薄膜辐射热流传感器及其制备方法与流程

技术特征：

1.一种薄膜辐射热流传感器，其特征在于：包括基底（1）、设于基底（1）上的薄膜热电偶阵列（2）、设于薄膜热电偶阵列（2）上的热阻层（3）；薄膜热电偶阵列（2）由两个以上的薄膜热电偶通过外接点（11）串联构成，薄膜热电偶由A电极（9）和B电极（10）连接组成；相邻的两个外接点（11）上设有热阻层（3）；薄膜热电偶阵列（2）的两个外接端分别经焊盘（13）与各自电极对应的补偿导线（14）连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜辐射热流传感器，其特征在于：所述薄膜热电偶为E型热电偶、K型热电偶或T型热电偶。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜辐射热流传感器，其特征在于：所述基底（1）的材料为Si、或聚酰亚胺柔性材料，其尺寸为，厚度为；所述薄膜热电偶的厚度为；所述热阻层（3）的材料为或铝箔胶带，厚度为。

4.一种如权利要求1所述的薄膜辐射热流传感器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）清洗基片；

（2）涂覆光刻胶后烘干光刻胶；

（3）将基底与玻璃掩膜板放入光刻机行星架上进行光刻，制备出A电极（9）的光刻图形；

（4）将基底放入镀膜机样品平台，在基底表面沉积薄膜热电偶A电极（9）的金属层；

（5）涂覆光刻胶并烘干光刻胶；

（6）将基底与玻璃掩膜板放入光刻机行星架上进行光刻，制备出B电极（10）的光刻图形；

（7）将基底放入镀膜机样品平台，在基底表面沉积薄膜热电偶B电极（10）的金属层；

（8）将薄膜热电偶阵列的两个外接端分别与各自对应的补偿导线在焊盘处用导电胶相连；

（9）在基底表面粘贴一层铝箔胶带，并在外接点再覆盖等厚度的铝箔胶带。