技术特征：
技术总结
本发明涉及一种半导体材料的电阻率的测试方法，包括步骤S1：对半导体材料样品进行研磨处理，以得到样品表面和研磨斜面的交界线；步骤S2：进行测试，测试时在所述交界线的左侧的所述样品表面中预设起始位置预留N个测试点，以确保第N+1个点在所述交界线上或在所述交界线附近，其中N为自然数；步骤S3：根据所述步骤S2中的结果进行分析并以距离所述交界线最近的一个点确定为测试起始点。本发明所述方法通过起始位置的巧妙设定及测试后第一个点的准确确定，可极大减少测试时因第一个测试点偏移而导致的测试偏差，从而准确测试样品的实际深度并提高工作效率。
技术研发人员：陈倩;薛云;周蕾
受保护的技术使用者：无锡华润上华半导体有限公司
技术研发日：2016.01.15
技术公布日：2017.07.25