技术总结
本实用新型公开了一种半导体致冷晶棒测试仪，包括第一探头、第二探头、第一电极、第二电极和数据采集卡，第一探头上设有第一热电偶，第二探头上设有第二热电偶和加热器，第一探头、第二探头、第一热电偶、第二热电偶均与数据采集卡电连接，第一电极和第二电极间串联有电源E、开关K、限流电阻R和采样电阻Rc，采样电阻Rc的两端分别与数据采集卡电连接，数据采集卡与一控制器、一显示器通讯连接，第一探头、第二探头与半导体致冷晶棒顶触，第一电极和第二电极分别位于半导体致冷晶棒的两端与之相贴触，本实用新型结构简单，可用于半导体致冷晶棒的温差电动势率和电阻率的测试，且避免了人工的数据记录与计算，大大提高测试效率，使其适合工业应用。
技术研发人员：阮秀沧
受保护的技术使用者：泉州市依科达半导体致冷科技有限公司
技术研发日：2018.05.03
技术公布日：2018.11.13