固支梁直接加热式微波信号检测器的制作方法

本发明提出了固支梁直接加热式微波信号检测器，属于微电子机械系统的技术领域。

背景技术：

在现代化的技术背景下，微波信号检测在相移键控(PSK)、锁相环(PLL)、微波定位、天线相位方向图的测试及测量各种微波器件的相位特性等等方面都有极其广泛的应用。这些系统在实际应用中迫切需要重量轻、体积小、功耗低、集成度高的电子设备。而现有的微波功率、相位、频率检测器都为分立电路且体积较大，为此急需一种可对三种微波参量实现集成检测的系统来满足微波通讯领域的应用需求。本发明即是基于Si工艺设计一种单个芯片同时实现检测微波功率、相位、频率的固支梁直接加热式微波信号检测器。

技术实现要素：

技术问题：本发明的目的是提供一种固支梁直接加热式微波信号检测器，应用六端口固支梁耦合器端口来耦合连接不同的检测功能模块，从而实现了一个芯片同时对微波信号的功率、相位、频率三种微波参量的检测、具有低功耗、低成本的益处。

技术方案：本发明的固支梁直接加热式微波信号检测器由六端口固支梁耦合器，通道选择开关，微波频率检测器，微波相位检测器，直接加热式微波功率传感器组成；

固支梁直接加热式微波信号检测器，其特征在于该相位检测器由六端口固支梁耦合器，通道选择开关，微波频率检测器，微波相位检测器，第一直接加热式微波功率传感器级联构成；其中，六端口固支梁耦合器的第一端口到第三端口、第四端口以及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度相同，待测信号经第一端口输入，并由第二端口输出到第一直接加热式微波功率传感器，由第四端口和第六端口输出到微波相位检测器，由第三端口和第五端口输出到通道选择开关；通道选择开关的第七端口和第八端口分别接第二直接加热式微波功率传感器和第三直接加热式微波功率传感器；通道选择开关的第九端口和第十端口接微波频率检测器，从而实现了对微波信号功率、相位、频率的检测。

其中，六端口固支梁耦合器由共面波导，介质层，空气层和横跨在其上方固支梁构成；共面波导制作在SiO₂层上，固支梁的锚区制作在共面波导上，固支梁的下方沉积有介质层，并与空气层、固支梁共同构成耦合电容结构，两个固支梁之间的共面波导长度为λ/4；

有益效果：

1)本发明的固支梁直接加热式微波信号检测器将微波信号的功率、相位、频率三种测模块集成到一起，应用六端口固支梁耦合器的固支梁来耦合输入信号到不同的检测功能模块，实现了一个芯片同时对微波信号的功率、相位、频率三种微波参量的检测、具有低功耗、低成本的益处；

2)本发明的固支梁直接加热式微波信号检测器采用直接加热式微波功率传感器检测微波信号的功率，具有较高的灵敏度且无直流功耗；

3)本发明中的微波相位检测模块采用两个Wilkinson功率合成器，一个Wilkinson功率分配器和两个直接加热式微波功率传感器实现0-360°的相位检测。

附图说明

图1为本发明固支梁直接加热式微波信号检测器的原理框图，

图2为六端口固支梁耦合器的俯视图，

图3为图2六端口固支梁耦合器的AA’方向剖面图，

图4为通道选择开关的俯视图，

图5为图4通道选择开关的AA’方向剖面图，

图6为Wilkinson功率分配/合成器的俯视图，

图7为直接加热式微波功率传感器的俯视图，

图8为图7直接加热式微波功率传感器的AA’方向剖面图，

图9为图7直接加热式微波功率传感器的BB’方向剖面图。

图中包括：六端口固支梁耦合器1，通道选择开关2，微波频率检测器3，微波相位检测器4，第一直接加热式微波功率传感器5-1，第二直接加热式微波功率传感器5-2，第三直接加热式微波功率传感器5-3，第四直接加热式微波功率传感器5-4，第五直接加热式微波功率传感器5-5，第六直接加热式微波功率传感器5-6，第一Wilkinson功率合成器6-1，第二Wilkinson功率合成器6-2，第三Wilkinson功率合成器6-3，Wilkinson功率分配器7，Si衬底8，SiO₂层9，共面波导10，锚区11，介质层12，固支梁 13，悬臂梁14，空气层15，空气桥16，非对称共面带线17，隔离电阻18，隔直电容上极板19，输出电极20，半导体臂21，金属臂22，热端23，冷端24，隔直电容下极板25，衬底薄膜结构26，终端电阻27，下拉电极28，第一端口1-1，第二端口1-2，第三端口1-3，第四端口1-4，第五端口1-5，第六端口1-6，第七端口2-1，第八端口2-2，第九端口2-3，第十端口2-4，第十一端口6-1，第十二端口6-2，第十三端口6-3。

