电流传感器以及电流传感器模块的制作方法

本发明涉及电流传感器以及电流传感器模块。

背景技术：

作为公开了电流传感器的结构的在先文献，存在jp特开2010-48809号公报(专利文献1)。在专利文献1所述的第1实施方式所涉及的电流传感器中，导体由第1导体部和第2导体部构成。第1导体部与第2导体部相互分离。在第1导体部与第2导体部之间，形成中间空间。设置有磁传感器的支承体被插入到中间空间，由此磁传感器被配置于导体的磁场内并且被配置于中间空间的外部。

专利文献1所述的第2实施方式所涉及的电流传感器的导体被弯曲多次。导体包含相互隔开间隔地排列的第1导体部要素、第2导体部要素和第3导体部要素。在第1导体部要素与第2导体部要素之间，配置第1磁传感器。在第2导体部要素与第3导体部要素之间，配置第2磁传感器。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：jp特开2010-48809号公报

技术实现要素：

-发明要解决的课题-

在专利文献1所述的第1实施方式所涉及的电流传感器中，由于导体分支为第1导体部和第2导体部，因此流过导体的电流被分开而流过第1导体部和第2导体部。因此，在第1导体部的周围产生的磁场的强度以及在第2导体部的周围产生的磁场的强度分别比在未分支的部分的导体的周围产生的磁场的强度弱。其结果，由于施加于磁传感器的磁场的强度较弱，因此磁传感器的输出变低，电流传感器的灵敏度变低。

由于专利文献1所述的第2实施方式所涉及的电流传感器的第2导体部要素位于第1磁传感器与第2磁传感器之间，因此第1磁传感器与第2磁传感器之间的距离变长。在第1磁传感器与第2磁传感器之间的距离较长的情况下，由于分别施加于第1磁传感器以及第2磁传感器的外部磁场的强度之差变大，故基于外部磁场的电流传感器的测定值的偏差变大。

本发明鉴于上述的问题点而作出，其目的在于，提供一种针对由测定对象的电流产生的磁场，灵敏度较高、基于外部磁场的测定值的偏差较少的电流传感器以及电流传感器模块。

-解决课题的手段-

基于本发明的电流传感器具备：导体，流过测定对象的电流，具有长度方向、正交于该长度方向的宽度方向、以及正交于上述长度方向和上述宽度方向的高度方向；和对由上述电流产生的磁场的强度进行检测的第1磁传感器以及第2磁传感器。导体包含：第1导体部，在上述长度方向上延伸并具有上述长度方向上的第1一端部以及第1另一端部；第2导体部，在上述宽度方向上与第1导体部隔开间隔并且在上述长度方向上延伸并具有上述长度方向上的第2一端部以及第2另一端部；和第3导体部，从上述高度方向观察，位于第1导体部与第2导体部之间，并且从上述长度方向观察，相对于第1导体部以及第2导体部位于上述高度方向的一侧，具有上述长度方向上的第3一端部以及第3另一端部。第3另一端部与第1另一端部连接。第3一端部与第2一端部连接。第1磁传感器以及第2磁传感器分别位于上述宽度方向上的第1导体部与第2导体部之间的区域、并且位于第1导体部以及第2导体部两者的上述高度方向上的包含从一端到另一端的区域。

在本发明的一方式中，第1磁传感器与第1导体部的最短距离比第1磁传感器与第2导体部的最短距离短。第2磁传感器与第2导体部的最短距离比第2磁传感器与第1导体部的最短距离短。

在本发明的一方式中，第1磁传感器与第1导体部的最短距离比第1磁传感器与第3导体部的最短距离短。第2磁传感器与第2导体部的最短距离比第2磁传感器与第3导体部的最短距离短。

在本发明的一方式中，还具备：计算部，通过对第1磁传感器的检测值和第2磁传感器的检测值进行运算来计算上述电流的值。第1磁传感器对上述磁场的检测值与第2磁传感器对上述磁场的检测值相互反相。计算部是减法器或者差动放大器。

在本发明的一方式中，还具备：计算部，通过对第1磁传感器的检测值与第2磁传感器的检测值进行运算来计算上述电流的值。第1磁传感器对上述磁场的检测值与第2磁传感器对上述磁场的检测值相互同相。计算部是加法器或者加法放大器。

在本发明的一方式中，第1导体部以及第2导体部分别具有板状的形状。从上述长度方向观察，包含第1导体部的第2导体部一侧的面的第1假想平面与包含第2导体部的第1导体部一侧的面的第2假想平面相互平行。

在本发明的一方式中，第1导体部的一部分与第2导体部的一部分相互对置。

在本发明的一方式中，从上述宽度方向观察，第1导体部与第2导体部的位置在上述高度方向上相互错开。

在本发明的一方式中，第1导体部以及第2导体部分别具有板状的形状。从上述长度方向观察，包含第1导体部的第2导体部一侧的面的第1假想平面与包含第2导体部的第1导体部一侧的面的第2假想平面相互交叉。

在本发明的一方式中，第3导体部在上述长度方向上延伸。

在本发明的一方式中，第3导体部在上述长度方向以及上述宽度方向上延伸。

在本发明的一方式中，第3导体部具有板状的形状。

在本发明的一方式中，从上述长度方向观察，第3导体部具有在上述高度方向上向与第1导体部侧相反的一侧弯成凸状的形状。

在本发明的一方式中，上述弯成凸状的形状是弯曲形状。

在本发明的一方式中，上述弯成凸状的形状是弯折形状。

在本发明的一方式中，电流传感器还具备：基板，安装有第1磁传感器以及第2磁传感器；和壳体，收纳基板。壳体与导体固定。

在本发明的一方式中，壳体分别相接于第1导体部、第2导体部以及第3导体部。

基于本发明的电流传感器模块具备多个上述的电流传感器。多个电流传感器各自的导体被并排配置。

在本发明的一方式中，多个电流传感器在上述高度方向上相互隔开间隔地排列。在相互相邻的电流传感器彼此，一个电流传感器的上述宽度方向上的第1导体部与第2导体部之间的上述区域与另一个电流传感器的第3导体部对置。

在本发明的一方式中，多个电流传感器在上述宽度方向上相互隔开间隔地排列，并且在上述长度方向上相互隔开间隔地排列。在相互相邻的电流传感器彼此，一个电流传感器的上述宽度方向上的第1导体部与第2导体部之间的上述区域在上述长度方向上对置于另一个电流传感器的上述宽度方向上的第1导体部与第2导体部之间的上述区域。

