技术总结
本发明提供一种二次离子质谱分析方法，包括以下步骤：提供一样品，所述样品包括衬底，其上形成有测试区域及至少一个与衬底连通的导电有源区；所述测试区域自下而上依次包括电介质层及测试层；选择其中一个导电有源区作为辅助有源区；确定所述测试层与辅助有源区的预设连接路径，并在其上形成连接所述测试层及辅助有源区的导电金属线；采用一次离子束轰击测试层表面，并采用探测器接收测试层表面发射的二次离子，进行二次离子质谱分析。由于所述测试层与样品上的导电部分相连接，可以达到像正常样品一样进行SIMS分析的目的。本发明的二次离子质谱分析方法操作简单，不需要改变测试区域的结构，对SIMS测试结果不产生干扰，且测试结果准确，一致性好。
技术研发人员：李震远
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201510266363
技术研发日：2015.05.22
技术公布日：2017.01.04