通过EBSD技术提取晶体中特定晶面的方法与流程

文档序号:20937521发布日期:2020-06-02 19:25阅读:来源:国知局

技术特征:

1.通过ebsd技术提取晶体中特定晶面的方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)制备ebsd样品;

2)在配备有ebsd探头的扫描电镜下对ebsd样品进行扫描,记录样品宏观方向,获得选定的观察面的不同取向晶面的信息;

3)通过channel5软件处理ebsd系统获取的不同取向晶面的信息,提取晶体中某种晶面:

先通过channel5软件中tango模块把观察面内的所有晶粒的取向信息通过mapproperties功能表中ipfcolouring图来表示;再通过mambo模块中newpolefiguresheet工具导出极图和反极图,在不同类型晶面的极图上表示观察面内的所有晶面,不同晶面用ipfcolouring图来表示,并导出要抽出的晶面相对应的极图;观察要抽出的晶面极图中心0-5°范围内晶粒的颜色,确定该晶面相对应的颜色表示;通过grainareadetermination工具得出该观察面所有晶粒的信息,包括尺寸,欧拉角、等效直径的统计表格,提取出晶体中某种类型的晶面;

其中,提取晶体中特定晶面有以下三种方法

方法一:

通过欧拉角抽出:通过currentrecord工具点击不同晶面,测定并记录要抽出的同种颜色晶面的欧拉角,选取grainareadetermination工具统计出来表格中记录的欧拉角,并建立一个新项目,该新项目能够表示所抽出的晶面;

方法二:

通过在grainareadetermination工具统计出来的表格中直接选定所有的欧拉角晶粒,建立一个新项目,然后在该新项目上通过选取晶粒工具subsetselectiontools去除不要的晶粒,结合要抽出那种类型晶面的极图,进行实时去除,从而得到所需要的同种颜色的晶粒;

方法三:

先通过subsetselection工具,先去除抽出晶面所对应极图的所有晶粒,并且把极图放到最大倍数,并且用测量工具angularmeasurement在极图中心画出5°范围的直线,然后以极图中心为圆点,以5°的直线为直径,通过subsetselection工具在极图上圈出直径为5°范围内的圆,或者根据反极图对应的晶面位置圈出对应的晶面,并建立一个新项目,即抽出了在ipf图上显示所求晶面极图中心5°范围内的所有晶粒;

最后通过ipf图的subsetselection工具进行筛选,对着相应的极图,通过选取或者去除功能来去除所求晶面极图中心5°晶粒的误抽出晶粒。

2.按照权利要求1所述通过ebsd技术提取晶体中特定晶面的方法,其特征在于:通过mambo模块中newpolefiguresheet功能,把抽出同种颜色的晶粒的新项目用该晶面相对应的极图表示,看抽出的晶面是否全部在该晶面对应的极图的中心,并用选取晶粒工具subsetselectiontools实时地去除不在极图中心0-5°的晶面,以减小抽出误差。

3.按照权利要求1所述通过ebsd技术提取晶体中特定晶面的方法,其特征在于:极图中心0-5°的测量通过channel5软件中工具angularmeasurement来实现。

4.按照权利要求1所述通过ebsd技术提取晶体中特定晶面的方法,其特征在于:把抽出晶面的极图制成云图,如果云图的等高线密集处在云图中心,说明抽出的颜色晶面表示的就是某种类型的晶面在该观察面内的分布。

5.按照权利要求1所述通过ebsd技术提取晶体中特定晶面的方法,其特征在于:该方法用于抽取再结晶、亚结构、高schmid因子、孪晶、高应变的晶粒,并且通过image-proplus软件定量统计这些类型晶面的等效尺寸、间距、含量、面积分数信息,能够抽出不同处理后的晶粒。

6.按照权利要求1所述通过ebsd技术提取晶体中特定晶面的方法,其特征在于:通过该方法,可以同时抽出不同类型的晶面,并且实现单独分开抽取,也可以同时一起抽取。


技术总结
本发明的目的在于提供通过EBSD技术提取晶体中特定晶面的方法,包括以下步骤:1)制备EBSD样品;2)对EBSD样品进行扫描,获得选定的观察面的不同取向晶面的信息;3)通过CHANNEL5软件处理EBSD系统获取的不同取向晶面的信息:先通过软件得出该晶体的IPF图;再导出极图和反极图,选定我们要抽取那种类型晶面的极图,观察要抽出的晶面极图中心内晶粒的颜色,确定该晶面相对应的颜色表示;最后用本申请所叙述的方法提取出晶体中某种类型的晶面。通过该方法可以分析晶体内某种特殊晶面的尺寸、分布,对晶体枳构,晶体氧化腐蚀等方面的影响;同时,通过EBSD原位观察,实现不同热处理后,某些特殊晶面单独抽取,能够了解特殊晶面的形成、长大过程随温度的变化。

技术研发人员:李阁平;张英东;刘承泽;袁福森;韩福洲;穆罕默德·阿里;郭文斌;顾恒飞
受保护的技术使用者:中国科学院金属研究所
技术研发日:2018.11.26
技术公布日:2020.06.02
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