一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的装置及方法与流程

技术特征：

1.一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的装置，其特征在于，包括：第一模数转换器(1)，第二模数转换器(2)，第一功能模块电路(3)，第二功能模块电路(4)，PMOS管(5)，NMOS管(6)，传感器探测元电阻阵列(7)，积分电路(8)，不感光电阻(9)；

所述NMOS管(6)的漏极与所述传感器探测元电阻阵列(7)连接，源极分别与所述PMOS管(5)的漏极和所述积分电路(8)连接；

所述PMOS管(5)的源极与所述不感光电阻(9)的一端连接，漏极还与所述积分电路(8)连接；

所述第一功能模块电路(3)和所述第二功能模块电路(4)分别与所述PMOS管(5)的栅极和所述NMOS管(6)的栅极连接；

所述第一模数转换器(1)和所述第二模数转换器(2)分别与所述PMOS管(5)的衬底和所述NMOS管(6)的衬底连接，用于调节所述PMOS管(5)和所述NMOS管(6)的衬底电压。

2.根据权利要求1所述的一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的装置，其特征在于，所述第一功能模块电路(3)和第二功能模块电路(4)均为根据实际需要而设计的用作扩展功能的功能模块电路。

3.根据权利要求2所述的一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的装置，其特征在于，所述积分电路(8)包括开关(10)、电容(11)和运算放大器(12)；所述开关(10)和所述电容(11)并联；所述开关(10)与所述运算放大器(12)的输入端和输出端连接；所述电容(11)与所述运算放大器(12)的输入端和输出端连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的装置，其特征在于，所述不感光电阻(9)的阻值与所述传感器探测元电阻阵列(7)中的任一传感器探测元电阻的阻值相同。

5.一种基于如权利要求1至4中任一项所述装置的调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：所述NMOS管(6)的漏极与所述传感器探测元电阻阵列(7)中的接收红外辐射的传感器探测元电阻自动连接，所述第一功能模块电路(3)向所述PMOS管(5)的栅极输入电压信号，所述PMOS管(5)的漏极输出电流信号；

步骤二：所述电流信号分两路流入所述NMOS管(6)的源极和所述积分电路(8)，通过所述第一模数转换器(1)调节所述PMOS管(5)的衬底电压以调节所述电流信号和/或通过所述第二模数转换器(2)调节所述NMOS管(6)的衬底电压以调节流入所述NMOS管(6)的电流信号，以校正流入积分电路(8)的积分电流；

步骤三：所述积分电路(8)根据校正后的所述积分电流输出积分电压信号。

6.根据权利要求5所述的一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的方法，其特征在于，所述第一模数转换器(1)自动连续地向所述PMOS管(5)的衬底输入不同的调节电压。

7.根据权利要求5或6所述的一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的方法，其特征在于，所述第二模数转换器(2)自动连续地向所述NMOS管(6)的衬底输入不同的调节电压。

8.根据权利要求5所述的一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的方法，其特征在于，所述第一模数转换器(1)输入所述PMOS管(5)的衬底的调节电压的位数和/或所述第二模数转换器(2)输入所述NMOS管(6)的衬底的调节电压的位数均根据实际精度需要进行调节。