具体实施方式

本发明固支梁直接加热式微波信号检测器由六端口固支梁耦合器1，通道选择开关2，微波频率检测器3，微波相位检测器4，第一直接加热式微波功率传感器5-1级联构成；六端口固支梁耦合器1由共面波导10，介质层12，空气层15和横跨在其上方固支梁13构成；共面波导10制作在SiO₂层9上，固支梁13的锚区11制作在共面波导10上，固支梁13的下方沉积有介质层12，并与空气层15、固支梁13共同构成耦合电容结构，两个固支梁13之间的共面波导10长度为λ/4；通道选择开关2由共面波导10，锚区11，介质层12，悬臂梁14，下拉电极28构成；悬臂梁14的锚区11制作在共面波导10上，悬臂梁下方制作下拉电极28，并与下拉电极28上方介质层12共同构成开关结构；微波频率检测器3由第三Wilkinson功率合成器6-3和第六直接加热式微波功率传感器5-6级联构成；微波相位检测器4由第四直接加热式微波功率传感器5-4和第五直接加热式微波功率传感器5-5，第一Wilkinson功率合成器6-1，第二Wilkinson功率合成器6-2，Wilkinson功率分配器7构成；Wilkinson功率合成器，Wilkinson功率分配器的拓扑结构相同，由共面波导10、空气桥16、非对称共面带17和隔离电阻18构成，信号从第十一端口6-1输入为Wilkinson功率分配器7，信号从第十二端口6-2，第十三端口6-3输入为Wilkinson功率合成器

六端口固支梁耦合器1的第一端口到第三端口、第四端口以及第一端口到第五端口、第六端口的功率耦合度分别相同；待测信号经六端口固支梁耦合器1的第一端口输入，并由第二端口输出到第三直接加热式微波功率传感器5-3，由第四端口和第六端口输出到微波相位检测器4，由第三端口和第五端口输出到通道选择开关2；通道选择开关2的第七端口2-1和第八端口2-2接第二直接加热式微波功率传感器5-2和第三直接加热式微波功率传感器5-3，通道选择开关2的第九端口和第十端口接微波频率检测器3；实现了一个芯片同时对微波信号的功率、相位、频率三种微波参量的检测、具有低功耗、低成本的益处。其微波功率、相位、频率的检测原理可以解释如下：

功率检测：如图5所示微波功率从输入端口输入，通过共面波导10输入到终端电阻27消耗转化成热量；半导体臂21和金属臂22构成热电偶，热电偶的中间区域作为热端23，热电偶的边缘区域作为冷端24；根据Seebeck效应，通过测量输出电极20的热电势可知输入微波功率大小；隔直电容上极板19，隔直电容下极板25及介质层11构成隔直电容来防止输出电极20短路；热电偶的热端21背部将衬底减薄构成衬底薄膜结构26用以提高检测灵敏度。

频率检测：如图1所示微波信号经六端口固支梁耦合器1的第三端口1-3和第五端口1-5输出到通道选择开关2；通道选择开关2的第七端口2-1和第八端口2-2分别接第二直接加热式微波功率传感器5-2和第三直接加热式微波功率传感器5-3，通道选择开关2的第九端口2-3和第十端口2-4接微波频率检测器3；通道选择开关2的悬臂梁14接地，下拉电极28接驱动电压，当驱动电压大于等于开启电压时，悬臂梁14被拉下，通道被选通；当通道选择开关2的第七端口2-1和第八端口2-2被选通时，可以测试出六端口固支梁耦合器1的输出耦合功率P₃和P₅。六端口固支梁耦合器1的两个固支梁13之间的共面波导10长度为λ/4，此时第三端口1-3和第五端口1-5的相位差为90°，且如公式(1)所示相位差是频率的线性函数。

λ为输入微波信号的波长，c是光速，ε_er为等效介电常数仅与器件结构有关。当通道选择开关2的第九端口2-3和第十端口2-4被选通时，两路微波信号经过第三Wilkinson功率合成器6-3进行功率合成，并应用第六直接加热式微波功率传感器5-6检测合成信号功率P_s大小，根据公式(2)可得出输入微波信号的频率。

