技术特征：
技术总结
本发明属于微光像增强器技术领域，涉及一种测量超二代像增强器阴极近贴聚焦距离的方法，采用900nm～1000nm波长范围，优选的，采用950nm～1000nm波长范围的近红外单色光来测量像增强器的阴极近贴聚焦距离。首先调节物镜与阴极玻璃窗之间的距离，将物镜聚焦在光电阴极膜层上，测出聚焦位置A；然后将物镜聚焦在微通道板输入端，测出聚焦位置B；则像增强器的阴极近贴聚焦距离为位置B与位置A之间的差，即阴极近贴聚焦距离Δz＝B‑A。使用本发明方法可有效精确地测量出超二代像增强器的阴极近贴聚焦距离，从而确定出不能进行冲击测试的像增强器，避免像增强器被击穿的风险，避免造成不必要的经济损失。
技术研发人员：李晓峰;曾进能;李廷涛;杨振;汤文梅
受保护的技术使用者：北方夜视技术股份有限公司
技术研发日：2018.10.29
技术公布日：2019.02.22