1.一种用于电子束发射度测量的微米量级转换靶装置，其特征在于：包括一个下环座(2)，下环座(2)的上端面沿其轴线内凹形成有一个环状凹槽，还包括一个与下环座(2)相匹配的上环座(1)，上环座(1)的下表面设置有向下凸出且与下环座(2)的环状凹槽相匹配的凸环，上环座(1)的凸环插入下环座(2)的环状凹槽后，铺设在下环座(2)上的薄膜(6)被扩张形成镜面。
2.根据权利要求1所述的一种用于电子束发射度测量的微米量级转换靶装置，其特征在于，在所述上环座(1)凸环的内侧设置有一环状密封槽，在该环状密封槽内设置有一个侧面扩展密封圈(5)。
3.根据权利要求1所述的一种用于电子束发射度测量的微米量级转换靶装置，其特征在于，所述下环座(2)环状凹槽内侧的端面沿下环座(2)的轴向内凹形成有顶部凹槽，在顶部凹槽内安装有保持密封圈(4)。
4.根据权利要求1所述的一种用于电子束发射度测量的微米量级转换靶装置，其特征在于，在所述下环座(2)的环状凹槽内安装有压紧密封圈(3)。
5.根据权利要求4所述的一种用于电子束发射度测量的微米量级转换靶装置，其特征在于，在所述的压紧密封圈(3)上设置有向下延伸并进入下环座(2)底部的条形槽(7)，在条形槽(7)的底部设置有贯穿下环座(2)的螺孔。
6.根据权利要求1所述的一种用于电子束发射度测量的微米量级转换靶装置，其特征在于，在所述下环座(2)的环状凹槽外侧壁上，设置有多个排气孔(8)。
7.根据权利要求1所述的一种用于电子束发射度测量的微米量级转换靶装置，其特征在于，在所述下环座(2)的外侧还设置有一个连接基座(9)。