-发明效果-

根据本发明，在电流传感器中，针对由测定对象的电流产生的磁场，能够提高灵敏度，并且能够减少基于外部磁场的测定值的偏差。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的电流传感器的外观的立体图。

图2是从箭头ii方向观察图1的电流传感器的主视图。

图3是表示本发明的实施方式1所涉及的电流传感器所具备的导体被折弯之前的形状的展开图。

图4是表示本发明的实施方式1所涉及的电流传感器的电路结构的电路图。

图5是表示对在本发明的实施方式1所涉及的电流传感器的导体的周边产生的磁场的磁通密度的分布进行模拟解析的结果的等高线图。

图6是表示从图5中的起点s到终点e在y轴方向延伸的假想直线上的磁通密度的z轴方向的分量(mt)与距起点s的距离(mm)的关系的曲线图。

图7是表示本发明的实施方式2所涉及的电流传感器的结构的主视图。

图8是表示本发明的实施方式3所涉及的电流传感器的外观的立体图。

图9是表示本发明的实施方式3的变形例所涉及的电流传感器的外观的立体图。

图10是表示本发明的实施方式4所涉及的电流传感器的外观的立体图。

图11是从箭头xi方向观察图10的电流传感器的立体图。

图12是表示本发明的实施方式4所涉及的电流传感器所具备的导体的外观的立体图。

图13是表示本发明的实施方式5所涉及的电流传感器所具备的导体的外观的立体图。

图14是从箭头xiv方向观察图13的导体的侧视图。

图15是从箭头xv方向观察图13的导体的俯视图。

图16是从箭头xvi方向观察图13的导体的主视图。

图17是表示本发明的实施方式6所涉及的电流传感器所具备的导体的外观的立体图。

图18是从箭头xviii方向观察图17的导体的侧视图。

图19是从箭头xix方向观察图17的导体的俯视图。

图20是从箭头xx方向观察图17的导体的主视图。

图21是表示本发明的实施方式7所涉及的电流传感器所具备的导体的外观的立体图。

图22是从箭头xxii方向观察图21的导体的侧视图。

图23是从箭头xxiii方向观察图21的导体的俯视图。

图24是从箭头xxiv方向观察图21的导体的主视图。

图25是表示本发明的实施方式8所涉及的电流传感器所具备的导体的外观的立体图。

图26是从箭头xxvi方向观察图25的导体的侧视图。

图27是从箭头xxvii方向观察图25的导体的俯视图。

图28是从箭头xxviii方向观察图25的导体的主视图。

图29是表示对在本发明的实施方式8所涉及的电流传感器的导体的周边产生的磁场的磁通密度的分布进行模拟解析的结果的等高线图。

图30是表示从图29中的起点s到终点e在y轴方向延伸的假想直线l上的磁通密度的z轴方向的分量(mt)与距起点s的距离(mm)的关系的曲线图。

图31是表示本发明的实施方式9所涉及的电流传感器所具备的导体的外观的立体图。

图32是从箭头xxxii方向观察图31的导体的侧视图。

图33是从箭头xxxiii方向观察图31的导体的俯视图。

图34是从箭头xxxiv方向观察图31的导体的主视图。

图35是表示本发明的实施方式10所涉及的电流传感器模块的外观的立体图。

图36是表示本发明的实施方式10的变形例所涉及的电流传感器模块的导体的配置的立体图。

具体实施方式

以下，参照附图来对本发明的各实施方式所涉及的电流传感器以及电流传感器模块进行说明。在以下的实施方式的说明中，对图中的相同或者相当部分赋予同一符号并不重复其说明。

(实施方式1)

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的电流传感器的外观的立体图。图2是从箭头ii方向观察图1的电流传感器的主视图。图3是表示本发明的实施方式1所涉及的电流传感器所具备的导体被折弯之前的形状的展开图。图4是表示本发明的实施方式1所涉及的电流传感器的电路结构的电路图。在图1～3中，将导体的长度方向表示为x轴方向，将导体的宽度方向表示为y轴方向，将导体的高度方向表示为z轴方向。

如图1～3所示，本发明的实施方式1所涉及的电流传感器100具备：测定对象的电流流过且具有长度方向(x轴方向)、正交于长度方向(x轴方向)的宽度方向(y轴方向)、以及正交于长度方向(x轴方向)和宽度方向(y轴方向)的高度方向(z轴方向)的导体110；和对由上述电流产生的磁场的强度进行检测的第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b。

导体110包含第1导体部111、第2导体部112和第3导体部113，所述第1导体部111在长度方向(x轴方向)上延伸并具有长度方向(x轴方向)上的第1一端部111a以及第1另一端部111b，所述第2导体部112在宽度方向(y轴方向)上与第1导体部111隔开间隔并且在长度方向(x轴方向)上延伸并具有长度方向(x轴方向)上的第2一端部112a以及第2另一端部112b的第2导体部112，所述第3导体部113从高度方向(z轴方向)观察，位于第1导体部111与第2导体部112之间，并且从长度方向(x轴方向)观察，相对于第1导体部111以及第2导体部112位于高度方向(z轴方向)的一侧，具有长度方向(x轴方向)上的第3一端部113a以及第3另一端部113b。

通过第3另一端部113b与第1另一端部111b的高度方向(z轴方向)上的一端连接，从而第1导体部111与第3导体部113相互连接。具体而言，第1另一端部111b与第3另一端部113b通过第4导体部114来相互连接。第4导体部114是导体110的一部分。第4导体部114在高度方向(z轴方向)上延伸。

通过第3一端部113a与第2一端部112a的高度方向(z轴方向)上的一端连接，从而第2导体部112与第3导体部113相互连接。具体而言，第2一端部112a与第3一端部113a通过第5导体部115来相互连接。第5导体部115是导体110的一部分。第5导体部115在高度方向(z轴方向)上延伸。

在本实施方式中，第1导体部111以及第2导体部112分别具有板状的形状。从长度方向(x轴方向)观察，包含第1导体部111的第2导体部112一侧的面的第1假想平面与包含第2导体部112的第1导体部111一侧的面的第2假想平面相互平行。第1导体部111的一部分与第2导体部112的一部分在宽度方向(y轴方向)上相互对置。从宽度方向(y轴方向)观察，第1导体部111的一部分与第2导体部112的一部分在高度方向(z轴方向)上相互重叠。第3导体部113在长度方向(x轴方向)上延伸。第3导体部113具有板状的形状。

