580的其他表面中的至少一者。例如，外部部分582的表面可以经抛光，以使得底部部分581、稍后描述的内部部分583、顶部部分584以及凹陷部分585的表面粗糙度低于底部部分581的表面粗糙度。例如，当处理密封构件580时，可以执行各种处理步骤。外部部分582的表面可以具有比底部部分581、稍后描述的内部部分583、顶部部分584以及凹陷部分585的表面执行的相对更多的研磨处理次数。例如，经表面抛光的外部部分582的表面可以具有ra 0.5或更小的表面粗糙度。底部部分581、稍后描述的内部部分583、顶部部分584和凹陷部分585的表面可以具有约ra 1.3的表面粗糙度。亦即，外部部分582的表面的表面粗糙度可以低于底部部分581、稍后描述的内部部分583、顶部部分584以及凹陷部分585的表面的表面粗糙度。此外，外部部分582的表面的表面粗糙度与外表面572的表面粗糙度之间的差异可以小于下部部分581、稍后描述的内部部分583、顶部部分584以及凹陷部分585的表面粗糙度之间的差异。亦即，由于外部部分582的表面的表面粗糙度与外表面572的表面粗糙度之间的差异相对较小，即使当外部部分582的表面与外表面572彼此具有摩擦时，可以尽可能地抑制磨损。
94.内部部分583可以形成于底部部分581与稍后描述的顶部部分584之间。内部部分583可以形成于第一弯曲表面581a与稍后描述的顶部部分584之间。内部部分583的表面可以面向上文所描述的内表面573。内部部分583的表面可以设置成与上文所描述的内表面573平行。内部部分583可以形成于比外部部分582更靠近处理空间的位置处。
95.顶部部分584可以形成于稍后描述的凹陷部分585与上文所描述的内部部分583之间。顶部部分584可具有大致平坦的表面。顶部部分584的表面可以面向顶部主体512的下表面。此外，顶部部分584的表面的水平高度可以高于上文所描述的外表面572和内表面573的上端的水平高度。
96.凹陷部分585可以形成于外部部分582与顶部部分584之间。凹陷部分585可具有密封构件580的角部大致凹陷成l形的形状。例如，凹陷部分585的表面中的任一者可以设置成与顶部部分584的表面平行。凹陷部分585的表面中的任一者距底表面571的水平高度可以低于顶部部分584的表面距底表面571的水平高度。此外，凹陷部分585的表面中的另一者可以设置成倾斜以平行于外部部分582的表面。从凹陷部分585的表面中的另一表面至腔室100的处理空间的距离可以短于至外部部分582的表面的处理空间的距离。亦即，凹陷部分585可以从密封构件580的顶部部分584在向下方向上缩进，并且可以从密封构件580的外部部分582在朝向处理空间的方向上缩进。
97.当底部主体514向上移动且密封构件580接触顶部主体512时，密封构件580可以处于压缩状态，如图10中所出，在此情况下，密封构件580可以在腔室100的处理空间中朝向顶部主体512或底部主体514的外壁压缩。压缩密封构件580的方向可以包括横向方向和向上倾斜的方向。当压缩密封构件580时，密封构件580的一些部分可以卷入顶部主体512与底部主体514之间的空间中，并且在此情况下，密封构件580可以接触顶部主体512和底部主体514而磨损。然而，即使密封构件580在形状上被压缩和变形，根据本发明构思的实施例的凹
陷部分585也防止密封构件580的一些部分与凹槽570分离，因此尽可能地抑制密封构件580的磨损。
98.返回参考图9，密封构件580可以进一步包含倒角部分586。可以设置多个倒角部分586。倒角部分586中的任一者可以形成于第二平坦表面581b与外部部分582之间。倒角部分586中的另一者可以形成于凹陷部分585与顶部部分584之间。倒角部分586中的另一者可以形成于内部部分583与顶部部分584之间。
99.返回参考图8，至少一个凹槽部分587可以形成于密封构件580的下表面上。例如，多个凹槽587可以被设置并且可以形成为以相同的间隔彼此间隔开。例如，凹槽部分587可以通过在从密封构件580的底部部分581朝向顶部部分584的方向上缩进而形成。例如，凹槽部分587可以通过在从第一弯曲表面581a朝向顶部部分584的方向上缩进而形成。
