技术特征：
技术总结
本发明公开了一种碳化硅MOSFET高温栅偏测试方法，通过栅偏电压与阈值电压测试模块之间电子开关的快速切换，实现碳化硅MOSFET阈值电压在高温栅偏试验后的原位测试，防止阈值电压在实验后发生恢复，造成测试值的误差；通过正向扫描方式与负向扫描方式更准确的表征了测试应力对阈值电压的影响，同时通过对一系列时间点下，阈值电压测试值的自动采集，即可计算不同器件在相同时间段内阈值电压的恢复情况。本发明解决了现有技术在高温栅偏试验针对碳化硅MOSFET的局限性，能够对碳化硅MOSFET的栅氧质量进行准确的评价测试。
技术研发人员：刘奥;柏松
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十五研究所
技术研发日：2018.12.26
技术公布日：2019.05.21