如图3所示，折弯之前的导体110包含相互在宽度方向(y轴方向)上隔开间隔并分别在长度方向(x轴方向)上延伸的第1导体部111、第2导体部112以及第3导体部113。折弯之前的导体110还包含在宽度方向(y轴方向)上延伸并将第1导体部111与第3导体部113连接的第4导体部114。折弯之前的导体110还包含在宽度方向(y轴方向)上延伸并将第2导体部112与第3导体部113连接的第5导体部115。

在折弯之前的导体110，第1导体部111、第2导体部112以及第3导体部113各自的宽度方向(y轴方向)的尺寸相等。导体110的厚度整体上均匀。因此，上述电流流过的流路面积在第1导体部111、第2导体部112以及第3导体部113中恒定。另外，也可以是第3导体部113的宽度方向(y轴方向)的尺寸比第1导体部111以及第2导体部112各自的宽度方向(y轴方向)的尺寸小。

在本实施方式中，导体110由铜构成。但是，导体110的材料并不局限于此，也可以是银、铝或铁等金属、或者包含这些金属的合金。

导体110也可以被实施表面处理。例如，也可以在导体110的表面设置包含镍、锡、银或铜等金属、或者包含这些金属的合金的至少1层镀层。

在本实施方式中，通过冲压加工来形成导体110。通过将折弯之前的导体110分别在图3所示的2根折弯线b凸折，从而形成图1、2所示的形状的导体110。2根折弯线b位于第3导体部113的宽度方向(y轴方向)的两端上。具体而言，通过沿着2根折弯线b进行冲压加工，从而第4导体部114以及第5导体部分别弯折为外表面侧比内表面侧更延伸，由此形成图1、2所示的形状的导体110。但是，导体110的形成方法并不局限于此，也可以通过切削加工或者铸造等来形成导体110。

如图1、2所示，在本实施方式中，第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b被安装于一个基板130。基板130是印刷布线板，由玻璃环氧或者氧化铝等电气绝缘性材料的基材、和设置在基材的表面上的铜等的金属箔被图案化而形成的布线构成。基板130的厚度例如为1.6mm左右。

第1磁传感器120a被安装于基板130的一个主面上。第2磁传感器120b被安装于基板130的另一个主面上。第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b分别与放大器以及无源元件等电子部件一起被安装于基板130。放大器以及无源元件等电子部件构成对来自第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b的信号进行运算的运算电路。另外，在图1、2中，未图示放大器以及无源元件。但是，放大器以及无源元件也可以被安装于与分别安装有第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b的基板130不同的基板。

如图2所示，基板130的一个主面与第1导体部111的第2导体部112一侧的面相互平行。基板130的另一个主面与第2导体部112的第1导体部111一侧的面相互平行。基板130在宽度方向(y轴方向)上，被配置于第1导体部111的第2导体部112一侧的面与第2导体部112的第1导体部111一侧的面的中间的位置。

第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b分别位于宽度方向(y轴方向)上的第1导体部111与第2导体部112之间的区域ty、并且位于第1导体部111以及第2导体部112两者的高度方向(z轴方向)上的包含从一端到另一端的区域tz。上述区域ty在长度方向(x轴方向)上，从第2导体部112的第2一端部112a的位置延伸到第1导体部111的第1另一端部111b的位置。

第1磁传感器120a与第1导体部111的最短距离比第1磁传感器120a与第2导体部112的最短距离短。第2磁传感器120b与第2导体部112的最短距离比第2磁传感器120b与第1导体部111的最短距离短。

第1磁传感器120a与第1导体部111的最短距离比第1磁传感器120a与第3导体部113的最短距离短。第2磁传感器120b与第2导体部112的最短距离比第2磁传感器120b与第3导体部113的最短距离短。

第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b分别具有检测轴2，检测轴2被配置为朝向高度方向(z轴方向)。

第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b分别具有奇函数输入输出特性，即在检测到朝向检测轴2的一个方向的磁场的情况下以正值输出、并且在检测到朝向与检测轴2的一个方向相反的方向的磁场的情况下以负值输出。

如图4所示，在本实施方式所涉及的电流传感器100中，第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b分别具有包含4个amr(anisotropicmagnetoresistance，异向磁阻)元件的惠斯登电桥型的电桥电路。另外，第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b也可以取代amr元件，分别具有gmr(giantmagnetoresistance，巨磁阻)、tmr(tunnelmagnetoresistance，隧道式磁阻)、bmr(ballisticmagnetoresistance，弹道磁阻)、cmr(colossalmagnetoresistance，超巨磁阻)等磁阻元件。

此外，第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b也可以分别具有包含2个磁阻元件的半电桥电路。除此之外，作为第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b，能够使用具有霍尔元件的磁传感器、具有利用磁阻效应的mi(magnetoimpedance，磁阻抗)元件的磁传感器或者磁通门型磁传感器等。磁阻元件以及霍尔元件等磁元件可以被树脂封装，或者也可以通过硅酮树脂或者环氧树脂等而被灌封。

在多个磁元件被封装的情况下，可以多个磁元件被封装为一个，也可以多个磁元件分别被封装为多个。此外，在多个磁元件与电子部件集成的状态下，也可以封装为一个。

在本实施方式中，amr元件通过包含不规则磁极型电极，从而具有奇函数输入输出特性。具体而言，第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b各自的磁阻元件通过包含不规则磁极型电极，从而被偏置以使得电流在相对于磁阻元件中的磁阻膜的磁化方向成规定的角度的方向流动。磁阻膜由坡莫合金等磁性体的薄膜构成。

磁阻膜的磁化方向由磁阻膜的形状各向异性决定。另外，作为调整磁阻膜的磁化方向的方法，不局限于使用磁阻膜的形状各向异性的方法，也可以使用在构成amr元件的磁阻膜的附近配置永久磁铁的方法、或者在构成amr元件的磁阻膜设置交换耦合的方法等。

永久磁铁也可以包含烧结磁铁、粘接磁铁或者薄膜。永久磁铁的种类并不被特别限定，能够使用各向同性铁氧体磁铁、各向异性铁氧体磁铁、钐钴磁铁、镍钴磁铁或者钕磁铁等。

也可以在永久磁铁上形成磁阻膜。从与基板130的主面正交的方向观察，也可以配置为磁阻膜被永久磁铁夹着，还可以配置为永久磁铁被磁阻膜夹着。通过利用一个永久磁铁来向多个磁阻膜施加偏置磁场，能够使第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b分别小型化。

