技术特征：
技术总结
本发明公开了一种氧化钨纳米线气体传感器的响应类型控制方法，包括：二氧化硅基片的清洗、制备钨薄膜、制备WO2纳米线、制备WO3纳米线、氧化钨纳米线气体传感器的制备的步骤。本发明通过控制WO3纳米线在氧化过程中的温度，调整了WO3纳米线材料的性质改变了其在气体测试过程中所表现出的响应类型，即经过480℃退火后表现为N‑型响应类型，经过440℃和460℃退火后表现为P‑型响应类型。这种二氧化硅基的WO3纳米线结构在响应过程发生变化后，气敏性质没有发生较大变化，可以利用这种性质将WO3应用到更加广泛的气体传感器中。
技术研发人员：赵博硕;胡明
受保护的技术使用者：天津大学
技术研发日：2017.10.27
技术公布日：2018.04.13