本实用新型涉及ALD液态源储存领域，特别涉及一种原子层沉积ALD液态源的储存装置。
背景技术：
液态源是电子行业的重要原料，在半导体器件及太阳能电池片生产过程中，液态源的使用非常广泛，在常温下，液态源蒸汽压很低，以液态存在，但必须转化气态才能参与工艺反应，而由于液态源具有较高的反应活性，需要做到对水、氧的绝对隔绝，所以需要专门的容器对ALD液态源进行储存。
又如专利公布号为CN202074230U公开了一种液态源汽化装置，包括汽化容器，其中，所述汽化容器顶部开孔插有鼓泡管路、压力表和液位计，所述汽化容器设有内部电加热棒和外部加热器，所述汽化容器出口处设置有质量流量计和蒸汽出口阀门。本实用新型提供的液态源汽化装置，通过设置鼓泡管路、内部电加热棒和外部加热器，使用流量控制模块、压力控制装置和温度控制装置共同调节汽化容器输出的气体量，根据用气量切换蒸发和鼓泡模式，使系统同时适用于不同用量的液态源汽化系统，大大改善了可操作性和灵活性。又如专利公布号为CN203310582U公开了一种液态源瓶检测装置。现有技术中通过两位人员手工操作来检测源瓶的气密性和通畅性，存在着安全可靠性差和经济性差的问题。本实用新型的液态源瓶检测装置用于检测源瓶是否通畅或漏气，所述源瓶包括用于通入鼓泡气体的入口管和通出源蒸汽的出口管，所述液态源瓶检测装置包括用于连接至所述入口管且经由所述入口管向装有源的源瓶中通入预设流量的检测气体的检验气路，设置在所述检验气路上用于控制检测气体是否通入源瓶的控制阀，以及设置在检验气路上用于侦测检验气路上的气压是否超过预设压力且在超过时控制控制阀动作以停止向源瓶中通入检测气体的压力侦测模块。本实用新型可提高源瓶气密性和通畅性检测的安全可靠性和经济性。又如专利公布号为CN203299661U公开了一种用半导体制冷片的液态源源温控制器，属于半导体器件制造设备技术领域。由外箱、内芯和控制器组成，内芯设置在外箱内，内芯与外箱之间设有海绵，内芯由内箱和芯体组成，芯体设有存放液态源的铝罐体和铝罐体外侧的半导体制冷片、紫铜片和散热器，所述铝罐体为空心圆柱体，圆柱体外侧面设有四个对称分布的矩形平面，铝罐体外侧的一个两相对的矩形平面上依次设置半导体制冷片、紫铜片和散热器，芯体设置在内箱中，半导体制冷片的电引出线连接控制器。本实用新型直接用珀尔帖半导体制冷片既作为制冷源又作为加热源，用改变加在半导体制冷片端子上电压的极性使流过两热偶材料结点面的电流换向，达到制冷或制热，控温精度高，寿命长，无 制冷剂污染。
目前ALD液态源瓶有不同规格，一方面还未有相关的专业报道，另一方面在实际应用时，已经出现ALD源利用率不高，蒸汽压不稳的现象，不仅给工艺控制带来麻烦，而且由于源的低利用率，增加了工艺成本。
技术实现要素：
为了克服上述现有技术的不足，本实用新型提供一种原子层沉积ALD液态源的储存装置。一种原子层沉积ALD液态源的储存装置，包括源瓶瓶体，所述源瓶瓶体内部顶部为弧形顶面，所述源瓶瓶体内部底部中心为U型储源槽，所述源瓶瓶体外侧顶部设有1/2VCR口，所述1/2VCR口两侧的源瓶瓶体分别连接隔膜阀一和隔膜阀二，所述隔膜阀一用于接通载气，所述隔膜阀二为源蒸汽出口；所述隔膜阀一相对位置低于所述隔膜阀二；所述源瓶瓶体采用316L不锈钢材质，耐10个大气压压力，瓶内壁经电化学抛光，粗糙度小于0.2um；所述源瓶瓶体上设有液位计。
通过采用该装置，不仅提高了ALD源的利用率，降低成本；还能保证源蒸汽压的稳定，利于工艺参数的控制。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过本技术方案，其一是，能够实现源的有效利用率达95％以上；其二是，能保证源特别是剩余微量时还能保证稳定的足够的蒸汽压。
附图说明
图1为一种原子层沉积ALD液态源的储存装置结构示意图；
具体实施方式
下面结合具体实施方式，进一步阐明本实用新型，应理解下述具体实施方式仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。
实施例1
如图所示，本实用新型提供一种原子层沉积ALD液态源的储存装置，包括源瓶瓶体6，所述源瓶瓶体6采用316L不锈钢材质，耐10个大气压压力，瓶内壁经电化学抛光，粗糙度小于0.2um；所述源瓶瓶体6上设有用于测量瓶内液位的液位计7，所述源瓶瓶体6外侧顶部设有气压表9检测储存装置内气压，所述源瓶瓶体6外侧顶部设有温度表11检测储存装置内温度，所述源瓶瓶体6上设有把手10方便控制储存装置的移动，所述源瓶瓶体6外侧瓶底设有自锁式移动支架8方便储存装置的移动；所述源瓶瓶体6内部顶部为弧形顶面5，所述弧形顶面5能够保证源在使用过程中蒸汽压的稳定性；所述源瓶瓶体6内部底部中心为U型储源槽3，所述U型储源槽3不仅提高了源的使用率，还能保证源使用剩余微量时足够蒸汽压；所述源瓶瓶体6外侧顶部设有1/2VCR口4，所述1/2VCR口4两侧 的源瓶瓶体6上分别连接隔膜阀一1和隔膜阀二2，所述隔膜阀一1相对位置低于所述隔膜阀二2，所述隔膜阀一1用于接通载气，所述隔膜阀二2为源蒸汽出口。
ALD源首先通过1/2VCR口4灌装到源瓶瓶体6中，载气(氮气或氩气)连接到隔膜阀一1上端，并将源蒸汽通过隔膜阀二2带到ALD沉积腔体，进行ALD沉积工艺。
除上述实施例外，本实用新型还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本实用新型要求的保护范围。