第1磁传感器120a的磁阻元件中的磁阻膜的磁化方向与第2磁传感器120b的磁阻元件中的磁阻膜的磁化方向为相同方向。由此，能够减小外部磁场的影响所导致的输出精度的降低。

如图4所示，电流传感器100还具备计算部190，通过对第1磁传感器120a的检测值和第2磁传感器120b的检测值进行运算，来计算流过导体110的测定对象的电流的值。在本实施方式中，计算部190是差动放大器。但是，计算部190也可以是减法器。

以下，对本发明的实施方式1所涉及的电流传感器100的动作进行说明。测定对象的电流流过导体110，如图1、2所示，从而电流1a从长度方向(x轴方向)的第1一端部111a侧向第1另一端部111b侧流过第1导体部111。该电流1a通过与第1导体部111连接的第4导体部114，流入与第4导体部114连接的第3导体部113的第3另一端部113b。流入第3导体部113的第3另一端部113b的电流作为电流1b，从长度方向(x轴方向)的第3另一端部113b侧向第3一端部113a侧流过第3导体部113。该电流1b通过与第3导体部113连接的第5导体部115，流入与第5导体部115连接的第2导体部112的第2一端部112a。流入第2导体部112的第2一端部112a的电流作为电流1c，从长度方向(x轴方向)的第2一端部112a侧向第2另一端部112b侧流过第2导体部112。

如图2所示，通过所谓的右手螺旋定律，产生围绕第1导体部111的磁场1ae，产生围绕第2导体部112的磁场1ce，产生围绕第3导体部113的磁场1be。

如上述那样，第1磁传感器120a在区域ty内并且在区域tz内，位于靠近第1导体部111的位置。因此，向第1磁传感器120a主要施加围绕第1导体部111的磁场1ae。第2磁传感器120b在区域ty内并且在区域tz内，位于靠近第2导体部112的位置。因此，向第2磁传感器120b主要施加围绕第2导体部112的磁场1ce。

另外，围绕第3导体部113的磁场1be主要在与检测轴2所朝向的高度方向(z轴方向)正交的宽度方向(y轴方向)上分别向第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b施加。因此，第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b分别几乎未检测到围绕第3导体部113的磁场1be。

图5是表示对在本发明的实施方式1所涉及的电流传感器的导体的周边产生的磁场的磁通密度的分布进行模拟解析的结果的等高线图。图5中，以从v-v线箭头方向观察图1的电流传感器的剖视来表示。图6是表示从图5中的起点s到终点e在y轴方向延伸的假想直线上的磁通密度的z轴方向的分量(mt)与距起点s的距离(mm)的关系的曲线图。

在模拟解析中，第1导体部111、第2导体部112以及第3导体部113各自的剖面的尺寸设为宽度是10mm、厚度是1.5mm。上述假想直线的高度方向(z轴方向)上的位置设为第1导体部111以及第2导体部112各自的高度方向(z轴方向)上的另一端向一端侧7.5mm的位置。将分别流过第1导体部111、第2导体部112以及第3导体部113的电流的值设为600a。

图5中，将磁通密度的高度方向(z轴方向)的分量为40mt的线表示为e1，为32mt的线表示为e2，为24mt的线表示为e3，为16mt的线表示为e4。将磁通密度的高度方向(z轴方向)的分量为-40mt的线表示为e11，为-32mt的线表示为e12，为-24mt的线表示为e13，为-16mt的线表示为e14。磁通密度的高度方向(z轴方向)的分量将图5中的向上的磁通表示为正值，将图5中的向下的磁通表示为负值。

如图6所示，以假想直线上的起点s与终点e的中间、即距起点的距离为5mm的位置为界，磁通密度的高度方向(z轴方向)的分量的符号相反。具体而言，在距起点的距离小于5mm的位置，磁通密度的高度方向(z轴方向)的分量为正值，在距起点的距离比5mm长的位置，磁通密度的高度方向(z轴方向)的分量为负值。

第1磁传感器120a被配置于在假想直线上距起点的距离比5mm长的位置。第2磁传感器120b被配置于在假想直线上距起点的距离小于5mm的位置。

因此，由于作用于第1磁传感器120a的磁场1ae的磁通的朝向与作用于第2磁传感器120b的磁场1be的磁通的朝向相互相反，第1磁传感器120a与第2磁传感器120b的检测轴2的朝向相同，因此关于由流过导体110的测定对象的电流产生的磁场的强度，第1磁传感器120a的检测值的相位与第2磁传感器120b的检测值的相位为反相。因此，若将第1磁传感器120a检测到的磁场的强度设为正值，则第2磁传感器120b检测到的磁场的强度成为负值。

第1磁传感器120a的检测值和第2磁传感器120b的检测值是由计算部190运算的。具体而言，计算部190从第1磁传感器120a的检测值减去第2磁传感器120b的检测值。根据其结果，计算流过导体110的测定对象的电流的值。

在本实施方式所涉及的电流传感器100中，由于基板130位于第1磁传感器120a与第2磁传感器120b之间，因此外部磁场源在物理上不能位于第1磁传感器120a与第2磁传感器120b之间。

因此，从外部磁场源向第1磁传感器120a施加的磁场之中的检测轴2的方向上的磁场分量的朝向与从外部磁场源向第2磁传感器120b施加的磁场之中的检测轴2的方向上的磁场分量的朝向为相同的朝向。因此，若将第1磁传感器120a检测到的外部磁场的强度设为正值，则第2磁传感器120b检测到的外部磁场的强度也为正值。

其结果，计算部190从第1磁传感器120a的检测值减去第2磁传感器120b的检测值，从而来自外部磁场源的磁场几乎不被检测到。即，外部磁场的影响减少。

作为本实施方式的变形例，在第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b中，也可以使检测值为正的检测轴的方向为相互相反的方向(180°相反)。在该情况下，若将第1磁传感器120a检测的外部磁场的强度设为正值，则第2磁传感器120b检测的外部磁场的强度为负值。

另一方面，关于由流过导体110的测定对象的电流产生的磁场的强度，第1磁传感器120a的检测值的相位与第2磁传感器120b的检测值的相位为同相。

在本变形例中，作为计算部190，取代差动放大器而使用加法器或者加法放大器。关于外部磁场的强度，通过利用加法器或者加法放大器来将第1磁传感器120a的检测值与第2磁传感器120b的检测值相加，从而第1磁传感器120a的检测值的绝对值和第2磁传感器120b的检测值的绝对值被减去。由此，来自外部磁场源的磁场几乎不被检测到。即，外部磁场的影响减少。