P₃，P₅为第三端口1-3与第五端口1-5耦合的功率，可由直接加热式微波功率传感器5检测得到。

相位检测器：如图1所示微波信号经六端口固支梁耦合器1的第四端口1-4和第六端口1-6输入到微波相位检测器4进行相位检测；六端口固支梁耦合器1的两个固支梁13之间的共面波导10长度为λ/4，此时通过第四端口1-4和第六端口1-6的两路微波信号相位差为90°；输入功率已知为P_r，与待测信号频率相同f(微波频率检测器3测得)的参考信号，参考信号经Wilkinson功率分配器7分成两路功率和相位相同的信号与第四端口1-4和第六端口1-6的两路待测信号经第一Wilkinson功率合成器6-1和第二Wilkinson功率合成器6-2进行功率合成；第四直接加热式微波功率传感器5-4和第五直接加热式微波功率传感器5-5对左右两路合成后的功率P_cs1，P_cs2进行检测，并通过公式(3)得出待测信号与参考信号之间的相位差

P₄，P₆为第四端口1-4与第六端口1-6耦合的功率，并且P₄＝P₃，P₄＝P₃。

固支梁直接加热式微波信号检测器的制备方法包括以下几个步骤：

1)准备4英寸高阻Si衬底8，电阻率为4000Ω·cm，厚度为400mm；

2)热生长一层厚度为1.2mm的SiO₂层9；

3)化学气相淀积(CVD)生长一层多晶硅，厚度为0.4mm；

4)涂覆光刻胶并光刻，除多晶硅电阻区域以外，其他区域被光刻胶保护，并注入磷(P)离子，掺杂浓度为10¹⁵cm^-2，形成隔离电阻18和终端电阻27；

5)涂覆一层光刻胶，光刻多晶硅电阻图形涂覆一层光刻胶，光刻多晶硅电阻图形，再通过干法刻蚀形成隔离电阻18、终端电阻27和半导体臂21；

6)涂覆一层光刻胶，光刻去除共面波导10、非对称共面带17、金属互连线、下拉电极28以及输出电极20处的光刻胶；

7)电子束蒸发(EBE)形成第一层金(Au)，厚度为0.3mm，去除光刻胶以及光刻胶上的Au，剥离形成共面波导10和非对称共面带17的第一层Au、热电堆金属互连线，隔直电容下极板25、下拉电极28以及输出电极20；

8)淀积(LPCVD)一层Si₃N₄，厚度为0.1mm；

9)涂覆一层光刻胶，光刻并保留隔直电容，固支梁13和悬臂梁14下方的光刻胶，干法刻蚀Si₃N₄，形成介质层12；

10)均匀涂覆一层空气层15并光刻图形，厚度为2mm，保留固支梁13和悬臂梁14下方的聚酰亚胺作为牺牲层；

11)涂覆光刻胶，光刻去除悬臂梁14、固支梁13、锚区11、共面波导10、隔直电容上极板19、下拉电极28以及输出电极20位置的光刻胶；

12)蒸发500/1500/300A°的Ti/Au/Ti的种子层，去除顶部的Ti层后再电镀一层厚度为2mm的Au层；

13)去除光刻胶以及上的Au，形成悬臂梁14、固支梁13、锚区11、共面波导10、非对称共面带17、隔直电容上极板19、下拉电极28和输出电极20；

14)深反应离子刻蚀(DRIE)衬底材料背面，制作薄膜结构26；

15)释放聚酰亚胺牺牲层：显影液浸泡，去除固支梁下的聚酰亚胺牺牲层，去离子水稍稍浸泡，无水乙醇脱水，常温下挥发，晾干。

本发明与现有技术的区别在于：

本发明采用了新颖的六端口固支梁耦合结构，这种固支梁耦合结构从共面波导中传输的微波信号中耦合出一部分，并利用耦合出的信号来检测微波信号的功率、频率和相位大小；应用Wilkinson功率合成器与功率分配器实现对微波信号的功率合成与分配；采用直接加热式微波功率传感器来检测信号的微波功率，具有较高的灵敏度且无直流功耗；本发明的固支梁直接加热式微波信号检测器实现了一个芯片同时对微波信号的功率、相位、频率三种微波参量的检测、具有低功耗、低成本的益处。满足以上条件的结构即视为本发明的固支梁直接加热式微波信号检测器。