1.一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统，其特征在于：包括探头模块、恒流源模块、数据采集模块和控制模块；所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与恒流源模块、数据采集模块和探头模块相连；所述恒流源模块与探头模块相连；所述数据采集模块的输入端与探头模块相连，数据采集模块的输出端与PC机相连；所述探头模块包括SOI结构的辐照传感器。
2.根据权利要求1所述的基于SOI结构的电离总剂量探测系统，其特征在于：所述控制模块包括单片机、存储器和继电器；所述存储器与单片机相连，单片机与继电器相连，继电器与探头模块相连。
3.根据权利要求1或2所述的基于SOI结构的电离总剂量探测系统，其特征在于：所述恒流源模块包括运算放大器。
4.根据权利要求3所述的基于SOI结构的电离总剂量探测系统，其特征在于：所述数据采集模块包括AD/DA芯片和运算放大器；所述运算放大器一端与探头模块相连，另一端与AD/DA芯片相连；AD/DA芯片与PC机相连。
5.一种基于SOI结构的电离总剂量探测方法，其特征在于：包括以下步骤：
1】筛选辐照传感器：将辐照传感器置于能够产生电离辐射损伤的辐照源中，通过移位测试获取阈值电压漂移量，确认该辐照传感器对电离损伤敏感；
2】搭建如权利要求1所述的基于SOI结构的电离总剂量探测系统；
3】通过选择电阻阻值调整探测系统硬件参数；通过设置PC机软件确定数据采集参数，并使之固化；
4】将探头模块置于辐照源下辐照，同时通过设置PC机软件在线采集探测器的响应和温度；
5】采集探测系统电离辐照响应与剂量的关系。
6.根据权利要求5所述的基于SOI结构的电离总剂量探测方法，其特征在于：步骤1】中的阈值电压漂移量是由半导体测试系统keithley 4200离线采集得到的。
7.根据权利要求6所述的基于SOI结构的电离总剂量探测方法，其特征在于：步骤3】中的数据采集参数包括采样通道、采样率和数字滤波。
8.根据权利要求7所述的基于SOI结构的电离总剂量探测方法，其特征在于：步骤3】中的硬件参数包括恒流源驱动能力、探头灵敏度和量程。