另一方面，关于由流过导体110的电流产生的磁场的强度，通过利用加法器或者加法放大器来将第1磁传感器120a的检测值与第2磁传感器120b的检测值相加，从而计算流过导体110的测定对象的电流的值。

这样，使第1磁传感器120a与第2磁传感器120b的输入输出特性相互为相反的极性，并且也可以取代差动放大器而使用加法器或者加法放大器来作为计算部。

如上述那样，本实施方式所涉及的电流传感器100通过在不使导体110分支的情况下，利用第1磁传感器120a来检测由测定对象的电流1a流过第1导体部111而产生的磁场1ae，利用第2磁传感器120b来检测由测定对象的电流1c流过第2导体部112而产生的磁场1ce，从而能够较高维持第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b各自的输出，提高电流传感器100的灵敏度。

此外，由于能够使第1磁传感器120a与第2磁传感器120b相互接近地配置，因此能够减少分别施加于第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b的外部磁场的强度之差，能够减少基于外部磁场的电流传感器100的测定值的偏差。

进一步地，如图2所示，由于在第3导体部113的与相邻于第1导体部111以及第2导体部112的面侧相反的面侧，磁场1ae与磁场1be相互抵消、磁场1be与磁场1ce相互抵消，因此能够降低在电流传感器100的外部产生的磁场的强度。

在本实施方式所涉及的电流传感器100中，导体的一部分未位于第1磁传感器120a与第2磁传感器120b之间，从而能够抑制电流传感器100的宽度方向(y轴方向)的宽度变厚。

在本实施方式所涉及的电流传感器100中，由于仅通过冲压加工来将图3所示的包含金属材料或者合金材料的一片平板折弯就能够形成导体110，因此能够容易地形成导体110。

(实施方式2)

以下，对本发明的实施方式2所涉及的电流传感器进行说明。另外，实施方式2所涉及的电流传感器200主要是基板的朝向以及第1磁传感器以及第2磁传感器各自的检测轴相对于基板的主面的朝向与实施方式1所涉及的电流传感器100不同，因此针对与实施方式1所涉及的电流传感器100相同的结构赋予相同的参照符号并且不重复其说明。

图7是表示本发明的实施方式2所涉及的电流传感器的结构的主视图。图7中，表示从与图2相同的方向观察的状态。

如图7所示，在本发明的实施方式2所涉及的电流传感器200中，第1磁传感器220a以及第2磁传感器220b被安装在基板230的一个主面上。第3导体部113的与第1导体部111以及第2导体部112相邻的面与基板230的一个主面相互平行。

第1磁传感器220a以及第2磁传感器220b分别位于宽度方向(y轴方向)上的第1导体部111与第2导体部112之间的区域ty、并且位于第1导体部111以及第2导体部112两者的高度方向(z轴方向)上的包含从一端到另一端的区域tz。上述区域ty在长度方向(x轴方向)，从第2导体部112的第2一端部112a的位置延伸到第1导体部111的第1另一端部111b的位置。

第1磁传感器220a与第1导体部111的最短距离比第1磁传感器220a与第2导体部112的最短距离短。第2磁传感器220b与第2导体部112的最短距离比第2磁传感器220b与第1导体部111的最短距离短。

第1磁传感器220a与第1导体部111的最短距离比第1磁传感器220a与第3导体部113的最短距离短。第2磁传感器220b与第2导体部112的最短距离比第2磁传感器220b与第3导体部113的最短距离短。

第1磁传感器220a以及第2磁传感器220b分别具有检测轴2，检测轴2被配置为朝向高度方向(z轴方向)。

在本发明的实施方式2所涉及的电流传感器200中，由于基板230不位于第1磁传感器220a与第2磁传感器220b之间，因此能够使第1磁传感器220a与第2磁传感器220b相互进一步接近配置。因此，能够减少分别向第1磁传感器220a以及第2磁传感器220b施加的外部磁场的强度之差，减少外部磁场所导致的电流传感器200的测定值的偏差。

(实施方式3)

以下，对本发明的实施方式3所涉及的电流传感器进行说明。另外，实施方式3所涉及的电流传感器300仅在基板被收纳于壳体这方面与实施方式1所涉及的电流传感器100不同，针对与实施方式1所涉及的电流传感器100相同的结构赋予相同的参照符号并不重复其说明。

图8是表示本发明的实施方式3所涉及的电流传感器的外观的立体图。如图8所示，本发明的实施方式3所涉及的电流传感器300还具备对安装有第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b的基板130进行收纳的壳体350。在壳体350设置凸缘部350f。在凸缘部350f设置有未图示的贯通孔。在第2导体部112，在凸缘部350f的贯通孔所对应的位置设置有未图示的贯通孔。凸缘部350f在长度方向(x轴方向)上，被配置于从第2导体部112的第2一端部112a的位置到第1导体部111的第1另一端部111b的位置的区域的外侧。

通过使插入到凸缘部350f的贯通孔以及第2导体部112的贯通孔的螺栓370和未图示的螺母螺合，能够将壳体350与导体110紧固。螺栓370以及螺母分别包含非磁性材料。另外，壳体350与导体110的接合方法并不局限于上述，也可以是使用了树脂的热熔敷、或者使用了粘接剂的粘接。或者，也可以在壳体350设置与导体110卡止的卡止部，将卡止部与导体110卡止，从而将壳体350固定于导体110。

在本实施方式中，壳体350分别相接于第1导体部111、第2导体部112以及第3导体部113。由此，能够分别减少第1磁传感器120a相对于第1导体部111的位置的偏差、以及第2磁传感器120b相对于第2导体部112的位置的偏差，提高电流传感器300的灵敏度并且减少测定精度的偏差。其结果，能够提高电流传感器300的测定重现性以及量产性。此外，通过第1导体部111、第2导体部112以及第3导体部113，能够保护壳体350不受外力影响。

壳体350包含：pps(聚苯硫醚)、pbt(聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂)、lcp(液晶聚合物)、聚氨酯或者尼龙等的工程塑料。由于pps的耐热性较高，因此在考虑导体110的发热的情况下，优选设为壳体350的材料。