100.图11为示出从图8的横截面b-b
′
观察到的密封构件放置在形成于底部主体处的凹槽中的状态的视图。参考图11，密封构件580和凹槽570的表面可以形成预定空间dz。在由密封构件580和凹槽570形成的预定空间dz中，可能残留有在密封构件580磨损时产生的诸如粒子或过程副产物的杂质p。可以防止根据本发明构思的实施例的密封构件580的预定空间dz变成死区。例如，残留在预定空间dz中的杂质p可以通过凹槽587与腔室510的处理空间流体连通。因此，杂质p可以通过连接至腔室510的排出管线550排放至干燥腔室500的外部。
101.图12为示出根据本发明构思的另一实施例的密封构件放置在形成于底部主体中的凹槽中的状态的视图。根据本发明构思的另一实施例的密封构件590可具有与根据上文所描述的实施例的密封构件580基本相似的形状。例如，密封构件590可以包含底部部分591、外部部分592、内部部分593和顶部部分594。底部部分591可以包含与上文所描述的底部部分581相似的第一弯曲表面591a和第二平坦表面591b。外部部分592可以与上文所描述的外部部分582相似地经表面抛光。此外，顶部部分594可以包含第一弯曲表面594a和第二平坦表面594b。第一弯曲表面594a可以形成于与腔室510的处理空间相邻的位置处。第一弯曲表面594a可以在向上的方向上具有圆形形状。第二平坦表面594b可以形成于与腔室510的处理空间相对较远的位置处。第二平坦表面594b的表面可以具有平坦形状。
102.图13为示意性地示出根据本发明构思的另一实施例的干燥腔室的视图。在上文所描述的实例中，腔室510包含顶部主体512和底部主体514，但不限于此。例如，如图13中所示，腔室510a可以包含基体512a和门主体514a。基体512a和门主体514a可以彼此组合以形成处理空间518a。基体512a可以具有在侧方向上打开的容器形状，并且门主体514a可在横向方向上移动以选择性地打开和关闭处理空间518a。凹槽570a可以形成于门主体514a中。凹槽570a可以具有与上文所描述的凹槽570相同或相似的形状。此外，密封构件580a可以插入凹槽570中。密封构件580a可具有与根据上文所描述的实施例的密封构件580或根据上文所描述的另一实施例的密封构件590相同或相似的形状。此外，支撑板516a可以联接至门主体514a，并且基板w可以被支撑至支撑板516a。
103.此外，第一供应管线533a可以从由支撑板516a支撑的基板w的表面供应干燥流体g。此外，第二供应管线537a可以在基板w下方供应干燥流体。此外，主排出管线551a可以排出基板w下方的内部空间518a。其他配置可以与上文所描述的流体供应单元530和流体排出管线550的配置相同/相似。
104.在上文所描述的实例中，密封构件580和590插入形成于腔室510中的凹槽570中以
便于使用超临界流体干燥基板w，但本发明构思不限于此。例如，密封构件580和590也可以应用于在用于使用除超临界流体之外的各种处理流体处理基板w的各种腔室中形成的凹槽。
105.此外，在上文所描述的实例中，密封构件580和590设置至在底部主体514中形成的凹槽570，但本发明构思不限于此。例如，密封构件580和590可以同等地或类似地应用于具有驱动环境的各种基板处理设备的组件。
106.本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属的领域的技术者可以从本说明书和随附的附图清楚地理解未提及的效果。
107.尽管至目前为止已经说明和描述本发明构思的较佳实施例，但本发明构思不限于上文所描述的具体实施例，并且应当注意，本发明构思所属的领域的一般技艺人士在不脱离申请专利范围中所主张的本发明构思的本质的情况下可以以各种方式实施本发明构思，并且修改不应与本发明构思的技术精神或前景分开解释。