另外，也可以通过绝缘树脂来密封壳体350以及导体110各自的一部分。图9是表示本发明的实施方式3的变形例所涉及的电流传感器的外观的立体图。如图9所示，在本发明的实施方式3的变形例所涉及的电流传感器300a中，壳体350以及导体110各自的一部分被绝缘树脂360密封。通过使用绝缘树脂360来插入成型，能够将第1导体部111的一部分、第2导体部112的一部分、第3导体部113以及壳体350密封。

作为绝缘树脂360的材料，是热塑性树脂或者热固化性树脂，从耐热性以及模制精度的观点出发，优选是丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(abs)树脂、聚苯硫醚(pps)树脂、液晶聚合物(lcp)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(pbt)树脂、环氧树脂或者聚酰胺树脂(pa)等。

另外，也可以未设置壳体350，将导体110的一部分和安装有第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b的基板130由绝缘树脂360密封。

(实施方式4)

以下，对本发明的实施方式4所涉及的电流传感器进行说明。另外，实施方式4所涉及的电流传感器400主要是第5导体部的长度与实施方式1所涉及的电流传感器100不同，因此针对与实施方式1所涉及的电流传感器100相同的结构赋予相同的参照符号并不重复其说明。

图10是表示本发明的实施方式4所涉及的电流传感器的外观的立体图。图11是从箭头xi方向观察图10的电流传感器的立体图。图12是表示本发明的实施方式4所涉及的电流传感器所具备的导体的外观的立体图。

如图10～11所示，本发明的实施方式4所涉及的电流传感器400具备导体410、和对由上述电流产生的磁场的强度进行检测的第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b，所述导体410流过测定对象的电流，具有长度方向(x轴方向)、正交于长度方向(x轴方向)的宽度方向(y轴方向)、以及正交于长度方向(x轴方向)和宽度方向(y轴方向)的高度方向(z轴方向)。

导体410的第5导体部415比实施方式1所涉及的导体110的第5导体部115长。其结果，从宽度方向(y轴方向)观察，第1导体部111与第2导体部112的位置在高度方向(z轴方向)上相互错开。

第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b被安装在基板130的一个主面上。基板130的一个主面与第1导体部111的第2导体部112一侧的面相互平行。基板130的另一个主面与第2导体部112的第1导体部111一侧的面相互平行。

第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b分别位于宽度方向(y轴方向)上的第1导体部111与第2导体部112之间的区域ty、并且位于第1导体部111以及第2导体部112两者的高度方向(z轴方向)上的包含从一端到另一端的区域tz。

第1磁传感器120a与第1导体部111的最短距离比第1磁传感器120与第2导体部112的最短距离短。第2磁传感器120b与第2导体部112的最短距离比第2磁传感器120b与第1导体部111的最短距离短。

第1磁传感器120a与第1导体部111的最短距离比第1磁传感器120a与第3导体部113的最短距离短。第2磁传感器120b与第2导体部112的最短距离比第2磁传感器120b与第3导体部113的最短距离短。

如图11所示，通过所谓的右手螺旋定律，产生围绕第1导体部111的磁场1ae，产生围绕第2导体部112的磁场1ce，产生围绕第3导体部113的磁场1be。

如上述那样，第1磁传感器120a在区域ty内并且在区域tz内，位于靠近第1导体部111的位置。因此，向第1磁传感器120a主要施加围绕第1导体部111的磁场1ae。第2磁传感器120b在区域ty内并且在区域tz内，位于靠近第2导体部112的位置。因此，向第2磁传感器120b主要施加围绕第2导体部112的磁场1ce。

如上述那样，从宽度方向(y轴方向)观察，第1导体部111与第2导体部112的位置在高度方向(z轴方向)上相互错开，因此磁场1ae几乎不进入到第2导体部112的第1导体部111一侧的面，磁场1ce几乎不进入到第1导体部111的第2导体部112一侧的面。其结果，能够减少磁场1ae进入到第2导体部112的第1导体部111一侧的面时产生的涡流损耗、以及磁场1ce进入到第1导体部111的第2导体部112一侧的面时产生的涡流损耗。由此，能够抑制电流传感器400的输出降低，能够提高电流传感器400的频率特性。

(实施方式5)

以下，对本发明的实施方式5所涉及的电流传感器进行说明。另外，实施方式5所涉及的电流传感器主要是第4导体部以及第5导体部的长度与实施方式1所涉及的电流传感器100不同，因此针对与实施方式1所涉及的电流传感器100相同的结构赋予相同的参照符号并不重复其说明。

图13是表示本发明的实施方式5所涉及的电流传感器所具备的导体的外观的立体图。图14是从箭头xiv方向观察图13的导体的侧视图。图15是从箭头xv方向观察图13的导体的俯视图。图16是从箭头xvi方向观察图13的导体的主视图。

如图13～16所示，本发明的实施方式5所涉及的电流传感器所具备的导体510的第4导体部514以及第5导体部515分别包含在宽度方向(y轴方向)上延伸的部分和在高度方向(z轴方向)上延伸的部分。即，第4导体部514以及第5导体部515分别弯折。

导体510的第4导体部514的高度方向(z轴方向)上延伸的部分比实施方式1所涉及的导体110的第4导体部114短。导体510的第5导体部515的高度方向(z轴方向)上延伸的部分比实施方式1所涉及的导体110的第5导体部115短。由此，能够使电流传感器小型化。

(实施方式6)

以下，对本发明的实施方式6所涉及的电流传感器进行说明。另外，实施方式6所涉及的电流传感器主要是第3导体部的形状与实施方式1所涉及的电流传感器100不同，因此针对与实施方式1所涉及的电流传感器100相同的结构赋予相同的参照符号并不重复其说明。

图17是表示本发明的实施方式6所涉及的电流传感器所具备的导体的外观的立体图。图18是从箭头xviii方向观察图17的导体的侧视图。图19是从箭头xix方向观察图17的导体的俯视图。图20是从箭头xx方向观察图17的导体的主视图。

如图17～20所示，本发明的实施方式6所涉及的电流传感器所具备的导体610的第3导体部613从长度方向(x轴方向)观察，具有在高度方向(z轴方向)上向与第1导体部111侧相反的一侧弯成凸状的形状。在本实施方式中，上述弯成凸状的形状是弯曲形状。第3导体部613从高度方向(z轴方向)观察，位于第1导体部111与第2导体部112之间，具有长度方向(x轴方向)上的第3一端部613a以及第3另一端部613b。

第3导体部613具有上述的弯曲形状，从而第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b分别与第3导体部613之间的最短距离变长，因此围绕第3导体部613的磁场能够难以分别被施加于第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b。

(实施方式7)

以下，对本发明的实施方式7所涉及的电流传感器进行说明。另外，实施方式7所涉及的电流传感器主要是导体的形状与实施方式1所涉及的电流传感器100不同，因此针对与实施方式1所涉及的电流传感器100相同的结构赋予相同的参照符号并不重复其说明。

图21是表示本发明的实施方式7所涉及的电流传感器所具备的导体的外观的立体图。图22是从箭头xxii方向观察图21的导体的侧视图。图23是从箭头xxiii方向观察图21的导体的俯视图。图24是从箭头xxiv方向观察图21的导体的主视图。

如图21～24所示，本发明的实施方式7所涉及的电流传感器所具备的导体710包含第1导体部711、第2导体部712和第3导体部713，所述第1导体部711在长度方向(x轴方向)上延伸并具有长度方向(x轴方向)上的第1一端部711a以及第1另一端部711b，所述第2导体部712在宽度方向(y轴方向)上与第1导体部711隔开间隔并且在长度方向(x轴方向)上延伸并具有长度方向(x轴方向)上的第2一端部712a以及第2另一端部712b，所述第3导体部713从高度方向(z轴方向)观察，位于第1导体部711与第2导体部712之间，具有长度方向(x轴方向)上的第3一端部713a以及第3另一端部713b。

第3另一端部713b与第1另一端部711b的高度方向(z轴方向)上的一端连接，从而第1导体部711与第3导体部713相互连接。具体而言，第1另一端部711b与第3另一端部713b通过第4导体部714来相互连接。第4导体部714是导体710的一部分。

第3一端部713a与第2一端部712a的高度方向(z轴方向)上的一端连接，从而第2导体部712与第3导体部713相互连接。具体而言，第2一端部712a与第3一端部713a通过第5导体部715来相互连接。第5导体部715是导体710的一部分。

在本实施方式中，第1导体部711以及第2导体部712分别具有板状的形状。从长度方向(x轴方向)观察，包含第1导体部711的第2导体部712一侧的面的第1假想平面与包含第2导体部712的第1导体部711一侧的面的第2假想平面相互交叉。第1假想平面与第2假想平面所成的角度例如是60°。

第3导体部713在长度方向(x轴方向)上延伸。从长度方向(x轴方向)观察，第3导体部713具有在高度方向(z轴方向)上向与第1导体部711侧相反的一侧弯成凸状的形状。在本实施方式中，上述弯成凸状的形状是弯折形状。第4导体部714沿着第1假想平面延伸。第5导体部715沿着第2假想平面延伸。

第1磁传感器120a以及第2磁传感器120b分别位于宽度方向(y轴方向)上的第1导体部711与第2导体部712之间的区域ty、并且第1导体部711以及第2导体部712的两者的高度方向(z轴方向)上的包含从一端到另一端的区域tz。

第1磁传感器120a与第1导体部711的最短距离比第1磁传感器120a与第2导体部712的最短距离短。第2磁传感器120b与第2导体部712的最短距离比第2磁传感器120b与第1导体部711的最短距离短。

第1磁传感器120a与第1导体部711的最短距离比第1磁传感器120a与第3导体部713的最短距离短。第2磁传感器120b与第2导体部712的最短距离比第2磁传感器120b与第3导体部713的最短距离短。

导体710具有上述的形状，由此能够使电流传感器小型化。

(实施方式8)

以下，对本发明的实施方式8所涉及的电流传感器进行说明。另外，实施方式8所涉及的电流传感器主要是第3导体部的形状与实施方式5所涉及的电流传感器不同，因此针对与实施方式5所涉及的电流传感器相同的结构赋予相同的参照符号并不重复其说明。

图25是表示本发明的实施方式8所涉及的电流传感器所具备的导体的外观的立体图。图26是从箭头xxvi方向观察图25的导体的侧视图。图27是从箭头xxvii方向观察图25的导体的俯视图。图28是从箭头xxviii方向观察图25的导体的主视图。

如图25～28所示，本发明的实施方式8所涉及的电流传感器所具备的导体810的第3导体部813在长度方向(x轴方向)以及宽度方向(y轴方向)上延伸。即，第3导体部813延伸为从高度方向(z轴方向)观察，相对于第1导体部111以及第2导体部112以直角以外的角度交叉。从高度方向(z轴方向)观察，第1导体部111以及第2导体部112分别与第3导体部813交叉的角度例如为30°。

图29是表示对在本发明的实施方式8所涉及的电流传感器的导体的周边产生的磁场的磁通密度的分布进行模拟解析的结果的等高线图。图30是表示从图29中的起点s到终点e在y轴方向上延伸的假想直线l上的磁通密度的z轴方向的分量(mt)与距起点s的距离(mm)的关系的曲线图。

在模拟解析中，第1导体部111、第2导体部112以及第3导体部813各自的剖面的尺寸设为宽度是10mm，厚度是1.5mm。如图28所示，假想直线l的高度方向(z轴方向)上的位置设为距第3导体部813相邻于第1导体部111以及第2导体部112的面的距离m为7.25mm的位置。将分别流过第1导体部111、第2导体部112以及第3导体部113的电流的值设为600a。

在图29中，将磁通密度的高度方向(z轴方向)的分量是40mt的线表示为e1，是32mt的线表示为e2，是24mt的线表示为e3，是16mt的线表示为e4。将磁通密度的高度方向(z轴方向)的分量是-40mt的线表示为e11，是-32mt的线表示为e12，是-24mt的线表示为e13，是-16mt的线表示为e14。磁通密度的高度方向(z轴方向)的分量将图28中的向上的磁通表示为正值，将图28中的向下的磁通表示为负值。

如图30所示，以假想直线l上的起点s与终点e的中间、距起点的距离为6mm的位置为界，磁通密度的高度方向(z轴方向)的分量的符号相反。具体而言，在距起点的距离小于6mm的位置，磁通密度的高度方向(z轴方向)的分量为正值，在距起点的距离比6mm长的位置，磁通密度的高度方向(z轴方向)的分量为负值。

第1磁传感器120a被配置于假想直线l上距起点s的距离比6mm长的位置。第2磁传感器120b被配置于假想直线l上距起点s的距离小于6mm的位置。

因此，由于作用于第1磁传感器120a的磁场1ae的磁通的朝向与作用于第2磁传感器120b的磁场1be的磁通的朝向相互相反，因此关于由流过导体810的测定对象的电流产生的磁场的强度，第1磁传感器120a的检测值的相位与第2磁传感器120b的检测值的相位为反相。因此，若将第1磁传感器120a所检测到的磁场的强度设为正值，则第2磁传感器120b所检测到的磁场的强度为负值。

通过计算部190来对第1磁传感器120a的检测值与第2磁传感器120b的检测值进行运算。具体而言，计算部190从第1磁传感器120a的检测值减去第2磁传感器120b的检测值。根据其结果，计算流过导体810的测定对象的电流的值。

在本实施方式所涉及的电流传感器中，第3导体部813以将第4导体部514和第5导体部515最短地连结的形状形成，因此能够提高流过第3导体部813的电流密度，提高电流传感器的频率特性。

(实施方式9)

以下，对本发明的实施方式9所涉及的电流传感器进行说明。另外，实施方式9所涉及的电流传感器主要是第4导体部以及第5导体部的位置与实施方式1所涉及的电流传感器100不同，因此针对与实施方式1所涉及的电流传感器100相同的结构赋予相同的参照符号并不重复其说明。

图31是表示本发明的实施方式9所涉及的电流传感器所具备的导体的外观的立体图。图32是从箭头xxxii方向观察图31的导体的侧视图。图33是从箭头xxxiii方向观察图31的导体的俯视图。图34是从箭头xxxiv方向观察图31的导体的主视图。

如图31～34所示，本发明的实施方式9所涉及的电流传感器所具备的导体910的第4导体部914以及第5导体部915分别在宽度方向(y轴方向)上延伸。

通过第4导体部914，第1另一端部111b与第3另一端部113b相互连接。通过第5导体部915，第2一端部112a与第3一端部113a相互连接。

(实施方式10)

以下，对本发明的实施方式10所涉及的电流传感器模块进行说明。图35是表示本发明的实施方式10所涉及的电流传感器模块的外观的立体图。

如图35所示，本发明的实施方式10所涉及的电流传感器模块1000例如被应用于逆变器等3相3线式的布线。电流传感器模块1000具备3个电流传感器300。在本实施方式中，电流传感器模块1000所具备的电流传感器300的数量是3个，但是并不局限于此，是多个即可。

3个电流传感器300各自的导体110被并排配置。电流传感器模块1000还具备安装有3个导体110的基座1080。在基座1080，第1相的电极1011、第2相的电极1012以及第3相的电极1013分别被螺栓1070固定。

3个电流传感器300之中的第1电流传感器300的第1导体部111与电极1011连接。3个电流传感器300之中的第2电流传感器300的第1导体部111与电极1012连接。3个电流传感器300之中的第3电流传感器300的第1导体部111与电极1013连接。

3个电流传感器300在高度方向(z轴方向)上相互隔开间隔地排列。相互相邻的电流传感器300彼此，一个电流传感器300的宽度方向(y轴方向)上的第1导体部111与第2导体部112之间的区域ty与另一个电流传感器300的第3导体部113对置。第1电流传感器300的壳体350与第2电流传感器300的第3导体部113对置。第2电流传感器300的壳体350与第3电流传感器300的第3导体部113对置。

即，在相互相邻的电流传感器300彼此，从长度方向(x轴方向)观察，另一个电流传感器300的第3导体部113相对于一个电流传感器300的第1导体部111以及第2导体部112，位于高度方向(z轴方向)的另一侧。

如上述那样，在第3导体部113的与相邻于第1导体部111以及第2导体部112的面侧相反的面侧产生的磁场的强度减少。因此，即使将电流传感器模块1000设为上述的结构，也能够抑制由于围绕第2电流传感器300的第3导体部113的磁场而在第1电流传感器300的测定值产生误差的情况、以及由于围绕第3电流传感器300的第3导体部113的磁场而在第2电流传感器300的测定值产生误差的情况。

另外，多个电流传感器的配置并不局限于上述。图36是表示本发明的实施方式10的变形例所涉及的电流传感器模块的导体的配置的立体图。在图36中，仅图示电流传感器模块之中的导体。

如图36所示，在本发明的实施方式10的变形例所涉及的电流传感器模块1000a中，3个导体510被并排配置。3个导体510在宽度方向(y轴方向)上相互隔开间隔而排列，并且在长度方向(x轴方向)上相互隔开间隔而排列。在相互相邻的电流传感器彼此，一个电流传感器的宽度方向(y轴方向)上的第1导体部111与第2导体部112之间的区域ty比另一个电流传感器的宽度方向(y轴方向)上的第1导体部111与第2导体部112之间的区域ty在长度方向(x轴方向)上对置。

一个电流传感器的区域ty与另一个电流传感器的区域ty在长度方向(x轴方向)上排列。在本变形例中，一个电流传感器的第3导体部113与另一个电流传感器的第3导体部113位于同一平面上，但是并不局限于此，也可以在一个电流传感器的区域ty与另一个电流传感器的区域ty在长度方向(x轴方向)上相互对置的范围内，在高度方向(z轴方向)上位于相互错开的位置。

在本发明的实施方式10的变形例所涉及的电流传感器模块1000a中，也能够抑制由于围绕第2电流传感器的第3导体部113的磁场而在第1电流传感器的测定值产生误差的情况、以及由于围绕第3电流传感器的第3导体部113的磁场而在第2电流传感器的测定值产生误差的情况。此外，由于能够将3个导体510接近配置，因此能够使电流传感器模块1000a小型化。

在上述的实施方式的说明中，也可以将能够组合的结构相互组合。

应当认为本次公开的实施方式在全部方面为示例，并不是限制性的。本发明的范围并不由上述的说明来表示，而由权利要求书表示，意图包含与权利要求书均等的意思以及范围内的全部变更。

-符号说明-

1a、1b、1c电流，1ae、1be、1ce磁场，2检测轴，100、200、300、300a、400电流传感器，110、410、510、610、710、810、910导体，111、711第1导体部，111a、711a第1一端部，111b、711b第1另一端部，112、712第2导体部，112a、712a第2一端部，112b、712b第2另一端部，113、613、713、813第3导体部，113a、613a、713a第3一端部，113b、613b、713b第3另一端部，114、514、714、914第4导体部，115、415、515、715、915第5导体部，120a、220a第1磁传感器，120b、220b第2磁传感器，130、230基板，190计算部，350壳体，350f凸缘部，360绝缘树脂，370、1070螺栓，1000、1000a电流传感器模块，1011、1012、1013电极，1080基座。